Продукція > GD6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GD600HFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD600HFX170C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD600HFX170C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600HFX170C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.069 kA, 1.85 V, 4.166 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 1.069kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 4.166kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.166kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.069kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14313.02 грн
GD600HFX65C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD600HFX65C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C2 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD600HFX65C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 768 A, 1.45 V, 1.875 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 768A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.875kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.875kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 768A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9750.9 грн
GD600HFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD600HFX65C6SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600HFX65C6S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 700 A, 1.45 V, 1.648 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 700A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 1.648kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.648kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 700A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5383.84 грн
GD600HFX65C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: C6 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD600HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD600HFY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C2 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD600HFY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1 kA, 2 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Dauer-Kollektorstrom: 1
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 3.409
Verlustleistung: 3.409
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13466.1 грн
5+ 12945.11 грн
10+ 12298.14 грн
GD600HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
GD600HFY120C6SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: C6 62mm
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD600HFY120P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: P1.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD600HFY120P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Type of module: IGBT
Case: P1.0
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 9 шт
товар відсутній
GD600SGU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: single transistor
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
товар відсутній
GD600SGU120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600SGU120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 830 A, 2.9 V, 4.032 kW, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 830
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 4.032
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.032
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach
DC-Kollektorstrom: 830
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10896.91 грн
GD600SGU120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT Ultra Fast IGBT
Topology: single transistor
Pulsed collector current: 1.2kA
Collector current: 600A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD600SGX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: C2 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD600SGX170C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1700V
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Case: C2 62mm
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
товар відсутній
GD600SGX170C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600SGX170C2S - IGBT-Modul, Einfach, 958 A, 1.85 V, 3.448 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 958A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 3.448kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.448kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 958A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11574.77 грн
5+ 10996.88 грн
GD600SGY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: C2 62mm
товар відсутній
GD600SGY120C2SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD600SGY120C2S - IGBT-Modul, Einfach, 1 kA, 1.7 V, 3.409 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 1kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 3.409kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.409kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8597.56 грн
GD600SGY120C2SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; single transistor; Urmax: 1200V
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: single transistor
Case: C2 62mm
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
GD60MPS06HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.5 грн
10+ 883.7 грн
100+ 746.32 грн
500+ 625.76 грн
GD60MPS06HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+902.77 грн
10+ 801.55 грн
30+ 668.02 грн
120+ 626.72 грн
270+ 600.64 грн
GD60MPS17HGeneSiC SemiconductorSchottky Diodes & Rectifiers 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3622.06 грн
10+ 3302.86 грн
30+ 2783.66 грн
120+ 2656.14 грн
270+ 2602.52 грн
GD60MPS17HGENESIC SEMICONDUCTORDescription: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3652.62 грн
5+ 3555.09 грн
10+ 3452.68 грн
25+ 3158.51 грн
50+ 2873.05 грн
100+ 2700.98 грн
GD60MPS17HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD60MPS17HGeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 122A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3334.86 грн
10+ 2970.21 грн
25+ 2879.66 грн
100+ 2578.17 грн
GD60MPS17HGeneSiC SemiconductorSilicon Carbide Schottky Diode
товар відсутній
GD626-1KV
на замовлення 24770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD62H1008CI-55PTSOP 0728+
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD62H1008CI-55P0728+ TSOP
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD62H1008DI-55P08+
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD62H1008DI-55P08+
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD6340-32QC-A-EAP1ACIRRUS LOGIC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD6410-32QC92+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD6410-32QC07+
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD6420-45QC-B-UHB1ACIRRUS LOGIC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GD650HFX170P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 650A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: P1.0
Technology: Trench FS IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 650A
Pulsed collector current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 9 шт
товар відсутній
GD650HFX170P1SSTARPOWERDescription: STARPOWER - GD650HFX170P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 1.073kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 4.2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.073kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25309.9 грн
GD650HFX170P1SSTARPOWER SEMICONDUCTORCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 650A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Case: P1.0
Technology: Trench FS IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 650A
Pulsed collector current: 1.3kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
GD65232DBRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SSOP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
товар відсутній
GD65232DBRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SSOP T/R
товар відсутній
GD65232DBRE4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SSOP T/R
товар відсутній
GD65232DBRE4Texas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SSOP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
товар відсутній
GD65232DBRG4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20-SSOP
товар відсутній
GD65232DBRG4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SSOP T/R
товар відсутній
GD65232DWTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC Tube
товар відсутній
GD65232DWTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SOIC
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.83 грн
10+ 81.59 грн
25+ 77.46 грн
100+ 59.71 грн
250+ 55.82 грн
500+ 49.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
GD65232DWTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC Tube
товар відсутній
GD65232DWTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC Tube
товар відсутній
GD65232DWTexas InstrumentsRS-232 Interface IC Multiple RS-232 Driver and Receiver
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.13 грн
10+ 86.65 грн
100+ 57.46 грн
500+ 50.79 грн
1000+ 43.18 грн
2500+ 41.88 грн
5000+ 40.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
GD65232DWTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SOIC
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
на замовлення 6577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
529+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 529
GD65232DWTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC Tube
товар відсутній
GD65232DWE4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20-SOIC
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD65232DWE4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC Tube
товар відсутній
GD65232DWG4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC Tube
товар відсутній
GD65232DWG4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20-SOIC
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GD65232DWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SOIC
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GD65232DWRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
GD65232DWRTexas InstrumentsRS-232 Interface IC Multiple RS-232 Driver and Receiver
товар відсутній
GD65232DWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SOIC
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1076+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 1076
GD65232DWRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
GD65232DWRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
GD65232DWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-SOIC
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.51 грн
10+ 44.83 грн
25+ 42.11 грн
100+ 32.25 грн
250+ 29.96 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 20.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
GD65232DWRE4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
GD65232DWRE4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20-SOIC
товар відсутній
GD65232DWRG4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin SOIC T/R
товар відсутній
GD65232DWRG4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20-SOIC
товар відсутній
GD65232NTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-PDIP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 919
GD65232NTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin PDIP Tube
товар відсутній
GD65232NTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-PDIP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
товар відсутній
GD65232NE4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin PDIP Tube
товар відсутній
GD65232NE4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20-DIP
товар відсутній
GD65232PWTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20TSSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
товар відсутній
GD65232PWTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP
товар відсутній
GD65232PWE4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
GD65232PWE4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20TSSOP
товар відсутній
GD65232PWG4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20TSSOP
товар відсутній
GD65232PWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
товар відсутній
GD65232PWRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
GD65232PWRTexas InstrumentsDescription: IC TRANSCEIVER FULL 3/5 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5V, ±7.5V ~ 15V
Number of Drivers/Receivers: 3/5
Data Rate: 120Kbps
Protocol: RS232
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Receiver Hysteresis: 500 mV
Duplex: Full
товар відсутній
GD65232PWRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
GD65232PWRTexas InstrumentsRS-232 Interface IC Multiple RS-232 Driver and Receiver
на замовлення 1845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.17 грн
10+ 39.74 грн
100+ 26.52 грн
500+ 21.45 грн
1000+ 18.33 грн
2000+ 16.74 грн
4000+ 15.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
GD65232PWRTexas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
GD65232PWRE4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20TSSOP
товар відсутній
GD65232PWRE4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
GD65232PWRG4Texas InstrumentsTriple Transmitter Quint Receiver RS-232 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
GD65232PWRG4Texas InstrumentsDescription: IC MULT RS-232 DRV/REC 20TSSOP
товар відсутній