Продукція > MMR
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMR-24RK-SR5-K-J-B-0-T | MACOM Technology Solutions | Description: RES SMD 24K OHM 10% 0303 Tolerance: ±10% Features: RF, High Frequency Packaging: Tray Package / Case: 0303 (0808 Metric) Temperature Coefficient: ±150ppm/°C Size / Dimension: 0.030" L x 0.030" W (0.76mm x 0.76mm) Composition: Thick Film Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0303 Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm) Part Status: Active Resistance: 24 kOhms | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR-6 Фіксатор міжплатний самоклейкий h=6,4 мм за 100 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
MMR-8R0K-SR5-K-K-B-0-T | MACOM Technology Solutions | Description: RES SMD 8K OHM 10% 0303 Tolerance: ±10% Features: RF, High Frequency Packaging: Tray Package / Case: 0303 (0808 Metric) Temperature Coefficient: ±150ppm/°C Size / Dimension: 0.030" L x 0.030" W (0.76mm x 0.76mm) Composition: Thick Film Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0303 Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm) Part Status: Active Resistance: 8 kOhms | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR-8R0K-SR5-K-K-G-0-T | MACOM Technology Solutions | Description: RES SMD 8K OHM 10% 0303 Tolerance: ±10% Features: RF, High Frequency Packaging: Tray Package / Case: 0303 (0808 Metric) Temperature Coefficient: ±150ppm/°C Size / Dimension: 0.030" L x 0.030" W (0.76mm x 0.76mm) Composition: Thick Film Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0303 Height - Seated (Max): 0.010" (0.26mm) Part Status: Active Resistance: 8 kOhms | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR-NV2242-256 | Cytron Technologies Sdn Bhd | Description: 256GB NVMe 2242 SSD with RPi OS Packaging: Box Size / Dimension: 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm Memory Size: 256GB Memory Type: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) Type: NVMe PCIe Gen 3 Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 3.3V Form Factor: M.2 Module, PCIe Speed - Read: 2.25GB/s Speed - Write: 1.3GB/s | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR-NV2242-512 | Cytron Technologies Sdn Bhd | Description: 512GB NVMe 2242 SSD with RPi OS Packaging: Box Size / Dimension: 42.00mm x 22.00mm x 3.50mm Memory Size: 512GB Memory Type: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) Type: NVMe PCIe Gen 3 Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Voltage - Supply: 3.3V Form Factor: M.2 Module, PCIe Speed - Read: 2.3GB/s Speed - Write: 1.85GB/s | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR100FRE105R | YAGEO | Description: RES Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE180K | YAGEO | Description: RES Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE180R | YAGEO | Description: RES Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE1K62 | YAGEO | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE232R | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE3M92 | YAGEO | Description: RES Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE422R | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE442R | YAGEO | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE620K | YAGEO | Description: RES Packaging: Tape & Reel (TR) | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE680K | YAGEO | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR100FRE680R | YAGEO | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR14EOABJ220 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
MMR17-PDC-A230-108 | DOBRY CZAS | Monitoring relay; 3x400V/230V; 1 NO/NC; -20°C ~ 55°C; MMR17-PDC-A230-108 P MMR17DC/A230/1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDC-A230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; SPST Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting Additional functions: LED status indicator Kind of output 1: SPST Operating temperature: -20...55°C Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A Leads: screw terminals IP rating: IP20 Power supply: from tested wiring system Manufacturer series: MMR Voltage between phases (for three phase system): 3 x 400V AC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDC-A230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; SPST Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting Additional functions: LED status indicator Kind of output 1: SPST Operating temperature: -20...55°C Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A Leads: screw terminals IP rating: IP20 Power supply: from tested wiring system Manufacturer series: MMR Voltage between phases (for three phase system): 3 x 400V AC | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDE-A230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; SPST Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting Additional functions: LED status indicator Kind of output 1: SPST Operating temperature: -20...55°C Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A Leads: screw terminals IP rating: IP20 Power supply: from tested wiring system Manufacturer series: MMR Voltage between phases (for three phase system): 3 x 230...400V AC | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDE-A230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; SPST Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting Additional functions: LED status indicator Kind of output 1: SPST Operating temperature: -20...55°C Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A Leads: screw terminals IP rating: IP20 Power supply: from tested wiring system Manufacturer series: MMR Voltage between phases (for three phase system): 3 x 230...400V AC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDF-A230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; SPST Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting Additional functions: LED status indicator Kind of output 1: SPST Operating temperature: -20...55°C Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A Leads: screw terminals IP rating: IP20 Power supply: from tested wiring system Manufacturer series: MMR Voltage between phases (for three phase system): 3 x 230...400V AC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDF-A230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; SPST Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting Additional functions: LED status indicator Kind of output 1: SPST Operating temperature: -20...55°C Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A Leads: screw terminals IP rating: IP20 Power supply: from tested wiring system Manufacturer series: MMR Voltage between phases (for three phase system): 3 x 230...400V AC | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-PDS-A230-108 | DOBRY CZAS | Monitoring relay; 3x400V/230V; 1 NO/NC; -20°C ~ 55°C; MMR17-PDS-A230-108 P MMR17DS/A230/1 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-RTA-M230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: temperature monitoring relay; temperature; 24VAC,230VAC Mounting: for DIN rail mounting Manufacturer series: MMR Operating temperature: -20...45°C Kind of output 1: SPST Power supply: from tested wiring system IP rating: IP20 Supply voltage: 24V AC; 24V DC; 230V AC Leads: screw terminals Type of module: temperature monitoring relay Controlled parameter: temperature Additional functions: LED status indicator Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-RTA-M230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: temperature monitoring relay; temperature; 24VAC,230VAC Mounting: for DIN rail mounting Manufacturer series: MMR Operating temperature: -20...45°C Kind of output 1: SPST Power supply: from tested wiring system IP rating: IP20 Supply voltage: 24V AC; 24V DC; 230V AC Leads: screw terminals Type of module: temperature monitoring relay Controlled parameter: temperature Additional functions: LED status indicator Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-V1A-U230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; 12/24VAC,230VAC; MMR; SPST Mounting: for DIN rail mounting Manufacturer series: MMR Operating temperature: -20...55°C Kind of output 1: SPST Power supply: from tested wiring system IP rating: IP20 Supply voltage: 12V DC; 12/24V AC; 24V DC; 230V AC; 230V DC Leads: screw terminals Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: overvoltage; undervoltage; voltage in single-phase electric power system Additional functions: LED status indicator Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-V1A-U230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; 12/24VAC,230VAC; MMR; SPST Mounting: for DIN rail mounting Manufacturer series: MMR Operating temperature: -20...55°C Kind of output 1: SPST Power supply: from tested wiring system IP rating: IP20 Supply voltage: 12V DC; 12/24V AC; 24V DC; 230V AC; 230V DC Leads: screw terminals Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: overvoltage; undervoltage; voltage in single-phase electric power system Additional functions: LED status indicator Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-V3A-M230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; MMR Mounting: for DIN rail mounting Manufacturer series: MMR Operating temperature: -20...55°C Kind of output 1: SPST Power supply: from tested wiring system IP rating: IP20 Leads: screw terminals Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence; voltage in single-phase electric power system; voltage in three-phase electric power system Additional functions: LED status indicator Voltage between phases (for three phase system): 3 x 230...400V AC Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR17-V3A-M230-108 | DOBRY CZAS | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting; MMR Mounting: for DIN rail mounting Manufacturer series: MMR Operating temperature: -20...55°C Kind of output 1: SPST Power supply: from tested wiring system IP rating: IP20 Leads: screw terminals Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: phase asymmetry; phase sequence; voltage in single-phase electric power system; voltage in three-phase electric power system Additional functions: LED status indicator Voltage between phases (for three phase system): 3 x 230...400V AC Output 1 electrical parameters: 24V DC / 8A; 250V AC / 8A | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR25SFRE180R | YAGEO | Description: RES Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE232R | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE2K | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE2K2 | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE2K21 | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE2K7 | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE4K75 | Yageo | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR25SFRE680R | YAGEO | Description: RES | товар відсутній | |||||||||||||||
MMR50A | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
MMR902A34A I2C BOARD | Mitsumi | Pressure Sensor Development Tools Digital Output Gauge Pressure Sensor, -4kPA to 48kPA, I2C Interface + Cable | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR902A34A I2C BOARD | Mitsumi Electric Company Ltd | Description: EVAL BOARD MMR902A34A I2C Packaging: Box Function: Pressure Type: Sensor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MMR902A34A Platform: Arduino Part Status: Active | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR902A34A SPI BOARD | Mitsumi Electric Company Ltd | Description: EVAL BOARD MMR902A34A SPI Packaging: Box Function: Pressure Type: Sensor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MMR902A34A Platform: Arduino Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR902A34A SPI BOARD | Mitsumi | Pressure Sensor Development Tools Digital Output Gauge Pressure Sensor, -4kPA to 48kPA, 0.7Pa, SPI Interface + Cable | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR902A34ARE | Mitsumi | Board Mount Pressure Sensors Digital Output Gauge Pressure Sensor, -4kPA to 48kPA, I2C/SPI, 7x7x7.2mm | на замовлення 689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR906XAN BOARD | Mitsumi Electric Company Ltd | Description: EVAL BOARD MMR906XAN SPI Packaging: Box Function: Pressure Type: Sensor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MMR906XAN Platform: Arduino Part Status: Active | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR906XAN BOARD | Mitsumi | Pressure Sensor Development Tools Digital Output Gauge Pressure Sensor, -4kPA to 48kPA, 1.0Pa, SPI Interface + Cable | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR906XARE | Mitsumi | Board Mount Pressure Sensors Digital Output Gauge Pressure Sensor, -4kPA to 48kPA, SPI, 6x5x7.2mm | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04 I2C BOARD | Mitsumi | Pressure Sensor Development Tools Digital Output Gauge Pressure Sensor, +/-40cmH20, I2C Interface + Cable | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04 I2C BOARD | Mitsumi Electric Company Ltd | Description: EVAL BOARD MMR920C04 I2C Packaging: Box Function: Pressure Type: Sensor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MMR920C04 Platform: Arduino | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04 SPI Board | Mitsumi | Pressure Sensor Development Tools Digital Output Gauge Pressure Sensor, +/-40cmH20, SPI Interface + Cable | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04ARE | Mitsumi Electric Company Ltd | Description: SENSOR 0.57PSIG 0.1" 7BIT Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Temperature Compensated Package / Case: 12-SMD, No Lead, Top Port Output Type: I2C, SPI Mounting Type: Surface Mount Output: 7 b Operating Pressure: -0.57PSI ~ 0.57PSI (-3.92kPa ~ 3.92kPa) Pressure Type: Gauge Accuracy: ±0.65% Operating Temperature: 0°C ~ 50°C Termination Style: SMD (SMT) Tab Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Port Size: Male - 0.1" (2.5mm) Tube Applications: Board Mount Port Style: Barbless Maximum Pressure: 1.14PSI (7.85kPa) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04ARE | MITSUMI | Description: MITSUMI - MMR920C04ARE - Drucksensor, 3.922 kPa, I2C Digital, SPI, Relativdruck, 3.3 V, Rohr, 800 µA tariffCode: 90262080 rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anschlusstyp: Rohr usEccn: EAR99 Betriebsdruck, max.: 3.922kPa Sensorausgang: I2C Digital, SPI euEccn: NLR Versorgungsstrom: 800µA Produktpalette: MMR920 Series productTraceability: No Druckmessung: Relativdruck Nennspannung: 3.3V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04ARE | MITSUMI | Description: MITSUMI - MMR920C04ARE - Drucksensor, 3.922 kPa, I2C Digital, SPI, Relativdruck, 3.3 V, Rohr, 800 µA tariffCode: 90262080 rohsCompliant: TBA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Anschlusstyp: Rohr usEccn: EAR99 Betriebsdruck, max.: 3.922kPa Sensorausgang: I2C Digital, SPI euEccn: NLR Versorgungsstrom: 800µA Produktpalette: MMR920 Series productTraceability: No Druckmessung: Relativdruck Nennspannung: 3.3V SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMR920C04ARE | Mitsumi Electric Company Ltd | Description: SENSOR 0.57PSIG 0.1" 7BIT Packaging: Cut Tape (CT) Features: Temperature Compensated Package / Case: 12-SMD, No Lead, Top Port Output Type: I2C, SPI Mounting Type: Surface Mount Output: 7 b Operating Pressure: -0.57PSI ~ 0.57PSI (-3.92kPa ~ 3.92kPa) Pressure Type: Gauge Accuracy: ±0.65% Operating Temperature: 0°C ~ 50°C Termination Style: SMD (SMT) Tab Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Port Size: Male - 0.1" (2.5mm) Tube Applications: Board Mount Port Style: Barbless Maximum Pressure: 1.14PSI (7.85kPa) | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRB2A05 | NAIS | 07+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
MMRB340 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
MMRD4001GVNBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 1GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4001GVNBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 1GB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 1GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4001GVNBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 1GB SD Card | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4002GVNBCA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 2GB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 2GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Technology: SLC | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4002GVNBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 2GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4002GVNBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 2GB SD Card | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4002GVNBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 2GB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 2GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4004GVHACA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 4GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 4GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Technology: pSLC | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4004GVHACA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 4GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4004GVHAWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 4GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4004GVHAWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 4GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 4GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4004GVYACA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 4GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 4GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Technology: pSLC | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4004GVYACA00AAA0 | TDK - Teridian | Flash Card 4G-byte 3.3V SD Card Box | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4004GVYACA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 4GB SD Card | на замовлення 2 шт: термін постачання 72-81 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4004GVYAWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 4GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 4GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4004GVYAWA00AAA0 | TDK - Teridian | Flash Card 4G-byte 3.3V SD Card Box | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4004GVYAWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 4GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4008GVJACA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 8GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4008GVJAWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 8GB SD Card | на замовлення 28 шт: термін постачання 136-145 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4008GVJAWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 8GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 8GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4008GVYBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 8GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4008GVYBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 8GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 8GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4008GVYBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 8GB SD Card | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4016GVJBCA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 16GB CLASS 6 PSLC | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4016GVJBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 16GB SD Card | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4016GVJBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 16GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 16GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4016GVYBCA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 16GB CLASS 6 PSLC | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4016GVYBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 16GB SD Card | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4016GVYBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 16GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 16GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4032GVJBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4032GVJBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4032GVJBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 32GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 32GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4032GVYBCA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4032GVYBWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 32GB SD Card | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4032GVYBWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 32GB CLASS 6 PSLC Packaging: Box Memory Size: 32GB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: pSLC | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4512MVNACA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 512MB SD Card | на замовлення 2 шт: термін постачання 78-87 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4512MVNACA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 512MB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 512MB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: 0°C ~ 70°C Technology: SLC | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4512MVNAWA00AAA0 | TDK Corporation | Description: MEMORY CARD SD 512MB CLASS 6 SLC Packaging: Box Memory Size: 512MB Speed: Class 6 Memory Type: SD™ Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Technology: SLC | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRD4512MVNAWA00AAA0 | TDK - Teridian | Flash Card 512M-byte 3.3V SD Card Box | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRD4512MVNAWA00AAA0 | TDK | Memory Cards 2.7/3.6V 100mA 512MB SD Card | на замовлення 5 шт: термін постачання 136-145 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1004GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1004GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1004GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1004NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | на замовлення 449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1004NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1005HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.3GHz Power - Output: 250W Gain: 22.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1005HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 120V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1005HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 120V 1.3GHZ NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.3GHz Power - Output: 250W Gain: 22.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1005HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1006HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1006HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 450MHz Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1006HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 120V 5-Pin NI-1230 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1006HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1006HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 120V 450MHZ NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S-4 Frequency: 450MHz Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1006HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin NI-1230S T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1007HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1007HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1007HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1007HR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4H Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1007HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008GHR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 100V 3-Pin CFM T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008GHR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008GHR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GH-2L Current Rating (Amps): 100µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 900MHz ~ 1.215GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GH-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin NI-780 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 100V 3-Pin NI-780 T/R | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1008HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 275 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1008HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.03GHZ NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF Power MOSFET 960- 1215 MHz 500 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Power - Output: 500W Gain: 19.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1009HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 110V 3-Pin NI-780S T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1011HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 100V 1.4GHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.4GHz Power - Output: 330W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1011HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1400 MHz, 330 W, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1011HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1011HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.4GHz Power - Output: 330W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1012NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 220MHz Power - Output: 10W Gain: 23.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 30 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1013HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1013HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 30V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.9GHz Configuration: Dual Power - Output: 320W Gain: 13.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1013HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.9GHz Configuration: Dual Power - Output: 320W Gain: 13.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1013HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1013HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1014NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1014NT1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1014NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 4-Pin T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1014NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.96GHz Power - Output: 4W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 50 mA | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1014NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 4-Pin T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015GNR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 68V 960MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP | Description: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 270mV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1015NR1 Код товару: 190672 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 68V 3-Pin TO-270 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP | Description: NXP - MMRF1015NR1 - HF-FET-Transistor, 0.27 V, 1 MHz, 2 GHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 270mV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1015NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 10W Gain: 18dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 125 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1016HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1016HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 120V 225MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 225MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 2.6 A | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1017NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1017NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 80W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.4 A | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1018NBR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1018NBR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 120V 860MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272BB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1018NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors SSL MATRIX CONTROLLER | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1018NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 120V 860MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 860MHz Power - Output: 18W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 120 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1019NR4 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V PLD-1.5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 10W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1019NR4 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 100V 4-Pin T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1019NR4 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1019NR4 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V PLD-1.5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 10W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1020-04GNR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1020-04GNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780G-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780G-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780G-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 860 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1020-04NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 860 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1020-04NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1020-04NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 48V OM780-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 19.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 860 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1021NT1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 870MHz Power - Output: 7.3W Gain: 15.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1021NT1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1022HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.14GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 16.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 500 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1022HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1022HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1023HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1023HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.3GHz Power - Output: 66W Gain: 14.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 750 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1023HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1024HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4LS2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Configuration: Dual Power - Output: 50W Gain: 14.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4LS2L Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 700 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1024HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1024HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1024HSR5 | NXP Semiconductors | RF POWER LDMOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LATERAL MOSFET | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1050HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1050 W Peak over 850-950 MHz, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1050HR6 | NXP Semiconductors | Air Fast RF Power Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1050HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Current Rating (Amps): 1µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 850MHz ~ 950MHz Configuration: 2 N-Channel Power - Output: 1050W Gain: 21.3dB Technology: LDMOS (Dual) Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1304GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304LR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-2000MHz 25W 50V | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
MMRF1304LR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304LR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1304NR1 /Freescale Код товару: 109741 | Транзистори > ВЧ | товар відсутній | ||||||||||||||||
MMRF1305HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1305HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1305HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1305HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1305HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Configuration: Dual Power - Output: 100W Gain: 26dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1305HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-2000 MHz 100 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1306HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1306HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1306HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1306HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1306HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1306HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1306HSR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1308HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1308HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1308HR5 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1308HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-1230 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1308HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 25dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1308HSR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1310HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin NI-780 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1310HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1310HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1310HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1310HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1311HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET 50V Automotive AEC-Q101 5-Pin NI-1230H T/R | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
MMRF1311HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET 50V Automotive 5-Pin NI-1230H T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1311HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 470MHz ~ 860MHz Power - Output: 140W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312GSR5 | NXP USA Inc. | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S GW Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312GSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312GSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1312HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230H T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1312HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.034GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1312HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.034GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 19.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 112 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314GSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors | RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314GSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
MMRF1314HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1314HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
MMRF1315NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 14W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1315NR1 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor, 500-1000 MHz, 60 W CW, 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1315NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 880MHz Power - Output: 14W Gain: 21.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 66 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1316NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1.8--600 MHz, 300 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1316NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO270 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 27dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF1316NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V 4-Pin TO-270 WB EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317H-1030 | NXP Semiconductors | RF Development Tools MMRF1317H-1030 | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 105V 5-Pin NI-1230H T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-979A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HSR5 | NXP USA Inc. | Description: TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1317HSR5 | NXP USA Inc. | Description: TRANS 1030MHZ 1550W PEAK 50V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1300W Gain: 18.2dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 105 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1318NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET 110V 4-Pin TO-270 WB EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1318NR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 110V 450MHZ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 450MHz Power - Output: 300W Gain: 22dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 900 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1318NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1320GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BB Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Gull Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1320GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1320GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1320NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V 5-Pin TO-270 W GULL T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1320NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-4 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 150W Gain: 26.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF1320NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2004NBR1 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 65V 2.7GHZ TO-272 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-272-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.7GHz Power - Output: 4W Gain: 28.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-272 WB-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 77 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2004NBR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier 2500-2700 MHz 4 W Avg. 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2004NBR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 2.7GHz 32V 17-Pin TO-272 W T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2004NBR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 2.7GHz 32V 17-Pin TO-272 W T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2005GNR1 | NXP / Freescale | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2005GNR1 | NXP USA Inc. | Description: SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2005NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 940MHz Power - Output: 3.2W Gain: 35.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WBL-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 106 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2005NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-768 MHz, 920-960 MHz, 3.2 W, 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2006NT1 | NXP USA Inc. | Description: IC AMP W-CDMA 1.8-2.17GHZ 24QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 24-PowerQFN Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8GHz ~ 2.17GHz RF Type: W-CDMA Voltage - Supply: 26V ~ 32V Gain: 36dB Current - Supply: 230mA P1dB: 43dBm Test Frequency: 1.8GHz ~ 2.17GHz Supplier Device Package: 24-PQFN (8x8) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2006NT1 | NXP / Freescale | RF Amplifier 1805-2170 MHz 2.4W Avg. 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2007GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF LDMOS WIDEBAND INTEGRATED POW Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2007NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-16 Variant, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Frequency: 940MHz Power - Output: 35W Gain: 32.6dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WBL-16 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 70 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 60 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GN | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GNR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WBG EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-14 Variant, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 GULL Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010NR1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010NR1 | NXP Semiconductors | RF Amp Single Power Amp 1.09GHz 50V 14-Pin TO-270 WB EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-14 Variant, Flat Leads Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2010NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-14 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270-14 Variant, Flat Leads Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.09GHz Power - Output: 250W Gain: 32.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-14 Part Status: Active Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 80 mA | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF2011NT1 | NXP USA Inc. | Description: SINGLE W-CDMA RF LDMOS WIDEBAND | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF2011NT1 | NXP Semiconductors | RF Amplifier RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 698-960 MHz, 1.6 W Avg., 28 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5014H | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors WIDEBAND RF POWER GaN ON SiC TRANSISTOR, 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5014H-200MHZ | NXP Semiconductors | RF Development Tools MMRF5014H 200-2500 MHz Reference Circuit | на замовлення 2 шт: термін постачання 181-190 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014H-200MHZ | NXP USA Inc. | Description: MMRF5014H REF BOARD 2500MHZ 100W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MMRF5014H Frequency: 200MHz ~ 2.5GHz Type: Transistor Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014H-500MHZ | NXP Semiconductors | RF Development Tools MMRF5014H 500-2500 MHz Reference Circuit | на замовлення 3 шт: термін постачання 252-261 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014H-500MHZ | NXP USA Inc. | Description: MMRF5014H REF BOARD 2500MHZ 100W | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET N-CHANNEL 50V NI360 Packaging: Bulk Package / Case: NI-360H-2SB Current Rating (Amps): 5mA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Configuration: N-Channel Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP | Description: NXP - MMRF5014HR5 - HF-FET-Transistor, 125 V, 232 W, 1 MHz, 2.7 GHz, NI-360H-2SB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 125V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2.7GHz Betriebsfrequenz, min.: 1MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 232W Bauform - Transistor: NI-360H-2SB Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V NI360 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-360H-2SB Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 18dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-360H-2SB Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET 125V Medical 3-Pin NI-360H-2SB T/R | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5014HR5 | NXP Semiconductors | GaN FETs 1-2690 MHz 125 W CW 50 V | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5015N | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5015NR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power GaN Transistor 1-2700 MHz, 125 W CW, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5015NR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET 125V 2-Pin OM-270 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5015NR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V OM270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.5GHz Power - Output: 125W Gain: 16.6dB Technology: HEMT Supplier Device Package: OM-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 350 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5016HSR5 | NXP USA Inc. | Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.8GHz ~ 2.2GHz Power - Output: 32W Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 48 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5017HS-1GHZ | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET Packaging: Tray | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5017HS-1GHZ | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MMRF5017HS 30-940 MHz Reference Circuit | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5017HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V NI400 Packaging: Bulk Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 30MHz ~ 2.2GHz Power - Output: 125W Gain: 18.4dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5017HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5017HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET HEMT 50V NI400 Packaging: Tray Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 30MHz ~ 2.2GHz Power - Output: 125W Gain: 18.4dB Technology: HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 200 mA | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5017HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF FET 125V 3-Pin CFMF T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5017HSR5138 | NXP USA Inc. | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5018HS-450 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET NI400 Packaging: Tray Package / Case: NI-400S-2SA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 125W Gain: 17.3dB Supplier Device Package: NI-400S-2SA Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5018HS-450 | NXP Semiconductors | RF Development Tools MMRF5018HS-450 Demo Board | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5018HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET GAN NI400 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2SA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 125W Gain: 17.3dB Technology: GaN Supplier Device Package: NI-400S-2SA Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power GAN Transistor | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power GAN Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power GAN Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors | GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 125 W CW over 1-2700 MHz, 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5018HSR5 | NXP Semiconductors | RF Power GAN Transistor | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MMRF5300NR5 | NXP Semiconductors | RF POWER GAN ON SIC TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5300NR5 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRF5300NR5 | NXP USA Inc. | Description: 2700-3500 MHZ 60 W PEAK 50V WI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.7GHz ~ 3.5GHz Power - Output: 60W Gain: 17dB Technology: HEMT Supplier Device Package: OM-270-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 70 mA | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLA103SB5105MFNA01 | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 1UF 4V X5R 0204 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (Reverse Geometry) Voltage - Rated: 4V Package / Case: 0204 (0510 Metric) Temperature Coefficient: X5R Size / Dimension: 0.020" L x 0.039" W (0.52mm x 1.00mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Medical, Non-Critical Thickness (Max): 0.014" (0.35mm) Part Status: Active Capacitance: 1 µF | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLA103SC7224MFNA01 | Taiyo Yuden | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT CAP ,MLCC ,0402,4V ,X7S,0.22UF20% ,T&R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLA219SB5226MTNA01 | TAIYO YUDEN | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 4V 22uF X5R 0805 20% Medical | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLA219SB5226MTNA01 | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 22UF 4V X5R 0508 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (Reverse Geometry) Voltage - Rated: 4V Package / Case: 0508 (1220 Metric) Temperature Coefficient: X5R Size / Dimension: 0.049" L x 0.079" W (1.25mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Medical, Non-Critical Thickness (Max): 0.037" (0.95mm) Capacitance: 22 µF | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLA219SB5226MTNA18 | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 22UF 4V X5R 0508 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (Reverse Geometry) Voltage - Rated: 4V Package / Case: 0805 (2012 Metric) Temperature Coefficient: X5R Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 85°C Applications: Bypass, Decoupling, Medical, Non-Critical Thickness (Max): 0.037" (0.95mm) Capacitance: 22 µF | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLA219SB5226MTNA18 | TAIYO YUDEN | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 4V 22uF X5R 0805 20% Medical | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLE165SB7474MTNA01 | Taiyo Yuden | Description: CAP MLCC 0.47UF 16V X7R 0306 | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLJ103SC7224MFNA18 | Taiyo Yuden | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT CAP ,MIDHIGH VOL,0603,100V ,X7S,0.22uF +/-20% ,T&R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLL103SB5474MFNA01 | Taiyo Yuden | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 10V 0.47uF X5R 0402 20% Medical | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLL103SB5474MFNA18 | TAIYO YUDEN | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 10V 0.47uF X5R 0402 20% Medical | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLL103SC6224MFNA01 | Taiyo Yuden | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT CAP ,MLCC ,0402,10V ,X6S,0.22UF20% ,T&R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLL103SC6224MFNA18 | Taiyo Yuden | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT MLCC, 0204, 10V, X6S, 0.22uF20%, T&R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLL103SC7104MFNA01 | TAIYO YUDEN | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT CAP ,MLCC ,0402,10V ,X7S,0.1UF20% ,T&R | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRLL165SB5105MTNA01 | Taiyo Yuden | Description: CAP CER 1UF 10V X5R 0306 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (Reverse Geometry) Voltage - Rated: 10V Package / Case: 0306 (0816 Metric) Temperature Coefficient: X5R Size / Dimension: 0.031" L x 0.063" W (0.80mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Medical, Non-Critical Thickness (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Capacitance: 1 µF | товар відсутній | |||||||||||||||
MMRT3906LT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |