на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N7002P,215 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2N7002P,215 за ціною від 1.45 грн до 15.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 35992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 233901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 284259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - 2N7002P,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 233901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 2N7002P/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1101169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7002P,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.28A; Idm: 1.2A; 420mW Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Pulsed drain current: 1.2A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N7002P,215 | Виробник : NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P; 2N7002P,215 T2N7002p кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|