2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
684+ | 17.85 грн |
710+ | 17.2 грн |
1000+ | 16.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR512P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SCR512P5T100 за ціною від 8.34 грн до 31.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SCR512P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3 |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR512P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 2 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2SCR512P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |