1N3879 GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 498 грн |
10+ | 390.54 грн |
25+ | 359.79 грн |
100+ | 298.25 грн |
250+ | 274.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 1N3879 GeneSiC Semiconductor
Description: FAST RECOVERY RECTIFIER, Packaging: Bulk, Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 115pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: DO-4 (DO-203AA), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V.
Інші пропозиції 1N3879
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
1N3879 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
1N3879 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 6A 200ns 2-Pin DO-4 |
товар відсутній |
||
1N3879 | Виробник : Microchip Technology |
Description: FAST RECOVERY RECTIFIER Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 115pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: DO-4 (DO-203AA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 50 V |
товар відсутній |
||
1N3879 | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Rectifiers 50V 6A Fast Recovery |
товар відсутній |
||
1N3879 | Виробник : Microchip Technology | Rectifiers UFR,FRR |
товар відсутній |