2SC5876U3HZGT106Q

2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor


2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.61 грн
6000+ 8.87 грн
9000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC5876U3HZGT106Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SC5876U3HZGT106Q за ціною від 7.77 грн до 39.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : ROHM 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+22.03 грн
49+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.79 грн
12+ 26.6 грн
100+ 15.97 грн
500+ 13.88 грн
1000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : ROHM Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.78 грн
11+ 30.36 грн
100+ 14.75 грн
1000+ 10.07 грн
3000+ 8.78 грн
9000+ 7.91 грн
24000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SC5876U3HZGT106Q 2SC5876U3HZGT106Q Виробник : ROHM 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf Description: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf 2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
895+13.64 грн
928+ 13.15 грн
1000+ 12.72 грн
2500+ 11.91 грн
Мінімальне замовлення: 895
2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf 2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
895+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 895
2SC5876U3HZGT106Q Виробник : Rohm Semiconductor 2sc5876u3hzgt106q-e.pdf 2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
653+18.71 грн
715+ 17.08 грн
834+ 14.64 грн
1000+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 653