2SAR552P5T100 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SAR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
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Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 23.89 грн |
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Технічний опис 2SAR552P5T100 ROHM
Description: ROHM - 2SAR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SAR552P5T100 за ціною від 10.57 грн до 46.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
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2SAR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SAR552P5T100 | Виробник : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -3A Ic MPT3 |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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2SAR552P5T100 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR552P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SAR552P5T100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 3A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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