Продукція > XP4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP4024EMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.99 грн
13+ 64.25 грн
100+ 40.44 грн
500+ 31.35 грн
1000+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
XP4024EMXSEMIDescription: XSEMI - XP4024EM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.5 A, 0.0045 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: SOIC
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.71 грн
500+ 34.08 грн
1000+ 26.96 грн
3000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4024GEMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26.1 A PMPAK-5x6
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.4 грн
10+ 97.12 грн
100+ 67.35 грн
250+ 62.1 грн
500+ 56.35 грн
1000+ 51.03 грн
3000+ 44.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26.1A 60A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.1A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 36.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.02 грн
10+ 87.09 грн
100+ 69.28 грн
500+ 55.01 грн
1000+ 46.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4024GEMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4024GEMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0035 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4024 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+130.57 грн
10+ 99.52 грн
100+ 69.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP4052CMTYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.25 грн
10+ 174.36 грн
100+ 128.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
XP4060CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4060CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00225 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4060C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00225ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+128.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4060CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 37A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.01 грн
10+ 204.86 грн
100+ 142.65 грн
500+ 117.1 грн
1000+ 97.23 грн
3000+ 86.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4060CMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.28 грн
10+ 165.97 грн
100+ 132.1 грн
500+ 104.89 грн
1000+ 89 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.39 грн
10+ 90.19 грн
100+ 70.14 грн
500+ 55.79 грн
1000+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4062CMTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.03 грн
10+ 101.21 грн
100+ 68.63 грн
500+ 57.7 грн
1000+ 49.33 грн
3000+ 41.87 грн
9000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 26A 58A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1488 pF @ 25 V
товару немає в наявності
XP4062CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4062CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4062C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.94 грн
10+ 103.5 грн
100+ 77.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119 грн
10+ 94.78 грн
100+ 75.45 грн
500+ 59.92 грн
1000+ 50.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4064CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.9 грн
10+ 53.54 грн
500+ 44.57 грн
6000+ 15.83 грн
9000+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 31.5A 78A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.5A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2048 pF @ 25 V
товару немає в наявності
XP4064CMTXSemiMOSFET N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.17 грн
10+ 106.1 грн
100+ 73.1 грн
250+ 67.99 грн
500+ 61.39 грн
1000+ 55.57 грн
3000+ 48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4064CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4064CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0031 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4064C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.72 грн
10+ 108.28 грн
100+ 79.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.39 грн
10+ 90.19 грн
100+ 70.14 грн
500+ 55.79 грн
1000+ 45.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4072CMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 52 A, 0.0045 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4072C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.94 грн
10+ 103.5 грн
100+ 77.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4072CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 23.4A 52A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.4A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1232 pF @ 25 V
товару немає в наявності
XP4072CMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 23.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.86 грн
10+ 37.14 грн
100+ 20.87 грн
500+ 15.97 грн
1000+ 14.34 грн
3000+ 14.27 грн
6000+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP408AB
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP40M00000S408TGSDescription: CRYSTAL 40MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 40 MHz
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.16 грн
Мінімальне замовлення: 2000
XP40P03GIYAGEOArray
товару немає в наявності
XP40T03GPYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4111PANASONIC99+ SOT-323-6
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4112
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4113Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4113-TXPANASONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4114Panasonic04+ SOT-363
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4115
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4115(TX)panasonic
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4115-(TX)panasonic05+
на замовлення 1876 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4116
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4116-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4117
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4132-(TX)
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4210
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211Panasonic
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211PANAS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211 / 9VPanasonic
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211-(TX)Panasonic
на замовлення 63718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4211-(TX)(9V)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4212
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4212-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4212-(TX)(8R)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213
Код товару: 168732		Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
XP4213-(TX)PANASONICSOT26/
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213-(TX)MAT
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4213-(TX).SOPANASOT26/SOT363
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214PAN06+ SOT-363
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214PANPSONIC09+
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214-(TX).SO
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4214-TX
на замовлення 2738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215panasonic
на замовлення 1515 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX)Panasonic
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX)(8T)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX).MTPANASONICSOT363-8T
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4215-(TX).MT SOT363-8TPANASONIC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4216
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4216-(TX)
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4216-X
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP42AZ11Saia-BurgessBasic / Snap Action Switches Door switch
товару немає в наявності
XP4311 / 7XPanasonic
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311-(TX)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311-(TX)(7X)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311-TXPANASONIC09+
на замовлення 5918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4311/7X
на замовлення 11187 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)PANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)PANASONICSOT363
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ERPANASONICSOT363-7T
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ER SOT363-7TPANASONIC
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).ERSOT363-7TPANASONIC
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX).SO
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-(TX)/7T
на замовлення 48700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TXPANASONICSOT23-6
на замовлення 2614 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TXPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TXPANASONIC05+PB
на замовлення 4412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4312-TX.SO
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313PAN07+ SOT-363
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313PAN09+
на замовлення 25818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)PANASONICSOT363
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)PANASONIC09+
на замовлення 12038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)PANASONICSOT363-BZ
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX) SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-(TX)SOT363-BZPANASONIC
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313-TX
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4313/BZ
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314PANPSONIC09+
на замовлення 72018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314-CTX7
на замовлення 17754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314/CAPANASONIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4314\CAPanasonicSOT-363
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4315PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4315-TXPANPSONIC09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4316PAN
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4316(TX)PANASONIC
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4316-TXPANASONIC09+
на замовлення 3068 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401PANAS
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401
Код товару: 168734		Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
XP4401(TX)Panasonic
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-(TX)(5K)
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-(XT)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401-XT
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401/5KPANASONIC09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4401TX
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4402
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4402/0H
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4414-TX
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4459MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.15 грн
12+ 72.37 грн
100+ 52.23 грн
500+ 41.1 грн
1000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
XP4459MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459M - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.3 A, 0.0135 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.23 грн
500+ 41.1 грн
1000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4459YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4459YTYAGEO XSemiMOSFET P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.47 грн
10+ 88.15 грн
100+ 59.9 грн
500+ 50.74 грн
1000+ 41.31 грн
3000+ 38.89 грн
6000+ 37.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP4459YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4459YT - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.7 A, 0.0135 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4459 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.63 грн
10+ 90.76 грн
100+ 67.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP4501
Код товару: 168735		Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
XP4501(TX)PANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)PANASONICSOT36
на замовлення 707 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)(5H)
на замовлення 3046 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-(TX)/XP0450
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-TXPANASONICSOT363-5H
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-TX SOT363-5HPANASONIC
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-WPANASONICSOT26/
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501-WPANASONICSOT23
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4501/5HPANASONIC09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4506PANASONIC
на замовлення 14480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.07 грн
10+ 97.51 грн
100+ 77.62 грн
500+ 61.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4509AGM - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 11.2 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4509A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.88 грн
10+ 112.26 грн
100+ 79.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
XP4509AGMYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N AND P-CH 30V 11.2A 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140pF @ 25V, 2000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V, 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
XP4509AGMYAGEO XSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.62 грн
10+ 111.82 грн
100+ 77.36 грн
250+ 70.97 грн
500+ 64.65 грн
1000+ 58.62 грн
3000+ 50.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4525GEHYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4525GEMYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4601PAN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-(TX)PanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
XP4601-(TX)(5C)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-(TX)/5CPANASONIC
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-TXPANASONIC
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-TX/5C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601-ЈЁTXЈ©.SO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601/5CPANASONIC
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4601CTPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
XP4601TRPanasonicBipolar Transistors - BJT Discrete Semiconductor Products Transistors (BJT) - Arrays - TRANS ARRAY PNP/NPN SMINI-6P
товару немає в наявності
XP4604IYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4608PYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4608SYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4654
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4654-(TX)PANASONICSOT23-6
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4878/7Y
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4M32LPTRIDENTBGA
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
XP4N2R1MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.79 грн
10+ 220.37 грн
25+ 180.27 грн
100+ 154.72 грн
250+ 146.2 грн
500+ 136.97 грн
1000+ 123.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.28 грн
10+ 202.71 грн
100+ 164 грн
500+ 136.8 грн
1000+ 117.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R1MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R1MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 170 A, 0.0021 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R1 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.62 грн
10+ 202.22 грн
100+ 164.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4N2R1MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 33.8A PMPAK-5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9056 pF @ 20 V
товару немає в наявності
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
товару немає в наявності
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+126.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4N2R5MTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 75A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.8A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6080 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.98 грн
10+ 163.6 грн
100+ 130.23 грн
500+ 103.41 грн
1000+ 87.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R5MTYAGEO XSemiMOSFET N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.28 грн
10+ 177.11 грн
100+ 122.07 грн
250+ 112.84 грн
500+ 102.2 грн
1000+ 88 грн
3000+ 83.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4N2R5MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N2R5MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 125 A, 0.00255 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4N2R5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00255ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.27 грн
10+ 172.77 грн
100+ 126.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4N4R2HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4N4R2H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0042 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4N4R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.75 грн
10+ 131.37 грн
100+ 95.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.08 грн
10+ 252.38 грн
100+ 204.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 49A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.2 грн
10+ 274.23 грн
25+ 224.98 грн
100+ 193.04 грн
250+ 182.4 грн
500+ 171.75 грн
1000+ 146.2 грн
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 49A 223A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Ta), 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 20 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.62 грн
10+ 249.36 грн
100+ 201.74 грн
500+ 168.28 грн
1000+ 144.09 грн
XP4NA1R4CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NA1R4CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 223 A, 0.0014 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 223A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NA1R4C Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
XP4NA1R5HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 45A SPPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7136 pF @ 30 V
товару немає в наявності
XP4NA1R6HCMTYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA1R8MT-AYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 36.5A SPPAK5X6
Packaging: Tube
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.28mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 96.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SPPAK 5X6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
XP4NA2R4HYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA2R4ITYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA2R4PYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA2R6CMTYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA2R8MTYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA3R3ITYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA3R5HCSTYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA3R8HYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NA3R8H-ATYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NAR72CXTYAGEOArray
товару немає в наявності
XP4NAR85CMTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
XP4NAR85CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
товару немає в наявності
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.51 грн
10+ 316.07 грн
100+ 229.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
товару немає в наявності
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.72 грн
10+ 293.5 грн
100+ 212.07 грн
500+ 166.36 грн
1000+ 161.38 грн
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.69 грн
10+ 340.34 грн
25+ 278.92 грн
100+ 239.17 грн
250+ 225.69 грн
500+ 212.2 грн
1000+ 182.4 грн
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.95 грн
10+ 39.91 грн
100+ 25.9 грн
500+ 20.3 грн
1000+ 15.68 грн
3000+ 14.34 грн
9000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
Linsenfarbe: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: 230V
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: 1W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP67
Außenhöhe: 35mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: -
Linsendurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3151.18 грн
5+ 2784.95 грн
10+ 2494.35 грн