Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SAR583D3TL1
2SAR583D3TL1

2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor

2sar583d3tl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
375+32.56 грн
441+ 27.69 грн
443+ 27.59 грн
500+ 26.3 грн
1000+ 24.26 грн
Мінімальне замовлення: 375
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 7A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 230MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SAR583D3TL1 за ціною від 39.49 грн до 114.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+51.54 грн
250+ 49.47 грн
500+ 47.68 грн
1000+ 44.48 грн
Мінімальне замовлення: 237
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor 2sar583d3tl-e.pdf Trans GP BJT PNP 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+51.54 грн
250+ 49.47 грн
500+ 47.68 грн
1000+ 44.48 грн
Мінімальне замовлення: 237
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : ROHM 2sar583d3tl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+70.04 грн
500+ 56.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP, TO-252 (DPAK), -50V -7A, Power Transistor
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.9 грн
10+ 87.69 грн
100+ 62.22 грн
500+ 54.09 грн
1000+ 44.1 грн
2500+ 41.51 грн
5000+ 39.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.05 грн
10+ 82.57 грн
100+ 64.23 грн
500+ 51.1 грн
1000+ 41.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : ROHM 2sar583d3tl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 230MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+114.59 грн
10+ 91.18 грн
100+ 70.04 грн
500+ 56.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SAR583D3TL1 2SAR583D3TL1 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 50V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 230MHz
Supplier Device Package: TO-252
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній