НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RUU002N05
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUU002N05T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
товар відсутній
RUU002N05T106ROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+25.95 грн
18+ 18.75 грн
100+ 6.16 грн
1000+ 4.71 грн
3000+ 3.62 грн
9000+ 3.26 грн
24000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 14
RUU002N05T106
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RUU002N05T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.3 грн
19+ 16.08 грн
100+ 8.1 грн
500+ 6.2 грн
1000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 13