Продукція > F2N
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|
F2N02 | MOTOROLA | SOP8 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |
F2N02 | MIT | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
F2N02 | MOT | 00+ SOP-8P | на замовлення 166 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |
F2N02 | MOTOROLA | на замовлення 1208 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
F2N02 | MOT | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||
F2N02 | MOT | 09+ SOP8 | на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |
F2N05Z | MOT | 02+ | на замовлення 832 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |
F2N209-06-T | Belkin | Cable Assembly Extension 1.8m D-Subminiature to D-Subminiature 9 to 9 POS M-F | товар відсутній | |
F2N5154 | Microchip Technology | Description: RH POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товар відсутній | |
F2N5154 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT RH Power BJT | товар відсутній |