НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XPN06103J345HT
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XPN12006NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.98 грн
10+ 52.86 грн
100+ 35.47 грн
500+ 27.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN12006NC,L1XHQToshibaMOSFETs TSON N CHAN 60V
на замовлення 57451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 60.4 грн
100+ 35.34 грн
500+ 30.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN12006NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN12006NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.09 грн
10+ 82 грн
100+ 61.46 грн
500+ 49.83 грн
1000+ 39.51 грн
5000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN12006NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN12006NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.012 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.09 грн
10+ 82 грн
100+ 61.46 грн
500+ 49.83 грн
1000+ 39.51 грн
5000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN1300ANC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.8 грн
13+ 61.78 грн
100+ 46.34 грн
500+ 38.74 грн
1000+ 31.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
XPN1300ANC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN1300ANC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0133 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.8 грн
13+ 61.78 грн
100+ 46.34 грн
500+ 38.74 грн
1000+ 31.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
XPN315100.000000KRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±50ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+538.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN316100.000000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+538.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN316161.132812IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN316161.13281 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN316161.132812IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 1.8V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 161.132812 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+525.38 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN326156.250000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators
товару немає в наявності
XPN326156.250000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+493.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN326156.250000KRenesas / IDTStandard Clock Oscillators
товару немає в наявності
XPN326156.250000KRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 95mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+538.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336025.000000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336025.00000 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN336025.000000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+538.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336078.125000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336078.12500 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN336100.000000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 100 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+538.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336100.000000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN336100.000000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators XPN336100.00000 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN336156.250000IRenesas Electronics CorporationDescription: CLCC 3.20X2.50X0.95 MM, 2.10MM P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.039" (1.00mm)
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+538.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
XPN336156.250000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336156.25000 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN336156.253906IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN3 5032 HCMOS XO LOW JITTER
товару немає в наявності
XPN336161.132812IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336161.13281 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN336161.132812IRenesas Electronics CorporationDescription: XTAL OSC XO 161.132812MHZ HCSL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.19mm)
Frequency: 161.132812 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPN336312.500000IRenesas Electronics CorporationDescription: XTAL OSC XO 312.5000MHZ HCSL SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: HCSL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 83mA
Height - Seated (Max): 0.047" (1.19mm)
Frequency: 312.5 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPN336312.500000IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN336312.50000 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 17490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.3 грн
10+ 74.37 грн
100+ 50.03 грн
500+ 37.13 грн
1000+ 33.96 грн
2000+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
XPN3R804NC,L1XHQToshibaMOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 8572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.6 грн
10+ 62.93 грн
25+ 53.87 грн
100+ 41.23 грн
250+ 40.67 грн
500+ 36.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN3R804NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN3R804NC,L1XHQ(OToshibaMOSFETs Silicon N-channel MOS - Automotive Version
товару немає в наявності
XPN536156.250000IRenesas Electronics America IncDescription: CLCC 5.00X3.20X1.10 MM, 1.27MM P
товару немає в наявності
XPN536156.250000IRenesas / IDTStandard Clock Oscillators XPN536156.25000 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN6R706NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 28100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.96 грн
10+ 58.92 грн
100+ 39.74 грн
500+ 31.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN6R706NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+35.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN6R706NC,L1XHQToshibaMOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.84 грн
10+ 46.44 грн
25+ 39.96 грн
100+ 35.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN6R706NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.81 грн
10+ 93.95 грн
100+ 71.02 грн
500+ 57.59 грн
1000+ 45.65 грн
5000+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
XPN6R706NC,L1XHQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 40A 8-Pin TSOP Advance(WF) EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
XPN6R706NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN6R706NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0067 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.81 грн
10+ 93.95 грн
100+ 71.02 грн
500+ 57.59 грн
1000+ 45.65 грн
5000+ 44.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
XPN716156.253906IRenesas ElectronicsStandard Clock Oscillators XPN716156.25390 PROGRAMMABLE XO
товару немає в наявності
XPN7R104NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 11845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119 грн
10+ 72.97 грн
100+ 49 грн
500+ 36.33 грн
1000+ 33.22 грн
2000+ 30.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
XPN7R104NC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 20A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1290 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
XPN7R104NC,L1XHQToshibaMOSFETs 65W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 2611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.81 грн
10+ 72.97 грн
25+ 61.96 грн
100+ 45.71 грн
250+ 45.21 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 31.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN7R104NC,L1XHQ(OToshibaPOWER MOSFETs Silicon N-channel MOS - AUTOMOTIVE
товару немає в наявності
XPN7R104NC,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.68 грн
10+ 82.8 грн
100+ 62.34 грн
500+ 50.57 грн
1000+ 40.06 грн
5000+ 39.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
XPN9R614MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
XPN9R614MC,L1XHQToshibaMOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.36 грн
10+ 80.47 грн
25+ 63.66 грн
100+ 53.16 грн
250+ 49.89 грн
500+ 42.16 грн
1000+ 37.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
XPN9R614MC,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.37 грн
10+ 76 грн
100+ 51.11 грн
500+ 37.96 грн
1000+ 34.74 грн
2000+ 32.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
XPND600Apex Tool GroupScrewdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers Precision Nutdriver 6 Piece Set
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
XPND600Apex Tool GroupDescription: NUT DRIVER SET W/CASE 6PC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XPNX392PB5S5100Belden Inc.Description: FLEXPON HOUSE BOX W/100F OF QP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності