Результат пошуку "156577" : 8

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SP001565774 Infineon
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3505-8120 3505-8120 3M 3m-four-wall-header-2500-series-ts-0770.pdf Description: CONN RETAINER CLIP 20POS LONG
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: 2500 Series
Number of Positions: 20
Accessory Type: Retainer Clip
Part Status: Active
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.53 грн
10+ 84.95 грн
25+ 81.37 грн
50+ 74.64 грн
100+ 71.25 грн
300+ 64.47 грн
500+ 58.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.97 грн
10+ 138.39 грн
100+ 110.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf8010s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF8010STRLPBF IRF8010STRLPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49 Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF8010STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf8010s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF840PBF IRF840PBF Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF840PBF IRF840PBF Infineon Technologies 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SP001565774
Виробник: Infineon
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3505-8120 3m-four-wall-header-2500-series-ts-0770.pdf
3505-8120
Виробник: 3M
Description: CONN RETAINER CLIP 20POS LONG
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: 2500 Series
Number of Positions: 20
Accessory Type: Retainer Clip
Part Status: Active
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.53 грн
10+ 84.95 грн
25+ 81.37 грн
50+ 74.64 грн
100+ 71.25 грн
300+ 64.47 грн
500+ 58.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49
IRF8010STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.97 грн
10+ 138.39 грн
100+ 110.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF8010STRLPBF infineon-irf8010s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF8010STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+60.1 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF8010STRLPBF irf8010spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560cd69a1d49
IRF8010STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF8010STRLPBF infineon-irf8010s-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF840PBF
IRF840PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній