Продукція > NTN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTN-5K-148 | MEAN WELL | Power Inverters 4000W 48Vdc In100A 110VAC out W/MODBus protocol, AC Charger/UPS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-5K-148CAN | MEAN WELL | Power Inverters 4000W 48Vdc In100A 110VAC out W/CANBus protocol, AC Charger/UPS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-5K-224 | MEAN WELL | Category: Car Power Supplies and Converters Description: Converter: DC/AC; 5000W; Uout: 230VAC; 20÷33VDC; 460x211x83.5mm Supply voltage: 20...33V DC Operating temperature: -30...70°C Efficiency: 91% Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; fuse; overheating OTP; short circuit protection SCP Body dimensions: 460x211x83.5mm Additional functions: charging acid-lead batteries; UPS Application: photovoltaics Converter features: pure sinusoid Type of converter: DC/AC Output voltage: 230V AC Output power peak: 7000W Distortion of sinusoidal waveform: ≤3% Kind of input connector: screw terminals Output power: 5000W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-5K-224 | MEAN WELL USA Inc. | Description: I/P +24V240A Packaging: Box Voltage - Output: 230VAC Voltage - Input: 24VDC AC Outlets: Hardwire Type: Inverter, UPS Size: 18.11" L x 8.31" W x 3.29" H (460mm x 211mm x 84mm) Connector - AC Output: None (Hardwire) Connector - Voltage Input: Terminals Region Utilized: International Remote Capability: Yes Power - Output Continuous: 5000 W Power - Output Surge: 8000 W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-5K-224 | MEAN WELL | Power Inverters 5000W 24Vdc In 240A 230VAC out W/MODBus protocol, AC Charger/UPS | на замовлення 4 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-5K-224CAN | MEAN WELL | Power Inverters 5000W 24Vdc In 240A 230VAC out W/CANBus protocol, AC Charger/UPS | на замовлення 4 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-5K-2380 | MEAN WELL | Category: Car Power Supplies and Converters Description: Converter: DC/AC; 5000W; Uout: 230VAC; 280÷430VDC; 460x211x83.5mm Supply voltage: 280...430V DC Operating temperature: -30...70°C Efficiency: 94.5% Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; fuse; overheating OTP; short circuit protection SCP Body dimensions: 460x211x83.5mm Additional functions: charging acid-lead batteries; UPS Application: photovoltaics Converter features: pure sinusoid Type of converter: DC/AC Output voltage: 230V AC Output power peak: 7500W Distortion of sinusoidal waveform: ≤3% Kind of input connector: screw terminals Output power: 5000W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-5K-2380CAN | MEAN WELL | Power Inverters 5000W 380Vdc In 16A 230VAC out W/CANBus protocol, AC Charger/UPS | на замовлення 4 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-5K-248 | MEAN WELL | Category: Car Power Supplies and Converters Description: Converter: DC/AC; 5000W; Uout: 230VAC; 40÷66VDC; 460x211x83.5mm Supply voltage: 40...66V DC Operating temperature: -30...70°C Efficiency: 93% Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; fuse; overheating OTP; short circuit protection SCP Body dimensions: 460x211x83.5mm Additional functions: charging acid-lead batteries; UPS Application: photovoltaics Converter features: pure sinusoid Type of converter: DC/AC Output voltage: 230V AC Output power peak: 7500W Distortion of sinusoidal waveform: ≤3% Kind of input connector: screw terminals Output power: 5000W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-5K-248 | MEAN WELL | Power Inverters 5000W 48Vdc In 120A 230VAC out W/MODBus protocol, AC Charger/UPS | на замовлення 4 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-5K-248CAN | MEAN WELL | Power Inverters 5000W 48Vdc In 120A 230VAC out W/CANBus protocol, AC Charger/UPS | на замовлення 4 шт: термін постачання 231-240 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-R-100 | Eaton Bussmann | Description: BUSS NEUTRAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-100 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses NTN-R-100 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-200 | Cooper Bussmann | Dummy Fuse 200A 250V Surface Mount | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-R-200 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses NTN-R-200 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-200 | Eaton Bussmann | Description: BUSS NEUTRAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-30 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses NTN-R-30 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-30 | EATON BUSSMANN | Description: EATON BUSSMANN - NTN-R-30 - DUMMY FUSE NEUTRAL tariffCode: 85389099 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTN-R-30 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: BUSS NEUTRAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-400 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses NTN-R-400 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-400 | Eaton Bussmann | Description: BUSS NEUTRAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-60 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses NTN-R-60 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTN-R-60 | Eaton Bussmann | Description: BUSS NEUTRAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-600 | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: BUSS NEUTRAL | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTN-R-600 | Bussmann / Eaton | Specialty Fuses NTN-R-600 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
ntn80c196kc16 | INTEL | на замовлення 1648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NTN9392B | Motorola | Description: SWIVEL BELT CLIP FOR TALKABOUT R Packaging: Box For Use With/Related Products: Talkabout Radios Accessory Type: Belt Clip Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTND31015NZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.3pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-XLLGA (0.9x0.65) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTND31015NZTAG | onsemi | MOSFET NFET XLLGA6 20V 200M | на замовлення 107222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31015NZTAG | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.2A 6XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.3pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-XLLGA (0.9x0.65) Part Status: Active | на замовлення 7354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31200PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH Packaging: Bulk | на замовлення 436421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31200PZTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTND31200PZTAG - NTND31200PZTAG, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 436421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31211PZTAG | onsemi | Description: MOSFET P-CH Packaging: Bulk | на замовлення 597651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31215CZTAG | onsemi | Description: NTND31215 - COMPLEMENTARY, SMALL Packaging: Bulk | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31225CZTAG | onsemi | MOSFET T1 XLLGA6 DUAL | на замовлення 7500 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTND31225CZTAG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), 127mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-XLLGA (0.9x0.65) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTND31225CZTAG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6-Pin XLLGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTND31225CZTAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTND31225CZTAG - COMPLEMENTARY SMALL SIGNAL MOSFET 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTND31225CZTAG | onsemi | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 125mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta), 127mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.3pF @ 15V, 12.8pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V, 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-XLLGA (0.9x0.65) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTND31225CZTAG | ON Semiconductor | на замовлення 15433 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NTND3184NZTAG | ON Semiconductor | MOSFET NFET XLLGA6 20V | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNS0K8N021ZTCG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN | на замовлення 37232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS0K8N021ZTCG | onsemi | MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM | на замовлення 6560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS0K8N021ZTCG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS0K8N021ZTCG | ON Semiconductor | на замовлення 7920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NTNS0K8N021ZTCG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS0K8N021ZTCG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 220 mA, 0.8 ohm, XDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS155N03CTCG | onsemi | Description: NTNS155N03CTCG Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS2K1P021ZTCG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 127 mA, 2.1 ohm, XDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XDFN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 127MA 3XDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 125mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XDFN (0.42x0.62) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 15 V | на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS2K1P021ZTCG | onsemi | MOSFET T1 XDFN3L 0.62X0.42 MM | на замовлення 6926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS31315NZTCG | ON Semiconductor | Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA, Single N-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS31350PZTCG | ON Semiconductor | Small Signal MOSFET -20 V, -127 mA, Single P-Channel | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.361A 3-Pin XDFN T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.361A 3-Pin XDFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | ON Semiconductor | на замовлення 4928 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 361mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 155mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 361mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | на замовлення 248000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | onsemi | MOSFET NFET SOT883 20V 245MA 1.5 | на замовлення 14346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.361A 3-Pin XDFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 361mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 155mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3164NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 361mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V | на замовлення 256586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3166NZT5G | onsemi | MOSFET NFET SOT883 20V 361MA 0.7 | на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3166NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3166NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3166NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3190NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3190NZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6235743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3190NZT5G | onsemi | MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA 1.4 | на замовлення 6653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3190NZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3190NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 0.75 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 6235743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3190NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3193NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V | на замовлення 38710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3193NZT5G | onsemi | MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA | на замовлення 33702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3193NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 20V 224MA 3XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 224mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.8 pF @ 15 V | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3193NZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.224A 3-Pin XLLGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A65PZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.281A 3-Pin XDFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A65PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A65PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A65PZT5G | onsemi | MOSFET PFET SOT883 20V 235MA | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNS3A65PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V | на замовлення 315809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A65PZT5GHW | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 155mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A67PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V SOT883 Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active | на замовлення 35963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A67PZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3A67PZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 78986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A67PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A67PZT5G | onsemi | MOSFET PFET SOT883 20V 281MA 1.3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A67PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET PFET XLLGA3 20V 2A 1.6OHM | на замовлення 6482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 121mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | на замовлення 352961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 121mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 223A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 121mW Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 359840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.223A 3-Pin XLLGA T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 223MA 3XLLGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFLGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 121mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A91PZT5G. | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3A91PZT5G. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 223 A, 0.0016 ohm, XLLGA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 223 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 euEccn: NLR Verlustleistung: 121 Bauform - Transistor: XLLGA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A92PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3 Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1072000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A92PZT5G | onsemi | MOSFET PFET XLLGA3 20V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3A92PZT5G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3A92PZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3A92PZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 816000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3C68NZT5G | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL SMALL SIGNAL MO Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 269117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3C94NZT5G | ON Semiconductor | MOSFET 12V 480 mo SMALL SIGNAL MOSFET | на замовлення 10276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNS3C94NZT5G | ON Semiconductor | SMALL SIGNAL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3C94NZT5G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 12V 384MA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 384mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 120mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 3-XLLGA (0.62x0.62) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35 pF @ 9.6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS3CS68NZT5G | onsemi | Description: 4.3A, 20V, 0.06OHM, 2-ELEMENT, N Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3CS68NZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNS3CS68NZT5G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS3CS94NZT5G | onsemi | Description: 2.8A, 20V, 0.09OHM, N-CHANNEL MO Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS41006PZTCG | ON Semiconductor | Small Signal MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNS41006PZTCG | onsemi | Description: NTNS41006 - SINGLE P?CHANNEL SMA Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS41S006PZTCG | onsemi | Description: NTNS41S006PZ - MOSFET 3-SON Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS4CS69NTCG | Fairchild Semiconductor | Description: NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 228155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNS4CS69NTCG | onsemi | Description: NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE Packaging: Bulk DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 3457078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNTP30N06LG | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 7235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123 | на замовлення 324166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor | на замовлення 2496 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 150MA SOT1123 | на замовлення 324166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 0.15A 3-Pin SOT-1123 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTNUS3171PZT5G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 mA, 2 ohm, SOT-1123, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 125mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | на замовлення 7235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
NTNUS3171PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET T1 20V P-CH SOT-1123 | на замовлення 3882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
NTNZYY01GLITE | на замовлення 407 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |