2N6661 Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Description: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1111.16 грн |
25+ | 980.6 грн |
100+ | 944.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2N6661 Microchip Technology
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 90V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.25W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2N6661 за ціною від 1039.29 грн до 2464.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 90V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.25W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 90V 4Ohm |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N6661 | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N6661 | Виробник : Semelab | Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39 |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6661 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6661 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 1.5A; TO39 Mounting: THT Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 4Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 90V Pulsed drain current: 1.5A Case: TO39 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
2N6661 | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 90V; 1.5A; TO39 Mounting: THT Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhanced On-state resistance: 4Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 90V Pulsed drain current: 1.5A Case: TO39 |
товар відсутній |