Продукція > TJ8

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TJ8EatonTerminal Block Tools & Accessories 2P JUMPER FOR TBDT3
товару немає в наявності
TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату
Код товару: 116901		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші
товару немає в наявності
TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату
товару немає в наявності
TJ8-6P6C Розетка 6Р6С тип 8 на плату
товару немає в наявності
TJ8-6P6C розетка на плату
Код товару: 113967		Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
товару немає в наявності
TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIBOMEGADescription: OMEGA - TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIB - Thermoelement, K, Inconel, 80 ", 2.03 m
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 3
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 76.2
Sensorgehäusematerial: Inconel
Anschlusslänge - metrisch: 2.03
Anschlusslänge - imperial: 80
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 116
Erfassungstemperatur, min.: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 2.95
Erfassungstemperatur, max.: -
Produktpalette: Produktreihe TJ80
Thermoelement: K
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-MOMEGADescription: OMEGA - TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-M - Thermoelement, J, Edelstahl, 80 ", 2.03 m
tariffCode: 90259000
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 17
rohsCompliant: NO
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 431.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: 2.03
Anschlusslänge - imperial: 80
usEccn: EAR99
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 18
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 457.2
Erfassungstemperatur, max.: -
Produktpalette: Produktreihe TJ80
productTraceability: No
Thermoelement: J
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5569.1 грн
TJ8002
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ80110C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ80110H
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.91 грн
10+ 65.5 грн
100+ 50.99 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 33.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+103.46 грн
127+ 96.05 грн
174+ 69.99 грн
200+ 63.77 грн
500+ 49.36 грн
1000+ 46.34 грн
2000+ 45.3 грн
4000+ 44.26 грн
Мінімальне замовлення: 118
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
товару немає в наявності
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TJ80S04M3L,LXHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
TJ80S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
TJ80S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
TJ80S04M3L,LXHQToshibaMOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 6292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.75 грн
10+ 94.68 грн
25+ 74.52 грн
100+ 60.61 грн
250+ 57.34 грн
500+ 48.33 грн
1000+ 44.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
TJ80S04M3L,LXHQ(OToshibaTJ80S04M3L,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+71.99 грн
177+ 68.77 грн
250+ 66.01 грн
500+ 61.35 грн
1000+ 54.96 грн
Мінімальне замовлення: 170
TJ8200
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8203
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8208
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8504
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8603-5
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8605-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8703
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8708
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8727-1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8761
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8ETOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ8S06M3LTOSHIBADescription: TOSHIBA - TJ8S06M3L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.19 грн
50+ 62.42 грн
100+ 55.57 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
TJ8S06M3LTOSHIBADescription: TOSHIBA - TJ8S06M3L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.57 грн
500+ 43.77 грн
1000+ 32.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+125.77 грн
134+ 91.39 грн
174+ 69.99 грн
200+ 67.29 грн
500+ 49.08 грн
1000+ 42.34 грн
Мінімальне замовлення: 97
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
на замовлення 11209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.33 грн
10+ 78.19 грн
25+ 64.73 грн
100+ 49.4 грн
250+ 47.62 грн
500+ 39.11 грн
1000+ 34.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
товару немає в наявності
TJ8S06M3L,LXHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
TJ8S06M3L,LXHQToshibaMOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 48078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.56 грн
10+ 58.52 грн
100+ 35.27 грн
250+ 33.57 грн
500+ 28.03 грн
1000+ 25.05 грн
2000+ 22.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
TJ8S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
TJ8S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
TJ8S06M3L,LXHQ(OToshibaSilicon P-Channel MOS Automotive AEC-Q101
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+35.65 грн
356+ 34.21 грн
500+ 32.98 грн
1000+ 30.77 грн
Мінімальне замовлення: 342
TJ8S06M3L,LXHQ(OToshibaSilicon P-Channel MOS Automotive AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+35.65 грн
356+ 34.21 грн
500+ 32.98 грн
1000+ 30.77 грн
2500+ 27.64 грн
Мінімальне замовлення: 342