Продукція > NTE ELECTRONICS > Всі товари виробника NTE ELECTRONICS (2070) > Сторінка 12 з 35
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTE280 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE280 - BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 Verlustleistung Pd: 100 Übergangsfrequenz ft: 5 Bauform - Transistor: TO-3 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
+1 |
NTE280 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 12A; 100W; TO3 Frequency: 5MHz Collector-emitter voltage: 140V Current gain: 40...140 Collector current: 12A Type of transistor: NPN Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
+1 |
NTE283 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 325V; 10A; 100W; TO3 Frequency: 10MHz Collector-emitter voltage: 325V Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
+1 |
NTE283 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 325V; 10A; 100W; TO3 Frequency: 10MHz Collector-emitter voltage: 325V Collector current: 10A Type of transistor: NPN Power dissipation: 100W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
+2 |
NTE284 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3 Frequency: 6MHz Collector-emitter voltage: 180V Collector current: 16A Type of transistor: NPN Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
+2 |
NTE284 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3 Frequency: 6MHz Collector-emitter voltage: 180V Collector current: 16A Type of transistor: NPN Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
+2 |
NTE284MP | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3 Frequency: 6MHz Collector-emitter voltage: 180V Current gain: 70...140 Collector current: 16A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 2pcs. Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN Kind of transistor: matched pair Mounting: THT Case: TO3 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
+2 |
NTE284MP | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3 Frequency: 6MHz Collector-emitter voltage: 180V Current gain: 70...140 Collector current: 16A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 150W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 2pcs. Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN Kind of transistor: matched pair Mounting: THT Case: TO3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
NTE287 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 40 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 625 Übergangsfrequenz ft: 50 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTE287H | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 15...200 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO92 |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE287H | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 15...200 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE288 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE288 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE288H | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 15...200 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO92 |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE288H | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92 Frequency: 40...200MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 15...200 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE289 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92 Frequency: 140MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 35...240 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.6W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO92 |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE289 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92 Frequency: 140MHz Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 35...240 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.6W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO92 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE289A | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTE29 | NTE Electronics | NTE29 NPN THT transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE290 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.6W Case: TO92 Current gain: 35...240 Mounting: THT Frequency: 140MHz |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE290 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 120 Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 140 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTE290 | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.8A Power dissipation: 0.6W Case: TO92 Current gain: 35...240 Mounting: THT Frequency: 140MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2902 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2902 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 60mA Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: -25V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2903 | NTE Electronics | NTE2903 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2905 | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A, Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Kanaltyp: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5 SVHC: To Be Advised |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTE2905 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2905 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Pulsed drain current: -48A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2909 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2909 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A Pulsed drain current: 230A Power dissipation: 200W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE290A | NTE Electronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.6W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.6W Case: TO92 Current gain: 35...200 Mounting: THT Frequency: 120MHz |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE290A | NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92 Transistormontage: Through Hole DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-92 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
NTE291 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 4A; 40W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO220 Current gain: 2...150 Mounting: THT Frequency: 4MHz |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE291 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 4A; 40W; TO220 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 4A Power dissipation: 40W Case: TO220 Current gain: 2...150 Mounting: THT Frequency: 4MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2912 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2912 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 58A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 230W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2913 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2913 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 200W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2914 | NTE Electronics | NTE2914 THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2916 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2916 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2917 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10mA Power dissipation: 0.1W Case: TO92S Gate-source voltage: -20V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2917 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10mA Power dissipation: 0.1W Case: TO92S Gate-source voltage: -20V Mounting: THT Kind of package: bulk Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2919 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Version: ESD |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2919 | NTE Electronics |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -20A Pulsed drain current: -80A Power dissipation: 25W Case: TO220F Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 92mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2920 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2920 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2926 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2926 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 160V Drain current: 7A Power dissipation: 100W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±15V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2927 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2927 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2929 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Version: ESD |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2929 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 45W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.3Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE293 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 1W; TO92 Mounting: THT Case: TO92 Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 50...240 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2939 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2939 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 50W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2942 | NTE Electronics | NTE2942 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2947 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE2947 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 235W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NTE295 | NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 75V; 1A; 5W; TO126 Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 75V Current gain: 60...320 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Mounting: THT Case: TO126 |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NTE280 |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE280 - BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE280 - BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Verlustleistung Pd: 100
Übergangsfrequenz ft: 5
Bauform - Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 140
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
NTE280 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 12A; 100W; TO3
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 40...140
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 12A; 100W; TO3
Frequency: 5MHz
Collector-emitter voltage: 140V
Current gain: 40...140
Collector current: 12A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 507.31 грн |
3+ | 362.06 грн |
9+ | 330.02 грн |
NTE283 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 325V; 10A; 100W; TO3
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 325V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 325V; 10A; 100W; TO3
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 325V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 761.12 грн |
2+ | 543.38 грн |
5+ | 513.06 грн |
NTE283 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 325V; 10A; 100W; TO3
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 325V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 325V; 10A; 100W; TO3
Frequency: 10MHz
Collector-emitter voltage: 325V
Collector current: 10A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 913.35 грн |
2+ | 677.13 грн |
5+ | 615.68 грн |
25+ | 605.03 грн |
NTE284 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1188.66 грн |
NTE284 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1426.39 грн |
2+ | 948.9 грн |
4+ | 864.08 грн |
NTE284MP |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Current gain: 70...140
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 2pcs.
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Mounting: THT
Case: TO3
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Current gain: 70...140
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 2pcs.
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Mounting: THT
Case: TO3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1845.48 грн |
2+ | 1620.51 грн |
NTE284MP |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Current gain: 70...140
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 2pcs.
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; matched pair; 180V; 16A; 150W; TO3
Frequency: 6MHz
Collector-emitter voltage: 180V
Current gain: 70...140
Collector current: 16A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 150W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 2pcs.
Features of semiconductor devices: hFE matched to within 10%; set contains 2pcs of transistor: NPN
Kind of transistor: matched pair
Mounting: THT
Case: TO3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2214.58 грн |
2+ | 2019.41 грн |
3+ | 1943.73 грн |
NTE287 |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE287 - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 40
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 50
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 300
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
NTE287H |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.06 грн |
10+ | 87.98 грн |
12+ | 76.15 грн |
31+ | 72.45 грн |
NTE287H |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.45 грн |
10+ | 105.57 грн |
12+ | 91.38 грн |
31+ | 86.94 грн |
NTE288 |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.84 грн |
NTE288 |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1.5W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.5 грн |
10+ | 84.28 грн |
15+ | 72.75 грн |
40+ | 68.31 грн |
NTE288H |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 74.04 грн |
7+ | 61.36 грн |
10+ | 54.71 грн |
25+ | 51.01 грн |
NTE288H |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.625W; TO92
Frequency: 40...200MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 15...200
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.46 грн |
10+ | 65.65 грн |
25+ | 61.21 грн |
NTE289 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 35...240
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 35...240
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.32 грн |
5+ | 83.54 грн |
10+ | 73.93 грн |
13+ | 70.23 грн |
25+ | 66.54 грн |
34+ | 65.8 грн |
NTE289 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 35...240
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Frequency: 140MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 35...240
Collector current: 0.8A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.1 грн |
10+ | 88.71 грн |
13+ | 84.28 грн |
25+ | 79.84 грн |
34+ | 78.96 грн |
NTE289A |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE289A - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
NTE29 |
Виробник: NTE Electronics
NTE29 NPN THT transistors
NTE29 NPN THT transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1419.43 грн |
3+ | 1341.36 грн |
25+ | 1339.52 грн |
NTE290 |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: TO92
Current gain: 35...240
Mounting: THT
Frequency: 140MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: TO92
Current gain: 35...240
Mounting: THT
Frequency: 140MHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 87.58 грн |
6+ | 72.45 грн |
10+ | 64.32 грн |
NTE290 |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 140
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
NTE290 |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: TO92
Current gain: 35...240
Mounting: THT
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 0.8A; 0.6W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: TO92
Current gain: 35...240
Mounting: THT
Frequency: 140MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.09 грн |
4+ | 90.28 грн |
10+ | 77.18 грн |
15+ | 73.63 грн |
25+ | 69.2 грн |
NTE2902 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 336.77 грн |
3+ | 280.93 грн |
4+ | 227.7 грн |
11+ | 215.13 грн |
NTE2902 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 0.35W; TO92; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60mA
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: -25V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 404.13 грн |
3+ | 350.08 грн |
4+ | 273.24 грн |
11+ | 258.16 грн |
NTE2903 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2903 THT N channel transistors
NTE2903 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 284.7 грн |
6+ | 190.74 грн |
15+ | 180.09 грн |
NTE2905 |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
Description: NTE ELECTRONICS - NTE2905 - MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
NTE2905 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 322.44 грн |
3+ | 269.1 грн |
4+ | 226.96 грн |
11+ | 214.39 грн |
25+ | 213.65 грн |
NTE2905 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; Idm: -48A; 150W; TO247
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 386.93 грн |
3+ | 335.34 грн |
4+ | 272.35 грн |
11+ | 257.27 грн |
25+ | 256.38 грн |
NTE2909 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.17 грн |
3+ | 178.17 грн |
6+ | 154.51 грн |
16+ | 146.38 грн |
25+ | 141.2 грн |
NTE2909 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 230A; 200W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 230A
Power dissipation: 200W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 257 грн |
3+ | 222.02 грн |
6+ | 185.41 грн |
16+ | 175.65 грн |
25+ | 169.44 грн |
NTE290A |
Виробник: NTE Electronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.6W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: TO92
Current gain: 35...200
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.6W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: TO92
Current gain: 35...200
Mounting: THT
Frequency: 120MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.46 грн |
NTE290A |
Виробник: NTE ELECTRONICS
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: NTE ELECTRONICS - NTE290A - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92
Transistormontage: Through Hole
DC-Stromverstärkung hFE: 200
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 600
Übergangsfrequenz ft: 120
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товару немає в наявності
NTE291 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 4A; 40W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Current gain: 2...150
Mounting: THT
Frequency: 4MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 4A; 40W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Current gain: 2...150
Mounting: THT
Frequency: 4MHz
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.46 грн |
8+ | 108.68 грн |
22+ | 102.76 грн |
25+ | 99.06 грн |
NTE291 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 4A; 40W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Current gain: 2...150
Mounting: THT
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 4A; 40W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220
Current gain: 2...150
Mounting: THT
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 176.75 грн |
3+ | 153.85 грн |
8+ | 130.41 грн |
22+ | 123.31 грн |
25+ | 118.88 грн |
NTE2912 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 286.62 грн |
3+ | 239.53 грн |
5+ | 198.13 грн |
NTE2912 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 58A; Idm: 280A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 280A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 343.94 грн |
3+ | 298.49 грн |
5+ | 237.75 грн |
12+ | 224.45 грн |
NTE2913 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 355.08 грн |
3+ | 297.19 грн |
4+ | 263.19 грн |
NTE2913 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; Idm: 390A; 200W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 390A
Power dissipation: 200W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 426.1 грн |
3+ | 370.35 грн |
4+ | 315.82 грн |
9+ | 298.08 грн |
25+ | 287.43 грн |
NTE2914 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2914 THT N channel transistors
NTE2914 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 423.24 грн |
4+ | 263.48 грн |
11+ | 249.29 грн |
NTE2916 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 732.46 грн |
2+ | 477.58 грн |
NTE2916 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; Idm: 200A; 300W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 300W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 878.95 грн |
2+ | 595.14 грн |
5+ | 542.04 грн |
NTE2917 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.11 грн |
10+ | 85.02 грн |
25+ | 77.62 грн |
NTE2917 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20V; 10mA; 0.1W; TO92S; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10mA
Power dissipation: 0.1W
Case: TO92S
Gate-source voltage: -20V
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Gate current: 10mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.76 грн |
10+ | 102.02 грн |
25+ | 93.15 грн |
NTE2919 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 455.4 грн |
3+ | 328.24 грн |
8+ | 310.5 грн |
NTE2919 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 92mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 546.48 грн |
3+ | 409.04 грн |
8+ | 372.6 грн |
25+ | 362.84 грн |
NTE2920 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 925.93 грн |
2+ | 667.58 грн |
NTE2920 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; Idm: 360A; 230W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 230W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1111.11 грн |
2+ | 831.9 грн |
4+ | 757.62 грн |
25+ | 739.88 грн |
NTE2926 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1213.34 грн |
2+ | 804.34 грн |
NTE2926 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 160V; 7A; 100W; TO3PN; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 160V
Drain current: 7A
Power dissipation: 100W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±15V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1456.01 грн |
2+ | 1002.33 грн |
3+ | 911.98 грн |
NTE2927 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 208.59 грн |
NTE2927 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 45W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 250.31 грн |
3+ | 217.42 грн |
6+ | 172.99 грн |
17+ | 164.12 грн |
NTE2929 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 516.7 грн |
3+ | 377.04 грн |
7+ | 356.34 грн |
NTE2929 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5A; Idm: 15A; 45W; TO220F; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 620.04 грн |
3+ | 469.84 грн |
7+ | 427.6 грн |
25+ | 411.63 грн |
NTE293 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 50...240
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 1A; 1W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Frequency: 200MHz
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 50...240
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 158.21 грн |
7+ | 136.03 грн |
NTE2939 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 285.82 грн |
3+ | 238.79 грн |
NTE2939 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 52A; 50W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 50W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 342.98 грн |
3+ | 297.57 грн |
5+ | 247.51 грн |
12+ | 234.21 грн |
25+ | 228 грн |
NTE2942 |
Виробник: NTE Electronics
NTE2942 THT N channel transistors
NTE2942 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.62 грн |
7+ | 166.78 грн |
18+ | 157.02 грн |
NTE2947 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 400.47 грн |
3+ | 334.9 грн |
4+ | 285.36 грн |
9+ | 269.84 грн |
NTE2947 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; Idm: 72A; 235W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 235W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.56 грн |
3+ | 417.33 грн |
4+ | 342.44 грн |
9+ | 323.81 грн |
25+ | 318.48 грн |
NTE295 |
Виробник: NTE Electronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 75V; 1A; 5W; TO126
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 75V
Current gain: 60...320
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: THT
Case: TO126
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 75V; 1A; 5W; TO126
Frequency: 250MHz
Collector-emitter voltage: 75V
Current gain: 60...320
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 5W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: THT
Case: TO126
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.49 грн |
4+ | 122.72 грн |
10+ | 94.63 грн |
25+ | 89.45 грн |