Продукція > YJG
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJG100N04A | Yangjie Electronic Technology | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG100N04A | Yangjie Technology | Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG105N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG150N03A | Yangjie Technology | Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG15GP10A | Yangjie Technology | Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG15N15B | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||
YJG15N15B | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 15A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 29W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||
YJG15N15B-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L | товар відсутній | |||||||||||||
YJG15N15B-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 150V 15A PDFN5060-8L | товар відсутній | |||||||||||||
YJG20N06A | Yangjie Technology | Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG30N06A | Yangjie Technology | Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG30N06A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||
YJG30N06A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2027 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||
YJG30N06A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG30N06A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 30A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG40G10A | Yangjie Technology | Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG40G10AQ | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG40N03A | Yangjie Technology | Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG40P03A | Yangjie Technology | Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG50N03A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||
YJG50N03A | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerLDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2504 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||
YJG50N03A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG50N03A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 30V 50A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG50N03B | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG53G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 30W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||
YJG53G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 34A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 30W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||
YJG53G06A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG53G06A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 53A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG60G10A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L | товар відсутній | |||||||||||||
YJG60G10A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 100V 60A PDFN5060-8L | товар відсутній | |||||||||||||
YJG70G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJG70G06A-YAN SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||
YJG80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 38W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 6168 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG80G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 38W Case: DFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 67nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 6168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
YJG95G06A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJG95G06A-F1-0100HF | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Description: N-CH MOSFET 60V 95A PDFN5060-8L- | товар відсутній | |||||||||||||
YJGD20G10A | Yangjie Technology | Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors | на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|