Продукція > STY
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STY | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE TRON BOX COVER UNIT | товар відсутній | |||||||||||||||
STY | Bussmann / Eaton | Control Switches STY | товар відсутній | |||||||||||||||
STY100NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY100NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N CH 600V 98A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 50 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY100NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600V 0.025 Ohm 98A MDmesh II FET | на замовлення 557 шт: термін постачання 952-961 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY100NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 98A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY100NS20FD | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 200V 100A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET | на замовлення 272 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 110A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY112N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STY112N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 96 A, 0.019 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 96A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 96A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16870 pF @ 100 V | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 61A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 61A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 22mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY112N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY112N65M5 (транзистор) Код товару: 52936 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||
STY130NF20D | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 200V 130A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY130NF20D | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY130NF20D | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 200V 0.01 Ohm 130A STripFET II | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
STY139N65M5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STY139N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 130 A, 0.014 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 78A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | товар відсутній | |||||||||||||||
STY139N65M5 Код товару: 60140 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 130A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 363 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 100 V | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 78A; 625W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 78A Power dissipation: 625W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 17mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
STY139N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 130A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY140NS10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY140NS10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 140A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 600 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY140NS10 | module | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
STY140NS10 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 100 Volt 140 A | товар відсутній | |||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5 | на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247 Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: MDmesh™ V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Case: MAX247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 87A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 650V 138A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 414 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18500 pF @ 100 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY145N65M5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 87A; 625W; MAX247 Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: MDmesh™ V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Mounting: THT Case: MAX247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 87A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
STY145N65M5-ES | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 138A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY15NA100 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY16NA90 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY16V | на замовлення 49500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY16VD | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY16VTA | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY25NA60 | ST | TO-247 | на замовлення 502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
STY26600 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY30N50E | onsemi | Description: NFET T0264 SPCL 500V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 5550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY30N50E | на замовлення 35150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY30NA50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 500V 30A 3-Pin(3+Tab) Max247 | товар відсутній | |||||||||||||||
STY30NK90Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 900V 26A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 490 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY30NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 26A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY30NK90Z | на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY34NB50 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 34A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY34NB50 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 34 Amp | товар відсутній | |||||||||||||||
STY34NB50 Код товару: 160783 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
STY34NB50F | STMicroelectronics | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
STY34NB50F | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 1050 V, 0.110 Ohm typ 46 A MDmesh DK5 Power MOSFET | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1050V 44A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 46A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Technology: SuperMESH5™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Case: MAX247 | товар відсутній | |||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 1050V; 46A; 625W Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 46A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Technology: SuperMESH5™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Case: MAX247 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
STY50N105DK5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.05KV 46A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NA20 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY60NA30 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY60NK30Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247 Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: MAX247 Drain-source voltage: 300V Drain current: 37.5A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NK30Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37.5A; 450W; MAX247 Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ESD protected gate Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: MAX247 Drain-source voltage: 300V Drain current: 37.5A On-state resistance: 45mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NK30Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NK30Z Код товару: 11235 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
STY60NK30Z | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STY60NK30Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 60 A, 0.033 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Bauform - Transistor: MAX-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NK30Z | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 300 Volt 60 Amp Zener SuperMESH3 | на замовлення 599 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NK30Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 300V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NK30Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STY60NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 60 A, 0.05 ohm, MAX-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 560W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | на замовлення 595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V | на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM50 | на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | |||||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247 Kind of package: tube Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 37.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Case: MAX247 On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 60 Amp | товар відсутній | |||||||||||||||
STY60NM60 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.8A; Idm: 60A; 460W; MAX247 Kind of package: tube Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 460W Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 37.8A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Case: MAX247 On-state resistance: 55mΩ Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
STY80NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 74A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY80NM60N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 74A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
STY80NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 74A Power II Mdmesh | товар відсутній | |||||||||||||||
STY80NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 74A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 447W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS 720 | Interlight | Description: Replacement for Olympus Stylus 7 Packaging: Retail Package Accessory Type: Replacement Battery Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS 720SW | Interlight | Description: Replacement for Olympus Stylus 7 Packaging: Retail Package Accessory Type: Replacement Battery Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS 730 | Interlight | Description: Replacement for Olympus Stylus 7 Packaging: Retail Package Accessory Type: Replacement Battery Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS-1 | Banner Engineering Corporation | Description: STYLUS FOR IVU TOUCH SCREEN (1 O Packaging: Box For Use With/Related Products: Ivu Touch Screen Accessory Type: Stylus | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS-1 | Banner Engineering | Banner Engineering Stylus for iVu touch screen (1 only) | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS-10 | Banner Engineering | Test Accessories - Other Stylus for iVu touch screen (pack of 10) | товар відсутній | |||||||||||||||
STYLUS-CAP | Brady Corporation | Description: STYLUS FOR CAPACITIVE DISPLAYS Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Capacitive Touchscreens Accessory Type: Stylus Part Status: Active | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
STYN1640 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
STYN616 | SIRECTIFIER | It=16A; Vdrm=600V; Igt=25mA; Replacement for: TYN616RG; STYN616 SIRECTIFIER TY016tyn616 SIR кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|