Продукція > HS8
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HS8 | Apex Tool Group | Screwdrivers, Nut Drivers & Socket Drivers 1/4" RED HANDLE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||
HS8.1 | Crydom Co. | Description: HEATSINK SSR 2.0 DEG C/W PNL MT | товар відсутній | |||||||||||
HS8.2 | Crydom Co. | Description: HEATSINK SSR 45MM 2.2DEG C/W DIN | товар відсутній | |||||||||||
HS8.3 | Crydom Co. | Description: HEATSINK SSR 45MM 3.5DEG C/W DIN | товар відсутній | |||||||||||
HS8000800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS80008000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8000810000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS80008100J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8030800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS80308000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8030810000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS80308100J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8108 | HS | 08+ DIP20 | на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||
HS8108B Код товару: 149723 | Мікросхеми > Інші мікросхеми | товар відсутній | ||||||||||||
HS8120A | Essentra | Mounting Fixings HOOK - S STYLE:SPRING STEEL | товар відсутній | |||||||||||
HS817B | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8180A | Essentra | Mounting Fixings HOOK - S STYLE:SPRING STEEL | товар відсутній | |||||||||||
HS8202 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8203 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8203BN8 | HS | 02+ QFN | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||
HS8203BN8 | HRS | на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||
HS8204 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8206 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8207 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8210 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||
HS8400800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8400810000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8430800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS84308000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8430810000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS84308100J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8508-11-15H08 | Glenair | D-Sub Micro-D Connectors | товар відсутній | |||||||||||
HS8521 | NS | 03+ SOP | на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||
HS8800800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS88008000J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8800810000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS88008100J0G | Amphenol FCI | Description: 500 TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8830800000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8830800000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB | товар відсутній | |||||||||||
HS88308000J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SP CLA PARALLEL/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8830810000G | Amphenol Anytek | Description: TERM BLK 22POS 45DEG 5.08MM PCB | товар відсутній | |||||||||||
HS8830810000G | Amphenol Anytek | Pluggable Terminal Blocks TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS88308100J0G | Amphenol FCI | Description: 508 TB SP CL INTERLACE/T | товар відсутній | |||||||||||
HS8K11TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HSML3030L10 Part Status: Active | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8K11TB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7/11A Pulsed drain current: 28...44A Power dissipation: 2W Case: uDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.1/15.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1/20.2C Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||
HS8K11TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HSML3030L10 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||
HS8K11TB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7/11A; Idm: 28÷44A; 2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7/11A Pulsed drain current: 28...44A Power dissipation: 2W Case: uDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.1/15.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.1/20.2C Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||
HS8K11TB | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V Nch+Nch Power MOSFET | на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8K1TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HSML3030L10 Part Status: Active | на замовлення 10474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8K1TB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10/11A Pulsed drain current: 40...44A Power dissipation: 2W Case: uDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20/16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6/7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||
HS8K1TB | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 11A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 348pF @ 15V, 429pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: HSML3030L10 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8K1TB | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10/11A Pulsed drain current: 40...44A Power dissipation: 2W Case: uDFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20/16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6/7.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||
HS8K1TB | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V N-CHANNEL DUAL | на замовлення 2979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8MA2TCR1 | ROHM Semiconductor | MOSFET 30V Dual Common Drain Pch+Nch Power MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8MA2TCR1 | Rohm Semiconductor | Description: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8MA2TCR1 | ROHM | Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3333 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8MA2TCR1 | Rohm Semiconductor | Description: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO | товар відсутній | |||||||||||
HS8MA2TCR1 | ROHM | Description: ROHM - HS8MA2TCR1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3333 Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: No Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
HS8V | Apex Tool Group | Description: NUT DRIVER HEX SOCKET 1/4" 7.25" | товар відсутній |