Продукція > EMD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
EMD | Apex Tool Group | Description: TIP REPLACEMENT CONICAL .015" | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD 12-H 3 MM KLAR | Phoenix Contact | Electronics housing | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD 12-REL/KSR-G 24/21 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay Relay Module | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-BL-3V-400-PT | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 400/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-BL-C-10 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 5/10A SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-BL-V-230 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-BL-V-230-PT | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 24VDC 24/230VAC SPDT(17.5x65.5x89.5)mm DIN Rail Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-3V-230 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 132 to 230VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-3V-400 | PHOENIX CONTACT | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: overvoltage; phase asymmetry; phase failure; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-3V-400 | PHOENIX CONTACT | Category: Monitoring Relays Description: Module: voltage monitoring relay; for DIN rail mounting Type of module: voltage monitoring relay Controlled parameter: overvoltage; phase asymmetry; phase failure; phase sequence Mounting: for DIN rail mounting кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-3V-400 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 400/230VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-3V-500 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 3 to 500VAC DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-3V-690 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 3 to 690VAC 5A DPDT(45x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-C-10 | Phoenix Contact | Unspecified Connectors EMD-FL-C-10 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-C-10 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-FL-V-300 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-C-UC-10 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PH-400 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 400VAC DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PH-690 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 208 to 690VAC 5A DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PS- 24AC | Phoenix Contact | Relay Accessory Power Module Pluggable | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PS- 24DC | Phoenix Contact | Relay Accessory Power Module Pluggable | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PS-110AC | Phoenix Contact | Relay Accessory Power Module Pluggable | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PS45-230AC | Phoenix Contact | AC to DC Power Modules | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-PTC | Phoenix Contact | Electromechanical Relay DPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-V-UV-300 | Phoenix Contact | Industrial Relays EMD-SL-V-UV-300 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD-SL-V-UV-300 | Phoenix Contact | Electromechanical Relay 30/60/300VDC 30/60/300VAC SPDT(22.5x113x90)mm DIN Rail Electronic Monitoring Relay | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD12 T2R | RHOM | sot-563 04+ | на замовлення 11038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD1280AW | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER 12VDC 800MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD1280AX | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER 12V Packaging: Box Accessory Type: Adapter | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD1280UX | FreeWave Technologies | Description: AC/DC ADAPTER HTPLUS 800MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | на замовлення 3529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD12FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD12FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD12FHAT2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | на замовлення 8321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD12T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD12T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 30MA | на замовлення 6630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD12T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 7400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD12T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | EMD12T2R Complementary transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD19T2R | на замовлення 5346 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD1S-W | Rectron | Bridge Rectifiers 0.5A 50V 50ns GP | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD1S-W | RECTRON | на замовлення 1970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
EMD1S-W | RECTRON | SOP-4 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD1S-W | RECTRON | SO-4 | на замовлення 343 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2 T2R | ROHM | SOT23-6 | на замовлення 8621 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2 T2R | ROHM | SOT153-D2 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2 T2R SOT153-D2 | ROHM | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
EMD2 T2R SOT153-D2 | ROHM | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
EMD2000 | Amphenol | EMD2000 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD22 | ROHM | EMT6 | на замовлення 19104 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD22 | ROHM | 09+ | на замовлення 49118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD22 T2R | ROHM | SOT23-6 | на замовлення 5090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD22-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors DUAL NPN Digital Transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | на замовлення 7870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD22FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 7385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PRE-BIASED 50V 100MA | на замовлення 7318 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 2.5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD22T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 3649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD22T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2794-00BA16GRR | EMP | 0738+ | на замовлення 9979 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD29T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 500MA 6PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD29T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V Case: SOT563F Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50/12V Collector current: 0.1/0.5A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 1/10kΩ Base-emitter resistor: 10/10kΩ Frequency: 255MHz кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 33 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD29T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50/12V Case: SOT563F Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50/12V Collector current: 0.1/0.5A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 1/10kΩ Base-emitter resistor: 10/10kΩ Frequency: 255MHz | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD29T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 260MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | на замовлення 7975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2FHAT2R | ROHM | Description: ROHM - EMD2FHAT2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD2FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD2T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Case: SOT563 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 56 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Frequency: 250MHz | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 30MA | на замовлення 5285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD2T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Case: SOT563 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 56 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD2T2R | на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD2T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD2T2RR | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD3 | ROHM | 10 EMT6 | на замовлення 184123 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD3 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 4495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD3 | ROHM | 09+ | на замовлення 50350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD3 | ROHM | 2003 TO23 | на замовлення 6050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD3 T2R | ROHM - Japan | NPN/PNP 100mA 50V 150mW 250MHz + res. 10k+10k EMD3T2R TEMD3 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD3001-50VC06GRR | EMP | 2008+ SOT23 | на замовлення 11400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 15830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD30T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 15830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD30T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN PNP 100200MA 6PIN | на замовлення 7978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD35 | ROHM | SOT26/ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD35 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 52816 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD35 T2R | ROHM | 09+PB | на замовлення 23251 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD38T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 26860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD38T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD38T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD38T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 1kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies Inc. | Description: LINEAR IC'S Packaging: Tray Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM) Clock Frequency: 667 MHz Memory Format: RAM Supplier Device Package: 78-BGA (10x13) Memory Interface: Parallel Access Time: 14 ns Memory Organization: 32M x 8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M08G1-150CBS1 | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies Inc. | Description: LINEAR IC'S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 78-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM) Clock Frequency: 667 MHz Memory Format: RAM Supplier Device Package: 78-BGA (10x13) Memory Interface: Parallel Access Time: 14 ns Memory Organization: 32M x 8 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 32Mx8 STT-MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M08G1-150CBS1R | Everspin Technologies | 256Mb / 32Mx8 / 78-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque) | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M08G1-150CBSCF | Everspin Technologies | MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M16G2-150CBS1 | Everspin Technologies | 256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M16G2-150CBS1 | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | 256Mb / 16Mx16 / 96-BGA / 1.5V / 0 to +85C / ST Mrams (Spin Torque) | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M16G2-150CBS1R | Everspin Technologies | MRAM 256Mb 1.5V 16Mx16 STT-MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3D256M16G2-150CBSCF | Everspin Technologies | MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD3FHAT2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors General purpose (Dual digital transistors), both DTA114E and DTC114E chip in a EMT6 package | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD3FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: GENERAL PURPOSE (DUAL DIGITAL TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 50MA | на замовлення 126258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD3T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3T2R | ROHM | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD3T2R | ROHM | 10 EMT6 | на замовлення 290000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD4 | на замовлення 5029 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD4 T2R | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 7700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD40-1800LTR | MACOM | Up-Down Converters | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4000 | Amphenol Advanced Sensors | Board Mount Humidity Sensors Humidity Sensor | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4000B | Amphenol Advanced Sensors | Board Mount Humidity Sensors 5%ResistiveElement HUMIDITY SENSOR | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD4000B | Amphenol Telaire | Description: SENSOR HUMIDITY Packaging: Bulk Package / Case: 2-SIP Module Output Type: Resistive Mounting Type: User Defined Output: 72k @ 50%RH Accuracy: ±5% RH Operating Temperature: 5°C ~ 60°C Voltage - Supply: 1VAC Sensor Type: Humidity Humidity Range: 20 ~ 95% RH Response Time: 60 s | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4DXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 7985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD4DXV6T1G | ON Semiconductor | на замовлення 1485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
EMD4DXV6T1G | onsemi | Digital Transistors Dual Complementary NPN & PNP Digital | на замовлення 7570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD4DXV6T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD4DXV6T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital | на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | на замовлення 280000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD4E001G16G2-150CAS2 | Everspin Technologies | 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4E001G16G2-150CAS2 | Everspin Technologies Inc. | Description: IC RAM 1GBIT PAR 667MHZ 96BGA | на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD4E001G16G2-150CAS2 | Everspin Technologies | MRAM 1Gb Non-Volatile ST-DDR4 Spin-transfer Torque MRAM | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4S | Rectron USA | Description: BRIDGE RECT GLASS 200V 1A MDS | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 5974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD4T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 8928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD4T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD4T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | EMD4T2R Complementary transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD5 | на замовлення 8115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD52T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD52T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD52T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD52T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD52T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD52T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 8989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD53T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD53T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | EMD53T2R Complementary transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD53T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD53T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 7835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD53T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver | на замовлення 6623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD53T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD53T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD5550 | EM | 09+ SSOP24 | на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD59T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 3-Phase Brushless Fan Motor Driver | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD59T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD59T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | EMD59T2R Complementary transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD59T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD5DXV6T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD5DXV6T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD5DXV6T5G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD5DXV6T5G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Dual Complementary NPN & PNP Digital | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD5T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD5T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 7586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD5T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD5T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | на замовлення 22781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD5T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 47/4.7kΩ Base-emitter resistor: 47/10kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 30...68 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD5T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 47/4.7kΩ Base-emitter resistor: 47/10kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 30...68 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6-T2R | на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD62T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD62T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors Complex Digital Transistor | на замовлення 8295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD62T2R | ROHM | Description: ROHM - EMD62T2R - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 7874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD62T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 5950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD6FHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin EMT T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD6FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6FHAT2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP SOT-563 4.7kO Input Resist | на замовлення 6959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD6FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 100...600 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP/NPN 50V 100MA | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD6T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD6T2R | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R | на замовлення 7799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD6T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 100...600 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD6T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD72T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 18647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD72T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 80 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD72T2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD72T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Mounting: SMD Case: SOT563 Power dissipation: 150mW Kind of transistor: BRT; complementary pair Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Current gain: 80 Type of transistor: NPN / PNP Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD72T2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP+NPN Digital transistor (with built-in resistors) | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD811 | MX | 07+/08+ SOP8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD812 | MX | DIP8 | на замовлення 25400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD9 | ROHM | 04+ SOT-363 | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD9 T2R | ROHM | SOT663 | на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD9-T2R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMD9-TPQ2 | Micro Commercial Components | NPN and PNP Digital Transistor | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD9DBLE.DIGITALNPN/PNPSMT6 | N/A | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD9FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | на замовлення 7813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD9FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD9FHAT2R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+PNP SOT-563 50V VCC 0.1A IC | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD9FHAT2R | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Current gain: 68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD9FHAT2R | Rohm Semiconductor | Description: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD9T2R | ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP/NPN 50V 70MA | на замовлення 87846 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD9T2R | ROHM | SOT363 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMD9T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 15824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMD9T2R | ROHM SEMICONDUCTOR | EMD9T2R Complementary transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMD9T2R | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDB409+ | EM Microelectronic | Description: DEVELOPMENT & EVALUATION KIT FOR Packaging: Bulk For Use With/Related Products: EM4095 Frequency: 125kHz Type: RFID Reader Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDB415+ | EM Microelectronic | Description: EM NF4DEVELOPMENT BOARD Packaging: Bulk Type: RFID Reader Supplied Contents: Board(s), Antenna(s) | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-10-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning 5 to 1000MHz 75 Ohm Coupling +10dB Typ. | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-10-1TR | MACOM | Signal Conditioning 5-1000MHz Iso.17dB Coupling 10dB | на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDC-10-1TR | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
EMDC-13-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning 5 TO 1000MHz 75ohm Coupling +13dB | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-13-2TR | MACOM Technology Solutions | Description: COUPLER,5-1000MHZ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDC-13-2TR | MACOM | Signal Conditioning 5-1000MHz 50Ohm Coupling +13dB | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-13-2TR | MACOM Technology Solutions | Description: COUPLER,5-1000MHZ | на замовлення 5640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDC-13-2TR | TYCO | 09+ | на замовлення 2018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMDC-16-2-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-16-8-75TR | MACOM | Signal Conditioning 5-862MHz 75ohm Coupling 16dB typ. | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-17-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-17-3-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-17-5-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC-8-1-75 | M/A-COM | SMD 96+ | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMDC-8-1-75TR | MACOM | Signal Conditioning | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC0000 | Red Lion Controls | Description: SENSOR THRU-BEAM 304.8MM NPN/PNP Packaging: Box Adjustment Type: Adjustable Sensing Distance: 12" (304.8mm) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -20°C ~ 55°C Output Configuration: NPN/PNP Voltage - Supply: 10V ~ 30V Response Time: 1ms Ingress Protection: NEMA 1, 2, 3, 3S, 4, 4X, 12, 13 Connection Method: Cable Light Source: Infrared Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDC2000 | Red Lion Controls | Description: PHOTO-ELECTRIC EMITTER SENSOR Packaging: Bulk Sensing Distance: 787.402" (20m) Sensing Method: Through-Beam Operating Temperature: -20°C ~ 70°C Output Configuration: NPN Voltage - Supply: 10V ~ 30V Response Time: 750µs, 375µs Ingress Protection: IP67, NEMA 6 Cable Length: 78.74" (2m) Connection Method: Cable Light Source: Infrared (940nm) | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDD101G102M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 1000 pF | на замовлення 8964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101G102M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1000PF 100V C0G/NP0 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 1000 pF | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 10000 pF | на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 100V X7R 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 10000 pF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDD101W104M1GF001E | Johanson Dielectrics | Cap EMI Filters 1210 X7R 100V 0.10uF 20% 7" Reel Embossed Tape | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDD101W104M1GV001B | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDD101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDD101W223M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.022 µF | на замовлення 4322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101W223M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.022UF 100V X7R 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.022 µF | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101W473M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.047 µF | на замовлення 29514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD101W473M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.047UF 100V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.047 µF | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD160W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD160W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 16V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF | на замовлення 35402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD500W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDD500W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 50V X7R 1206 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1206 (3216 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.124" L x 0.063" W (3.15mm x 1.60mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.050" (1.27mm) Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 103319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 4478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF101W104M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.1UF 100V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.1 µF | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF101W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF101W224M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.22UF 100V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.22 µF | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF101W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF | на замовлення 15103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF101W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 100V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF160W105M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 1 µF | на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF160W105M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 1UF 16V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 16V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 1 µF | на замовлення 31484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF500W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDF500W334M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.33UF 50V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.33 µF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDF501W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Capacitance: 10000 pF | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDF501W103M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 10000PF 500V X7R 1210 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1210 (3225 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.125" L x 0.098" W (3.18mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Capacitance: 10000 pF | на замовлення 7806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDIN01 | VELLEMAN | Category: Energy Meters Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase Type of meter: counter Kind of meter: digital; mounting Mounting: for DIN rail mounting Kind of network: single-phase Measurement: electric energy Kind of display used: LCD Maximum current: 40A Rated voltage: 230V Operating frequency: 50...60Hz Accuracy class: 1 Output: pulse output Operating temperature: -20...65°C Dimensions (W x H x D): 18x80x60mm Kind of measurement: direct Power consumption: 0.4W | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDIN01 | VELLEMAN | Category: Energy Meters Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase Type of meter: counter Kind of meter: digital; mounting Mounting: for DIN rail mounting Kind of network: single-phase Measurement: electric energy Kind of display used: LCD Maximum current: 40A Rated voltage: 230V Operating frequency: 50...60Hz Accuracy class: 1 Output: pulse output Operating temperature: -20...65°C Dimensions (W x H x D): 18x80x60mm Kind of measurement: direct Power consumption: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDIN02 | VELLEMAN | Category: Energy Meters Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase Type of meter: counter Kind of meter: digital; mounting Mounting: for DIN rail mounting Kind of network: single-phase Measurement: electric energy Kind of display used: LCD Maximum current: 80A Rated voltage: 230V Operating frequency: 50...60Hz Accuracy class: 1 Output: pulse output Operating temperature: -20...65°C Dimensions (W x H x D): 35x100x36mm Kind of measurement: direct Power consumption: 0.4W | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDIN02 | VELLEMAN | Category: Energy Meters Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; single-phase Type of meter: counter Kind of meter: digital; mounting Mounting: for DIN rail mounting Kind of network: single-phase Measurement: electric energy Kind of display used: LCD Maximum current: 80A Rated voltage: 230V Operating frequency: 50...60Hz Accuracy class: 1 Output: pulse output Operating temperature: -20...65°C Dimensions (W x H x D): 35x100x36mm Kind of measurement: direct Power consumption: 0.4W кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDIN03 | VELLEMAN | Category: Energy Meters Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; three-phase Type of meter: counter Kind of meter: digital; mounting Mounting: for DIN rail mounting Kind of network: three-phase Measurement: electric energy Kind of display used: LCD Maximum current: 100A Rated voltage: 230V; 400V Operating frequency: 50...60Hz Output: pulse output Operating temperature: -20...55°C Dimensions (W x H x D): 122.5x115x65mm Kind of measurement: direct Power consumption: 2W | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDIN03 | VELLEMAN | Category: Energy Meters Description: Counter; digital,mounting; for DIN rail mounting; three-phase Type of meter: counter Kind of meter: digital; mounting Mounting: for DIN rail mounting Kind of network: three-phase Measurement: electric energy Kind of display used: LCD Maximum current: 100A Rated voltage: 230V; 400V Operating frequency: 50...60Hz Output: pulse output Operating temperature: -20...55°C Dimensions (W x H x D): 122.5x115x65mm Kind of measurement: direct Power consumption: 2W кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDK101W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 60437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDK101W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 100V X7R 1410 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDK500W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 19080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDK500W404M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.4UF 50V X7R 1410 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.4 µF | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDK501W153M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.015 µF | на замовлення 3316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDK501W153M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.015UF 500V X7R 1410 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1410 (3524 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.140" L x 0.098" W (3.56mm x 2.49mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.070" (1.78mm) Part Status: Active Capacitance: 0.015 µF | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDL700 | Triplett | Description: ENVIRONMENTAL SOUND/TEMPERATURE/ Packaging: Retail Package Type: Data Logger For Measuring: Humidity, Sound, Temperature | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDR101W474M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDR101W474M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | товар відсутній | |||||||||||||||||
EMDR101W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | на замовлення 37600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDR101W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 100V X7R 1812 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 100V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.47 µF | на замовлення 37000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDR500W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Part Status: Active Capacitance: 0.47 µF | на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDR500W474M1GV001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.47UF 50V X7R 1812 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Part Status: Active Capacitance: 0.47 µF | на замовлення 31486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDR501W393M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.039 µF | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDR501W393M1GF001E | Johanson Dielectrics Inc. | Description: CAP CER 0.039UF 500V X7R 1812 Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±20% Features: Low ESL (X2Y), Soft Termination Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.174" L x 0.125" W (4.42mm x 3.18mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: Bypass, Decoupling, Boardflex Sensitive Thickness (Max): 0.090" (2.29mm) Capacitance: 0.039 µF | на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDS23D2H-74.250M | Ecliptek | Standard Clock Oscillators 74.25MHz 3.3Volt 50ppm 0C to 70C | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
EMDVK8500 | EM Microelectronic | Description: EM8500 ENERGY HARVEST DEV KIT Packaging: Bulk Function: Energy Harvesting Type: Power Management Utilized IC / Part: EM8500 Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
EMDVK9304SOC | EM Microelectronic | Description: EM9304 DEVELOPMENT KIT SOC MODE Packaging: Bulk For Use With/Related Products: EM9304 Frequency: 2.4GHz Type: Transceiver; Bluetooth® 5 Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|