2SAR514PT100

2SAR514PT100 Rohm Semiconductor


2sar514p.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SAR514PT100 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 380MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SAR514PT100

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SAR514PT100 2SAR514PT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2sar514p.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SAR514PT100 2SAR514PT100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR514P&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 380MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2SAR514PT100 2SAR514PT100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR514P&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 80V 0.7A 4PIN MPT
товар відсутній