2SCR502EBTL Rohm Semiconductor
на замовлення 47395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4156+ | 2.94 грн |
4167+ | 2.93 грн |
4886+ | 2.5 грн |
5155+ | 2.28 грн |
6000+ | 1.98 грн |
12000+ | 1.9 грн |
24000+ | 1.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR502EBTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR502EBTL за ціною від 2.37 грн до 22.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SCR502EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 5120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SCR502EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SCR502EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 1235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SCR502EBTL | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2SCR502EBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SCR502EBTL | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416FL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2SCR502EBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW |
товар відсутній |