1N5635A MICROSEMI


8922-lds-0096-pdf Виробник: MICROSEMI
DO-13/1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE 1N5635
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 1N5635A MICROSEMI

Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; ±5%; DO13, Tolerance: ±5%, Case: DO13, Peak pulse power dissipation: 1.5kW, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 10.2V, Semiconductor structure: unidirectional, Max. forward impulse current: 90A, Breakdown voltage: 12V, Leakage current: 5µA, Type of diode: TVS, кількість в упаковці: 100 шт.

Інші пропозиції 1N5635A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
1N5635A Виробник : Microsemi Corporation 8922-lds-0096-pdf Description: TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC DO13
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1N5635A Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5629-65A.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; ±5%; DO13
Tolerance: ±5%
Case: DO13
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 10.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
1N5635A 1N5635A Виробник : Microsemi LDS-0096-1284475.pdf ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS
товар відсутній
1N5635A Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 1N5629-65A.pdf Category: Unidirectional THT transil diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 12V; 90A; unidirectional; ±5%; DO13
Tolerance: ±5%
Case: DO13
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 10.2V
Semiconductor structure: unidirectional
Max. forward impulse current: 90A
Breakdown voltage: 12V
Leakage current: 5µA
Type of diode: TVS
товар відсутній