Продукція > IGZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGZ100N65H5Infineon TechnologiesDescription: IGZ100N65 - DISCRETE IGBT WITHOU
товар відсутній
IGZ100N65H5Infineon technologies
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 161A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/421ns
Switching Energy: 850µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 161 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 536 W
товар відсутній
IGZ100N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 101A; 268W; TO247-4; H5
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 268W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Mounting: THT
Case: TO247-4
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGZ100N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IGZ100N65H5XKSA1 - IGBT, 161 A, 1.65 V, 536 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 536W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOPTM 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 161A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+237.33 грн
5+ 236.52 грн
10+ 235.71 грн
50+ 218.11 грн
100+ 200.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.47 грн
10+ 354.95 грн
25+ 291.99 грн
100+ 281.84 грн
240+ 263.01 грн
480+ 260.11 грн
IGZ100N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 161A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/421ns
Switching Energy: 850µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 161 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+309.88 грн
Мінімальне замовлення: 71
IGZ100N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 101A; 268W; TO247-4; H5
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 101A
Pulsed collector current: 400A
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 268W
Kind of package: tube
Gate charge: 0.21µC
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Mounting: THT
Case: TO247-4
Collector-emitter voltage: 650V
товар відсутній
IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 85A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/250ns
Switching Energy: 410µJ (on), 190µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 273 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.17 грн
30+ 273.16 грн
120+ 234.15 грн
IGZ50N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
товар відсутній
IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGZ50N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 136W; TO247-4; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 271ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGZ50N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 273W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGZ75N65H5Infineon technologies
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGZ75N65H5Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IGZ75N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
товар відсутній
IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 119A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+540.98 грн
25+ 341.62 грн
100+ 249.96 грн
240+ 249.24 грн
480+ 223.16 грн
IGZ75N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/347ns
Switching Energy: 680µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 119 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+536.87 грн
30+ 298.89 грн
120+ 250.84 грн
IGZ75N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 197W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 166nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 415ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній