Продукція > MTY
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MTY100N10 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY100N10E | MOT | 9918+ DIP | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
MTY100N10E | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
MTY100N10E | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10640 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||
MTY10N100E | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY10N100E/D | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY14N100 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY14N100E | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
MTY14N100E | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY150A | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY16N50E/D | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY16N80E | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY2-243+ | Mini-Circuits | Signal Conditioning MMIC TRANSFORMER | на замовлення 668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
MTY2-243+ | Mini-Circuits | Description: 1:2 MMIC TRANSFORMER, 10000 - 24 Packaging: Bag Package / Case: 6-TDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 10GHz ~ 24GHz Impedance - Unbalanced/Balanced: 1:2 Insertion Loss (Max): 2.2dB Phase Difference: 6.4° | на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
MTY2-243+ | Mini-Circuits | MMIC Balun RF Transformer QFN-6 (2x21mm) 2:1 50 Ohm 10-24 GHz | на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
MTY20N50E/D | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY250A | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY25N50E/D | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY25N60E | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY25N60E | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10220 pF @ 25 V | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
MTY25N60ECX | на замовлення 4164 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY30N25E | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY30N50 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY30N50E | ON | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
MTY30N50E | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-264 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10080 pF @ 25 V | на замовлення 7932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
MTY30N50E Код товару: 23918 | Motorola | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-264 Uds,V: 500 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7200/235 Монтаж: THT | товар відсутній | |||||||||||||||||
MTY50N50 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY55N20E | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
MTY6720 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |