Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR372PHZGT100Q
2SCR372PHZGT100Q

2SCR372PHZGT100Q Rohm Semiconductor

2scr372phzgt100q-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
736+16.59 грн
741+ 16.49 грн
769+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 736
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR372PHZGT100Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 220MHz, Supplier Device Package: SOT-89, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції 2SCR372PHZGT100Q за ціною від 18.7 грн до 60.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SCR372PHZGT100Q 2SCR372PHZGT100Q Виробник : Rohm Semiconductor 2scr372phzgt100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
288+42.5 грн
300+ 40.8 грн
500+ 39.33 грн
Мінімальне замовлення: 288
2SCR372PHZGT100Q 2SCR372PHZGT100Q Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR372PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.8 грн
10+ 47.43 грн
100+ 32.84 грн
500+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SCR372PHZGT100Q 2SCR372PHZGT100Q Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR372PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 0.7A 120V Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.84 грн
10+ 52.03 грн
100+ 31.36 грн
500+ 26.26 грн
1000+ 22.73 грн
2000+ 19.78 грн
5000+ 18.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SCR372PHZGT100Q 2SCR372PHZGT100Q Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR372PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 120V 0.7A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній