Продукція > IGD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGD-8-326-E1F12-BH-FA | Semikron | IGBT Module Stack | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD-8-424-P1F9-BH-FA | Semikron | IGBT MODULE STACK | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD01N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGD03N120S7ATMA1 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD03N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 6A | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N60T Код товару: 94638 | Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 14114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 136ns | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 136ns кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 12225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD06N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 13.7 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 31 W | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 5997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 75W euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 23A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A | на замовлення 8945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | SP004275478 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD10N65T6ARMA1 - IGBT, 23 A, 1.5 V, 75 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 23A | на замовлення 8945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 23A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 8.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/106ns Switching Energy: 200µJ (on), 70µJ (off) Test Condition: 400V, 8.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 23 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42.5 A Power - Max: 75 W | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD10N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT6 Trench and Field-stop Technology | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 100W euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | SP004275482 | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off) Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 37 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT6 Trench and Field-stop Technology | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD15N65T6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 2702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD515E | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IGD515EI | Power Integrations | Gate Drivers IGBT Gate Drive Core IGBT Driver | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD515EI | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 12V ~ 16V Supplier Device Package: Module Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 40ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side or Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.9V, 3.8V Current - Peak Output (Source, Sink): 15A, 15A DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
IGD515EI-34 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD515EI-34 | Power Integrations | Gate Drivers IGD515EI-34 IGBT Driver | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD515EI1-34 | Power Integrations | Gate Drivers | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD615A | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
IGD616 | Power Integrations | Power Management Modules Single-Ch SCALE-1 IGBT Driver | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD616 | Power Integrations | Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE MODULE | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD616IC1 | Power Integrations | Description: POWER MODULE GATE DRVR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD616IT1 | Power Integrations | Description: POWER MODULE GATE DRVR | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD616IT1 | Power Integrations | Power Management Modules Single-Ch 15V IGBT Driver | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD616NT1 | Power Integrations | Power Management Modules IGD616 IGBT Driver | товару немає в наявності | |||||||||||||||||
IGD616NT1 | Power Integrations | Description: POWER MODULE GATE DRVR | товару немає в наявності |