Продукція > NVF
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NVF2201NT1G | ON Semiconductor | MOSFET NFET SC70 20V 300MA 1.0OH | на замовлення 6082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NVF2201NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF2201NT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A Automotive 3-Pin SC-70 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF2201NT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF2955PT1G | onsemi | Description: MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF2955T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A Power dissipation: 2.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 154mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 750mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 2.3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.6A Power dissipation: 2.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 154mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | ON-Semicoductor | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 185mOhm; 2,6A; 2,3W; -55°C ~ 175°C; NVF2955T1G TNVF2955t кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | onsemi | MOSFETs PFET SOT223 60V 2.6A 140M | на замовлення 11154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF2955T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVF2955T1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.145 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3-MOH-5/2-K-1/4-EX | Festo Corporation | Description: SOLENOID VALVE Packaging: Bulk Part Status: Active For Use With/Related Products: Solenoid Valve Mounting Type: Chassis Mount Function: 3/2, 5/2 Operating Pressure: 29 ~ 145 PSI (2 ~ 10 bar) Type: Solenoid Valve Connection Method: Threaded Fluid Type: Air | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055-100T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055-100T1G | ON Semiconductor | на замовлення 355 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NVF3055-100T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055-100T1G | onsemi | MOSFET NFET 60V 3A 0.100R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055-100T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055-100T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | onsemi | MOSFETs NFET 60V 3A 0.120R | на замовлення 11713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.092 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 37079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVF3055L108T1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.092 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T1G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.4A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | onsemi | MOSFET NFET 60V 3A 0.120R | на замовлення 5321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF3055L108T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-1AZ40a1DC12V1.6 | Forward Relays | 40A; 12V; SPST-NO; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm NV4-1AZ40a DC12 automotoive relay P NVF4-1AZ40a-12 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-1AZ40a1DC12V1.6 | Forward Relays | 40A; 12V; SPST-NO; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm NV4-1AZ40a DC12 automotoive relay P NVF4-1AZ40a-12 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 360 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-1CZ30a1DC12V1.6 | Forward Relays | 30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4 NFV4-1-CZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-1CZ30a-12 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-1CZ30a1DC12V1.6 | Forward Relays | 30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4 NFV4-1-CZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-1CZ30a-12 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2A-Z40A | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
NVF4-2ACZ30A1DC12V1.6 | Ningbo Forward Relay | Реле потужне; Iк = 40 А; Uн, В = 12; Р, Вт = 1,6; 26.5х24.5mm | на замовлення 336 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2AZ40a1DC12V1.6 | Forward Relays | 40A; 12V; SPST-NO; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm NFV4-2AZ40a 12VDC automotive relay P NVF4-2AZ40a-12 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 260 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2C-Z30A 12VDC (реле) Код товару: 61296 | Реле | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
NVF4-2CZ30a1DC12V1.6 | Forward Relays | 30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 12VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-12 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3680 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2CZ30a1DC12V1.6 | Forward Relays | 30A; 12V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 12VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-12 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2CZ30aDC24V Код товару: 60504 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||||
NVF4-2CZ30aDC24V1.6 | Forward Relays | 30A; 24V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 24VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-24 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2CZ30aDC24V1.6 | Forward Relays | 30A; 24V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 24VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-24 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-2CZ30aDC24V1.6 | Forward Relays | 30A; 24V; SPDT; coil power 1,6W; 26,5 x 26,5 x 24,5(+16)mm QC; equivalent: HFV4, GRL, CB, V23076, AZ973/972, G8L, VF4; plastic shrouded NVF4-2-CZ30a 24VDC automotive relay P NVF4-2CZ40a-24 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-7AZ70aDC12V1.6 | Forward Relays | 70A; 12V; SPST-NO; coil power 1.6W 26,5 x 26,5 x 25,2mm QC NVF4-7AZ70a 12VDC automotive relay P NVF4-7AZ70a-12 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-S1 SOCKET | Forward Relays | for relays: NVF4, HFV4 NVF4 socket P gNVF4 кількість в упаковці: 84 шт | на замовлення 758 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF4-S1 SOCKET | Forward Relays | for relays: NVF4, HFV4 NVF4 socket P gNVF4 кількість в упаковці: 84 шт | на замовлення 1008 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF5P03T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF5P03T3G | ON Semiconductor | MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET | на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NVF5P03T3G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF5P03T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5.2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF5P03T3G | onsemi | MOSFETs AUTOMOTIVE MOSFET | на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF5P03T3G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 76000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | ON Semiconductor | на замовлення 1204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | onsemi | MOSFETs POWER MOSFET | на замовлення 6613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 79603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 10A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||||
NVF6P02T3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVF6P02T3G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10 A, 0.044 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 8.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NVFSA30DC24V | Forward Relays | 30A; 24V; SPST-NO; coil power 1,8W; 36,6 x 25,2 x 21mm PCB NVFS-A30/024 automotive relay P NVFS-A30/024 кількість в упаковці: 20 шт | на замовлення 220 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|