2SCR293P5T100

2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor


datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+8.14 грн
2000+ 7.22 грн
5000+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції 2SCR293P5T100 за ціною від 5.9 грн до 39.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : ROHM 2scr293p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.27 грн
500+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.01 грн
15+ 20.76 грн
100+ 12.45 грн
500+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+30.46 грн
14+ 24.07 грн
100+ 10.72 грн
1000+ 7.55 грн
2000+ 6.69 грн
10000+ 6.04 грн
25000+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : ROHM 2scr293p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+33.57 грн
31+ 26.39 грн
100+ 12.27 грн
500+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 25
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : Rohm Semiconductor 232scr293p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
307+39.85 грн
320+ 38.25 грн
500+ 36.87 грн
Мінімальне замовлення: 307
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Frequency: 320MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SC62,SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC62; SOT89
Frequency: 320MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
товар відсутній