Продукція > IMD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMD-30-GSamtecIMD-30-G
товар відсутній
IMD-B101-01Murata ElectronicsIndustrial Motion & Position Sensors
товар відсутній
IMD-IM400-1700APC by Schneider ElectricSchneider Electric
товар відсутній
IMD1ROHMSOT163
на замовлення 17044 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD10/D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD10060Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMD1008DremelDescription: 1/2" IMPACT DRILL BIT
Packaging: Bulk
товар відсутній
IMD10160Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD10162Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD10AON SemiconductorON Semiconductor SURF MT BIASED RES XSTR
товар відсутній
IMD10A T108ROHMSOT163-D10
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD10A T108 SOT163-D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD10A T108 SOT163-D10ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
товар відсутній
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 5959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.31 грн
52+ 11.68 грн
53+ 11.31 грн
100+ 6.38 грн
250+ 5.85 грн
1000+ 5.43 грн
3000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 39
IMD10AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
товар відсутній
IMD10AMT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 6000
IMD10AMT1GONSEMIDescription: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.49 грн
36+ 22.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
IMD10AMT1GonsemiDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.89 грн
14+ 21.82 грн
100+ 13.11 грн
500+ 11.4 грн
1000+ 7.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
IMD10AMT1GonsemiDigital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.14 грн
21+ 16.08 грн
100+ 7.8 грн
1000+ 6.26 грн
3000+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
IMD10AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMD10AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Frequency: 200MHz; 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 0.1/10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68...600
Collector current: 0.5/0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
IMD10AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 500MA SOT-457
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.36 грн
13+ 25.95 грн
100+ 13.42 грн
1000+ 9.14 грн
3000+ 7.45 грн
9000+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD10AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Frequency: 200MHz; 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 0.1/10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68...600
Collector current: 0.5/0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
товар відсутній
IMD10AT108Rohm SemiconductorIMD10AT108
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.78 грн
29+ 20.94 грн
30+ 20.58 грн
50+ 19.61 грн
100+ 10.76 грн
250+ 9.85 грн
500+ 9.76 грн
1000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
IMD10AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 7709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.69 грн
12+ 24.82 грн
100+ 14.88 грн
500+ 12.93 грн
1000+ 8.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD10\D10ROHMSOT-163
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor Controller with Integrated High-voltage Gate Driver
товар відсутній
IMD111T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD111T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM, Three Phase Brushless DC
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: 0
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+395.81 грн
25+ 378.46 грн
50+ 334.59 грн
100+ 293.98 грн
250+ 279.12 грн
500+ 250.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товар відсутній
IMD111T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD111T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM, Three Phase Brushless DC
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: 0
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: 0
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+511.71 грн
10+ 395.81 грн
25+ 378.46 грн
50+ 334.59 грн
100+ 293.98 грн
250+ 279.12 грн
500+ 250.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IMOTION
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.62 грн
10+ 405.76 грн
100+ 305.74 грн
250+ 290.28 грн
500+ 260.06 грн
1000+ 219.29 грн
1500+ 208.05 грн
IMD111T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.1 грн
10+ 389.5 грн
25+ 368.21 грн
100+ 299.48 грн
250+ 284.12 грн
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товар відсутній
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IMOTION
товар відсутній
IMD112T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD112T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LQFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: iMOTION
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+496.73 грн
25+ 474.65 грн
100+ 326.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMOTION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: Serial, UART
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 20V
Applications: General Purpose
Technology: IGBT
Supplier Device Package: PG-LQFP-40-1
Motor Type - Stepper: Multiphase
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
товар відсутній
IMD112T6F040XUMA1Infineon TechnologiesSP003030104
товар відсутній
IMD112T6F040XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD112T6F040XUMA1 - Motortreiber, PMSM, 1 Ausgang, 3V bis 5.5V Versorgungsspannung, LQFP-40, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: PMSM
usEccn: 3A991.a.2
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: LQFP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Produktpalette: iMOTION
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.81 грн
10+ 496.73 грн
25+ 474.65 грн
100+ 326.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMD12CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M
товар відсутній
IMD12CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 32X2 7MM 2MM NAMUR 2M C
товар відсутній
IMD13160Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD13161Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD13162Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD13163Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD13167Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD13169Red Lion ControlsDescription: VOLTMETER 300VDC LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD14ROHM
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD14CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 32X2 7MM 4MM NAMUR 2M C
товар відсутній
IMD14CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M
товар відсутній
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товар відсутній
IMD14T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 500MA
товар відсутній
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товар відсутній
IMD14T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товар відсутній
IMD14T108
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD16/D16ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD16AROHMSOT-163
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD16AROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній
IMD16A/D16ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD16AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 2.2/100kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82...600
Collector current: 0.5/0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.14 грн
50+ 7.76 грн
100+ 6.74 грн
135+ 6.54 грн
360+ 6.18 грн
500+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 35
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+29.79 грн
422+ 28.59 грн
500+ 27.56 грн
1000+ 25.71 грн
2500+ 23.1 грн
Мінімальне замовлення: 405
IMD16AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.62 грн
6000+ 8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMD16AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 500MA SOT-457
на замовлення 8941 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
9+38.87 грн
11+ 29.66 грн
100+ 14.69 грн
1000+ 10.05 грн
3000+ 8.43 грн
9000+ 7.73 грн
24000+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
IMD16AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 2.2/100kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82...600
Collector current: 0.5/0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.57 грн
30+ 9.67 грн
100+ 8.08 грн
135+ 7.85 грн
360+ 7.42 грн
500+ 7.29 грн
3000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 20
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMD16AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 8322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1589+7.59 грн
1645+ 7.33 грн
1667+ 7.23 грн
2000+ 6.87 грн
6000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 1589
IMD16AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 100kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 6027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
12+ 26.58 грн
100+ 15.98 грн
500+ 13.89 грн
1000+ 9.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
IMD16AT108Rohm SemiconductorТранз. Сборка Бипол. ММ NPN/PNP (Dual) SOT-457 Uceo=50V; Ic=0,15A; Pdmax=0,3W
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+26.19 грн
13+ 20.61 грн
100+ 18.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
IMD16AT108 транзистор
Код товару: 91942		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IMD16AЎЎT108ROHM
на замовлення 26100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD16T110ROHM04+ SOT-163
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD1AROHM2001 SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD1AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товар відсутній
IMD1AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товар відсутній
IMD2ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2ROHMSOT-163
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2/D2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2006DremelDescription: 5/16" IMPACT DRILL BIT BULK
Packaging: Bulk
товар відсутній
IMD20060Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD20160Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
Features: Excitation Supply
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 115VAC, 230VAC
Measuring Range: ±2A
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 92.00mm x 45.00mm
Display Characters - Height: 0.560" (14.20mm)
Number of Characters Per Row: 6
Measuring Type: Current
товар відсутній
IMD20162Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
Features: Excitation Supply
Packaging: Box
Display Type: LED - Red Characters
Output Type: Relay (2), Solid State (2)
Mounting Type: Panel Mount
Type: Ammeter
Termination Style: Screw Terminal
Voltage - Supply: 115VAC, 230VAC
Measuring Range: ±2A
Ingress Protection: IP65 - Dust Tight, Water Resistant
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 92.00mm x 45.00mm
Display Characters - Height: 0.560" (14.20mm)
Number of Characters Per Row: 6
Measuring Type: Current
товар відсутній
IMD22CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 2MM NAMUR 2M
товар відсутній
IMD22CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 30X2 6MM 2MM NAMUR 2M C
товар відсутній
IMD23/D23ROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD23160Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD23161Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD23162Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD23163Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD23167Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD23169Red Lion ControlsDescription: AMMETER 2A LED PANEL MOUNT
товар відсутній
IMD23T108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/NPN
товар відсутній
IMD23T108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
товар відсутній
IMD24CCrouzet SwitchesDescription: IPD FLATPAK 4MM NAMUR 2M
товар відсутній
IMD24CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD FLATPAK 30X2 6MM 4MM NAMUR 2M C
товар відсутній
IMD2AROHM06+ SOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2AROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased
товар відсутній
IMD2AROHMSOT26/
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2AROHM
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2AROHM09+
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2A T108ROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2A T108ROHMSOT163-D2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2A T108 SOT163-D2ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2A/D2ROHMSOT-163
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMD2AT108
Код товару: 107838		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
IMD2AT108ROHMDescription: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: IMD2A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.14 грн
33+ 24.05 грн
100+ 12.14 грн
500+ 9.08 грн
1000+ 6.29 грн
Мінімальне замовлення: 26
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+4.82 грн
2708+ 4.45 грн
2794+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IMD2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.49 грн
14+ 21.6 грн
100+ 13.76 грн
500+ 9.7 грн
1000+ 8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
IMD2AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 56
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
IMD2AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+11.17 грн
1116+ 10.81 грн
2500+ 10.49 грн
Мінімальне замовлення: 1080
IMD2AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMD2AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 56
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
товар відсутній
IMD2AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN/PNP 50V 30MA SOT-457
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.21 грн
15+ 21.9 грн
100+ 10.61 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.54 грн
9000+ 5.55 грн
24000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMD2AT108SOT163-D2ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2A\D2ROHMSOT-163
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD2T108
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3ROHM
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3AROHMSOT-163
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3AROHMSOT-153
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3ARHOM10+ TCP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3AROHM09+
на замовлення 419 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3AROHMSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3A T108ROHMSOT26
на замовлення 4241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3A-TLB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
товар відсутній
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1536+7.85 грн
1541+ 7.83 грн
1828+ 6.6 грн
2000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 1536
IMD3AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
товар відсутній
IMD3AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL DIGITAL PNP/NPN
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.21 грн
15+ 21.9 грн
100+ 10.61 грн
1000+ 7.17 грн
3000+ 5.55 грн
9000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 8857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
15+ 19.62 грн
100+ 11.75 грн
500+ 10.22 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMD3AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 30
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
товар відсутній
IMD3AT108Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1155+10.44 грн
1194+ 10.1 грн
2500+ 9.8 грн
Мінімальне замовлення: 1155
IMD3AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
6000+ 6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMD3T108
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD3T109
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD40203N/A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD42C455S-13AHARCDIP
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6ROHMSOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6ROHM02+ SOT163
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6ROHMSOT163-D6
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6AROHM06+ SOT-163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6A-T108ROH07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.95 грн
15+ 22.87 грн
100+ 13.57 грн
1000+ 7.66 грн
3000+ 6.04 грн
9000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.17 грн
14+ 21.45 грн
100+ 10.85 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD6AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
IMD6AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товар відсутній
IMD6AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 4.7kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 100...600
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
товар відсутній
IMD6T108
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6T109
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD6T109SOT163-D6ROHM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 64 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+587.4 грн
25+ 559.81 грн
100+ 405.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CONTROLLER
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+595.32 грн
10+ 531.04 грн
25+ 439.99 грн
100+ 382.35 грн
250+ 364.78 грн
500+ 332.45 грн
1000+ 290.28 грн
IMD700AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD700AQ064X128AAXUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 64 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: VQFN
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: MOTIX IMD70xA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+702.52 грн
10+ 587.4 грн
25+ 559.81 грн
100+ 405.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMD700AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Input Type: Non-Inverting
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.86 грн
10+ 472.23 грн
25+ 450.3 грн
100+ 366.93 грн
250+ 350.44 грн
500+ 319.52 грн
1000+ 273.73 грн
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.84 грн
10+ 519.46 грн
25+ 495.34 грн
100+ 403.62 грн
250+ 385.48 грн
500+ 351.47 грн
1000+ 301.1 грн
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesMotor/Motion/Ignition Controllers & Drivers CONTROLLER
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.18 грн
10+ 584.39 грн
25+ 484.27 грн
100+ 420.31 грн
250+ 401.33 грн
500+ 366.19 грн
1000+ 319.1 грн
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 64 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+646.54 грн
25+ 616.58 грн
100+ 424.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONTROLLER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 60V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: PG-VQFN-64-8
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.045V, 3.85V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
Interface: CAN, I2C, SPI, UART/USART
RAM Size: 16K x 8
Controller Series: XMC1404
Program Memory Type: FLASH (128kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Number of I/O: 20
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IMD701AQ064X128AAXUMA1Infineon TechnologiesCONTROLLER
товар відсутній
IMD701AQ064X128AAXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMD701AQ064X128AAXUMA1 - Gate-Treiber, 6 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 64 Pin(s), VQFN
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1.5A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Anzahl der Kanäle: 6Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.5A
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: VQFN
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: MOTIX IMD70xA Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 60V
Eingabeverzögerung: 200ns
Ausgabeverzögerung: 200ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+766.38 грн
10+ 646.54 грн
25+ 616.58 грн
100+ 424.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMD8ROHM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD8AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товар відсутній
IMD8AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA
товар відсутній
IMD9ROHMSOT163
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD9ROHM
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD9AROHMSOT163
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMD9AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товар відсутній
IMD9AT108ROHM SemiconductorDigital Transistors PNP/NPN 50V 100MA SOT-457
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.21 грн
16+ 21.1 грн
100+ 10.33 грн
1000+ 7.1 грн
3000+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMD9AT108ROHM SEMICONDUCTORCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Frequency: 250MHz
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 68
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
товар відсутній
IMD9AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.85 грн
15+ 19.62 грн
100+ 11.75 грн
500+ 10.22 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMD9T108
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMDQ75R008M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs Y
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2798.66 грн
10+ 2451.53 грн
25+ 2048.83 грн
50+ 2000.33 грн
100+ 1864.68 грн
250+ 1792.29 грн
500+ 1694.59 грн
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2787.21 грн
5+ 2616.12 грн
10+ 2433.19 грн
50+ 2214.73 грн
100+ 2002.47 грн
IMDQ75R008M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2787.21 грн
5+ 2616.12 грн
10+ 2433.19 грн
50+ 2214.73 грн
100+ 2002.47 грн
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1416.44 грн
10+ 1257.97 грн
25+ 1201.48 грн
100+ 1008.13 грн
250+ 961.71 грн
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1722 грн
5+ 1574.56 грн
10+ 1423.96 грн
50+ 1256.36 грн
100+ 1092.13 грн
250+ 1036.71 грн
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 41.5A, 20A
Power Dissipation (Max): 384W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R016M1HXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1507.98 грн
10+ 1320.74 грн
25+ 1071.15 грн
50+ 1038.12 грн
100+ 1004.38 грн
250+ 937.61 грн
500+ 861.7 грн
IMDQ75R016M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R016M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 98 A, 750 V, 0.022 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 384W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1423.96 грн
50+ 1256.36 грн
100+ 1092.13 грн
250+ 1036.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R020M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R020M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 32.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 11.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2217 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R027M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R027M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+596.08 грн
50+ 525.68 грн
100+ 457.53 грн
250+ 433.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+833.94 грн
10+ 704.83 грн
25+ 555.96 грн
100+ 510.27 грн
250+ 480.75 грн
500+ 451.23 грн
750+ 405.55 грн
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 750V 47A T/R
товар відсутній
IMDQ75R040M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.44 грн
5+ 659.15 грн
10+ 596.08 грн
50+ 525.68 грн
100+ 457.53 грн
250+ 433.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMDQ75R040M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.75 грн
10+ 674.3 грн
25+ 642.97 грн
100+ 523.93 грн
250+ 500.38 грн
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R060M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R060M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R090M1HXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R090M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IMDQ75R090M1HXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 7.4A, 20V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesIMDQ75R140M1HXUMA1
товар відсутній
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
на замовлення 632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.56 грн
10+ 338.76 грн
25+ 320.21 грн
100+ 260.45 грн
250+ 247.09 грн
IMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+350.87 грн
500+ 308.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
товар відсутній
IMDQ75R140M1HXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.19 грн
10+ 387.92 грн
100+ 350.87 грн
500+ 308.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMDQ75R140M1HXUMA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs Y
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.22 грн
10+ 358.07 грн
100+ 255.84 грн
500+ 229.13 грн
750+ 183.45 грн
4500+ 182.74 грн
9750+ 180.63 грн