Продукція > MJK
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJK1882-PA881GFTSBT-2S-L3 | MMT | на замовлення 1135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
MJK1882-PA881GFTSBTB-8S-L3 | MMT | на замовлення 1180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
MJK190-PA881GFTSBT | MMT | 08+ | на замовлення 955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
MJK190-PA881GFTSBT-4 | MMT | 08+ | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
MJK31CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MJK31CTWG | onsemi | Description: POWER TRANSISTOR 100 V, 3 A DUAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.7 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MJK31CTWG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJK31CTWG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 2.7 W, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MJK31CTWG | onsemi | Description: POWER TRANSISTOR 100 V, 3 A DUAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.7 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MJK31CTWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Power Transistor 100 V, 3 A General Purpose NPN NPN Transistor, 100V, 3A | на замовлення 2998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
MJK741-PA881GFSBT- | на замовлення 1072 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
MJK741-PA881GFSBT-M-L3 | MMT | 08+ | на замовлення 1172 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |