1N6113A MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: Bidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W
Tolerance: ±5%
Max. off-state voltage: 15.2V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 18A
Breakdown voltage: 19V
Leakage current: 1µA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
Mounting: THT
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N6113A MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Bidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W, Tolerance: ±5%, Max. off-state voltage: 15.2V, Semiconductor structure: bidirectional, Max. forward impulse current: 18A, Breakdown voltage: 19V, Leakage current: 1µA, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 0.5kW, Mounting: THT, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції 1N6113A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N6113A | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 15.2VWM BPKG AXIAL |
товар відсутній |
||
 |
1N6113A | Виробник : Semtech |
Zener Diodes T MET BI 500W 20V |
товар відсутній |
|
| 1N6113A | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Bidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 19V; 18A; bidirectional; ±5%; 500W Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 15.2V Semiconductor structure: bidirectional Max. forward impulse current: 18A Breakdown voltage: 19V Leakage current: 1µA Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.5kW Mounting: THT |
товар відсутній |