Продукція > SUG

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SUG

Skyworks

SOT-143

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUG-288

Essentra

товар відсутній

SUG-415A

на замовлення 750 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SUG80050E-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	416.14 грн
10+	302.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUG80050E-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V

на замовлення 1122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.77 грн
10+	281.74 грн
100+	227.93 грн
500+	190.14 грн
1000+	162.81 грн

SUG80050E-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

SUG80050E-GE3

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUG80050E-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247

на замовлення 782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.83 грн
10+	322.45 грн
25+	265.18 грн
100+	226.78 грн
250+	222.43 грн
500+	210.84 грн
1000+	195.62 грн

SUG80050E-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247

товар відсутній

SUG80050E-GE3

VISHAY

товар відсутній

SUG90090E-GE3

VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SUG90090E-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 287-296 дні (днів)

2+	331.35 грн
10+	274.13 грн
25+	225.33 грн
100+	193.45 грн
250+	182.58 грн
500+	171.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

SUG90090E-GE3

Vishay

Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

товар відсутній

SUG90090E-GE3

VISHAY

товар відсутній

SUG90090E-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0079 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.75 грн
10+	259.28 грн
100+	219.45 грн
500+	184.15 грн
1000+	147.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

SUG90090E-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V

на замовлення 380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)