Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника NXP SEMICONDUCTORS (57837) > Сторінка 196 з 964
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BGA3022Y | NXP Semiconductors | RF Amplifier 1.2 GHz 18 dB gain CATV amp |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MD8IC925GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier HV8IC 960MHZ TO270WB14G |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MD8IC925NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier HV8IC 960MHZ TO270WB14 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I20H060NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8324X | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGS8324/HX2QFN12/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8324Z | NXP Semiconductors | RF Amplifier WLAN LNA + switch |
на замовлення 5194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BGU8103UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C LNA MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and Compass |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I25D012GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I20H080NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MMRF2005NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MD7IC2755GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier HV7IC 2700MHZ TO270WB14G |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8M2UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGS8M2UK/WLCSP6/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8011X | NXP Semiconductors | RF Amplifier GPS LNA evaluation board |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
BGD702,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MW5IC970NBR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier HV5IC 900MHZ 70W TO272WB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8103UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGU8103UK/WLCSP6/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8M1UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGU8M1UK/UNCASED/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8424Z | NXP Semiconductors | RF Amplifier MMIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8358Z | NXP Semiconductors | RF Amplifier MMIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8458Z | NXP Semiconductors | RF Amplifier MMIC |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
BGD802,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8M1UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8H1UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8L1UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I09VD030NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MD7IC1812NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 1.3 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I25D012NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU7061,518 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Analog high linearity low noise variable gain amplifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MD8IC970NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier HV8IC 70W TO270WBL16 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8H1UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGU8H1UK/UNCASED/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGY685A,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV-MOD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGD704,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGA7350,115 | NXP Semiconductors | RF Amplifier 50 MHz to 250 MHz high linearity Si variable gain amplifier; 24 dB gain range |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
BGS8M2UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8H2UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C low-noise amplifier MMIC with bypass switch for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8L3UKAZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8062J | NXP Semiconductors | RF Amplifier Low Noise High Linearity Amplifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8020X | NXP Semiconductors | RF Amplifier MMIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGY585A,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV-MOD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MD7IC1812GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 1.3 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I20H060GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I35H060GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8L2X | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE |
на замовлення 1440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BGS8M2X | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGD702N,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGD804,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I09VD030GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU7062N2Y | NXP Semiconductors | RF Amplifier Analog high linearity low noise variable gain amplifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I08H040GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
A2I35H060NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8H2UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGS8H2UK/WLCSP6/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGU8L1UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGU8L1UK/UNCASED/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8M4UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGS8L3UKZ | NXP Semiconductors | RF Amplifier BGS8L3UK/WLCSP6/REEL 7" Q1/T1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGD502,112 | NXP Semiconductors | RF Amplifier BULK CATV-MOD |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BGA2714,115 | NXP Semiconductors | RF Amplifier TAPE-7 MMIC-RFSS |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
TFF1014HN/N1,135 | NXP Semiconductors | Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
TFF1014HN/N1,115 | NXP Semiconductors | Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
TFF1018HN/N1,115 | NXP Semiconductors | Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||
TFF1015HN/N1,115 | NXP Semiconductors | Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA |
на замовлення 2324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
A2I20H060NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
товар відсутній
BGS8324Z |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier WLAN LNA + switch
RF Amplifier WLAN LNA + switch
на замовлення 5194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 57.65 грн |
10+ | 49.47 грн |
100+ | 32.96 грн |
250+ | 30.64 грн |
BGU8103UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C LNA MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and Compass
RF Amplifier SiGe:C LNA MMIC for GPS, GLONASS, Galileo and Compass
товар відсутній
A2I25D012GNR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
товар відсутній
A2I20H080NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
товар відсутній
MMRF2005NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V
RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V
товар відсутній
BGU8011X |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier GPS LNA evaluation board
RF Amplifier GPS LNA evaluation board
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)BGS8458Z |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier MMIC
RF Amplifier MMIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)BGU8M1UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
товар відсутній
BGU8H1UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
товар відсутній
BGU8L1UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE
товар відсутній
A2I09VD030NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
товар відсутній
MD7IC1812NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
товар відсутній
A2I25D012NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
товар відсутній
BGU7061,518 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Analog high linearity low noise variable gain amplifier
RF Amplifier Analog high linearity low noise variable gain amplifier
товар відсутній
BGA7350,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier 50 MHz to 250 MHz high linearity Si variable gain amplifier; 24 dB gain range
RF Amplifier 50 MHz to 250 MHz high linearity Si variable gain amplifier; 24 dB gain range
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)BGS8M2UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
товар відсутній
BGS8H2UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C low-noise amplifier MMIC with bypass switch for LTE
RF Amplifier SiGe:C low-noise amplifier MMIC with bypass switch for LTE
товар відсутній
BGS8L3UKAZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
товар відсутній
BGU8062J |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Low Noise High Linearity Amplifier
RF Amplifier Low Noise High Linearity Amplifier
товар відсутній
MD7IC1812GNR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
товар відсутній
A2I20H060GNR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
товар відсутній
A2I35H060GNR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
товар відсутній
BGS8L2X |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.54 грн |
10+ | 32.33 грн |
100+ | 22.98 грн |
250+ | 20.95 грн |
500+ | 18.27 грн |
1000+ | 14.76 грн |
2500+ | 11.95 грн |
BGS8M2X |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
товар відсутній
A2I09VD030GNR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V
товар відсутній
BGU7062N2Y |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Analog high linearity low noise variable gain amplifier
RF Amplifier Analog high linearity low noise variable gain amplifier
товар відсутній
A2I08H040GNR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V
товар відсутній
A2I35H060NR1 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
RF Amplifier Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
товар відсутній
BGS8M4UKZ |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
RF Amplifier SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC with bypass switch for LTE
товар відсутній
BGA2714,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
RF Amplifier TAPE-7 MMIC-RFSS
RF Amplifier TAPE-7 MMIC-RFSS
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TFF1014HN/N1,135 |
Виробник: NXP Semiconductors
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TFF1014HN/N1,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TFF1018HN/N1,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)TFF1015HN/N1,115 |
Виробник: NXP Semiconductors
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
Up-Down Converters 12.75GHz 5V 52mA
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)