Результат пошуку "2sa2126-tl-h." : 3
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SA2126-TL-H | ONSEMI |
 Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 390MHz |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2126-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 390MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 542033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SA2126-TL-H | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
| 2SA2126-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 51.6 грн |
| 16+ | 23.38 грн |
| 25+ | 20.69 грн |
| 50+ | 17.06 грн |
| 138+ | 16.12 грн |
| 2SA2126-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 542033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2100+ | 20.95 грн |
| 2SA2126-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній