Продукція > DTD
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTD04S01 | DENMOS | на замовлення 820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD05101 | DENMOS | на замовлення 5219 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD05202 | DENMOS | на замовлення 690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD11003 | DENMOS | на замовлення 635 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD113/DTD113EK | ИэЕЖ/ | 07+ SOT-23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113E | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 1402 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EK | на замовлення 6817 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD113EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.5A 1kO SOT-346 | на замовлення 2698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 16038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 33 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ES | ROHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD113ES | ROHM | TO-92S | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 60827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 1kO Input Resist | на замовлення 14611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 6326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors RECOMMENDED ALT 755-DTD113ZUT106 | на замовлення 27386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZK | ROHM | SOT23 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZK | ROHM | на замовлення 5850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 14712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 148687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 32871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 73732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD113ZKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Produktpalette: DTD113Z Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | на замовлення 9632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZS | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD113ZSTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZSTP | DTD113ZSTP Транзисторы Digital | на замовлення 5013 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD113ZU | ROHM | SOT323 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZU | ROHM | 07+ SOT-323 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZU T106 | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 1651 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZU T106 | ROHM | 0239+ | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 5720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 41655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | на замовлення 25995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin UMT T/R | на замовлення 20875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 5889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD113ZUT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC70,SOT323; R1: 1kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 82 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 10kO Input Resist | на замовлення 4476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD114ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 2383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EK | ROHM | 09+ | на замовлення 3038 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114EK | ROHM | 07+ SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114EK-T146 | ROHM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD114EKFRA | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 2650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 24890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 91207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | на замовлення 46500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 24890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 51289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114ES | ROHM | TO-92S | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114ESTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SPT Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114GCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTD114GCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. | на замовлення 7668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 3793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GK T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 2893 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | ROHM | SOT-23 96+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD114GKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD114GKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD114GK Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD114GKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD120-12SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 12 vdc 100W 8.33A ADAPTER AC/DC | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-12SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 12V 100W Packaging: Bulk Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm) Voltage - Output: 12V Output Connector: Power DIN, 4 Pin Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Cord Length: 39.4" (1.00m) Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 8.33A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: International No Load Power Consumption: 300mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 100 W | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD120-12SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 12V 8.33A | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-19SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 19 vdc 120W 6.3A AC/DC Adapter | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-19SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 19V 6.3A | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-19SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 19V 120W Packaging: Bulk Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm) Voltage - Output: 19V Output Connector: Power DIN, 4 Pin Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Cord Length: 39.4" (1.00m) Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 6.3A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: International No Load Power Consumption: 300mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 120 W | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD120-24SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 24vdc | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-24SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC/DC DESKTOP ADAPTER 24V 120W Packaging: Bulk Size / Dimension: 6.69" L x 2.55" W x 1.52" H (170.0mm x 64.8mm x 38.5mm) Voltage - Output: 24V Output Connector: Power DIN, 4 Pin Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC Cord Length: 39.4" (1.00m) Operating Temperature: 0°C ~ 40°C Applications: ITE (Commercial) Input Type: Cord (Sold Separately) Approval Agency: CE, CSA, TUV, UL Form: Desktop (Class I) Efficiency: Level VI Current - Output (Max): 5A Input Connector: IEC 320-C14 Region Utilized: International No Load Power Consumption: 300mW (Max) Part Status: Active Power (Watts): 120 W | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD120-24SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 24V 5A | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-36SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 36V 3.3A | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-48SX-F-W6 | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W 48V 2.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD120-48SX-F-W6 | ETA-USA | Description: AC-DC EXTERNAL POWER ADAPTER | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD120-SX-F-W | ETA-USA | Desktop AC Adapters 120W INPUT 90~264 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD122JKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD122JKT146 | ROHM | 06+ROHS | на замовлення 695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD122JKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTD123ECHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. | на замовлення 5871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123E Widerstandsverhältnis R1/R2: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123EK | ROHM | 11+ROHS SOT-23 | на замовлення 53500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123EK | ROHM | SOT23/SOT323 | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123EK | ROHM | 04+ SOT-23 | на замовлення 15100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123EK T146 | ROHM | SOT23 | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 0 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 0 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 7970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 39 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 187642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 39 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123EKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123EKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123E Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 2.2kO Input Resist | на замовлення 6333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123TCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TK | ROHM | SOT23 | на замовлення 1103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123TKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SC59; SOT346 Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...600 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123TKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 40 V, 500 mA, 2.2 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123T Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123TKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346; 2.2kΩ Mounting: SMD Case: SC59; SOT346 Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Frequency: 200MHz Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 100...600 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123TKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | на замовлення 3937 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123TSTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DTD123YCHZG is the high reliability Automotive transistor, suitable for inverter and interface, driver. | на замовлення 9169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.22 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YCT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YCT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YCT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 9710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YK | ROHM | 05+ SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123YK | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD123YK | ROHM | SOT23 | на замовлення 84620 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD123YK/F62 | на замовлення 4900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD123YKA | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD123YKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKFRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: 0 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 0 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKFRAT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 35526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 56 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | на замовлення 7572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA SOT-346 | на замовлення 24515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 191239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD123YKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW 3-Pin SMT T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YKT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD123YKT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-346 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD123Y Widerstandsverhältnis R1/R2: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD123YKT147 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD13001 | DENMOS | на замовлення 1093 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD133EK | на замовлення 910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD133HKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD133HKT146 | на замовлення 14800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DTD143EC | RICOH | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD143EC | ROHM | SOT23 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN SOT-23 4.7kO Input Resist | на замовлення 6798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 20 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143ECT116 Код товару: 169680 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143ECT116 | ROHM | Description: ROHM - DTD143ECT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 3519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT116 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 500mA/50V w/bias resistors | на замовлення 8462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT116 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143ECT216 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143ECT216 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGITAL NPN 500mA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143ECT216 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EK | ROHM | SOT23 | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143EK | ROHM | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD143EK T146 | ROHM | SOT23-F23 | на замовлення 599 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143EK T146 SOT23-F23 | ROHM | на замовлення 599 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD143EKA | ROHM | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD143EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1086 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKFRAT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143EKFRAT146 | ROHM | Description: ROHM - DTD143EKFRAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 47hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD143E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 0.5A 4.7kO SOT-346 | на замовлення 4964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 8194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143EKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DIGIT NPN 50V 500MA | на замовлення 20664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 47 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143EKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143EKT146/F23 | ROHM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD143EKT146SOT23-F23 | ROHM | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD143ES | ROHM | TO-92S | на замовлення 80000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143ESTP | Rohm Semiconductor | Description: TRANS DIGITAL BJT NPN 500MA 3-PI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-72 Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SPT Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143TK | ROHM | SOT-23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143TKT146 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 50V 500MA | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 7573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 40V 0.5A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD143TKT146 | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 40V 500mA 3-Pin SMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD152Z | MAKITA | Description: MAKITA - DTD152Z - 18V IMPACT DRIVER BODY ONLY tariffCode: 82051000 Schlagrate, max.: 3200BPM Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen productTraceability: No rohsCompliant: YES Drehmoment: 165Nm Versorgungsspannung, V AC: - euEccn: NLR Batterie-/Akkuspannung: 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Eingangsleistung: -W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD153Z | MAKITA | Description: MAKITA - DTD153Z - 18V B/LESS IMPACT DRIVER - BARE UNIT tariffCode: 82051000 Schlagrate, max.: 3600BPM Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen productTraceability: No rohsCompliant: YES Drehmoment: 170Nm Versorgungsspannung, V AC: - euEccn: NLR Batterie-/Akkuspannung: 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Eingangsleistung: -W usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD17102 | DENMOS | на замовлення 659 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD26101 | DENMOS | на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTD50 | FISNAR | Category: Dispensers Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar Type of device: dispenser Version: pneumatic Syringe capacity: 50/50ml Soldering equipment features: for use with square back cartridges Operating pressure: 0...6.9bar | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD50 | FISNAR | Category: Dispensers Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar Type of device: dispenser Version: pneumatic Syringe capacity: 50/50ml Soldering equipment features: for use with square back cartridges Operating pressure: 0...6.9bar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD50-RB | FISNAR | Category: Dispensers Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar Type of device: dispenser Version: pneumatic Syringe capacity: 50/50ml Soldering equipment features: for use with round back cartridges Operating pressure: 0...6.9bar | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD50-RB | FISNAR | Category: Dispensers Description: Dispenser; pneumatic; 50/50ml; 0÷6.9bar Type of device: dispenser Version: pneumatic Syringe capacity: 50/50ml Soldering equipment features: for use with round back cartridges Operating pressure: 0...6.9bar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZE | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZETL | ROHM | Description: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm Dauer-Kollektorstrom Ic: 500 Transistormontage: Oberflächenmontage Basis-Eingangswiderstand R1: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - HF-Transistor: SOT-416 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTD513Z Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.1 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 28169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 10061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.15W Case: SC75A; SOT416 Current gain: 140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R | на замовлення 5775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZETL | ROHM | Description: ROHM - DTD513ZETL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZMGT2L | Rohm Semiconductor | Description: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V), | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZMGT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr | на замовлення 6759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZMGT2L | Rohm Semiconductor | Description: DIGITAL TRANSISTOR (500MA/12V), | на замовлення 6643 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD513ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD513ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD523YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD523YE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 5580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD523YE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD523YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | на замовлення 1963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD523YETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC75A; SOT416 Power dissipation: 0.15W Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Current gain: 140 Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 260MHz Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 12V Base resistor: 2.2kΩ Polarisation: bipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD523YETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN Digital Transistor | на замовлення 1831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD523YETL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SC75A,SOT416 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC75A; SOT416 Power dissipation: 0.15W Kind of transistor: BRT Type of transistor: NPN Current gain: 140 Base-emitter resistor: 10kΩ Frequency: 260MHz Collector current: 0.5A Collector-emitter voltage: 12V Base resistor: 2.2kΩ Polarisation: bipolar кількість в упаковці: 10 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD523YMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | DTD523YMT2L NPN SMD transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD523YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD523YMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543EE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543EE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | на замовлення 1212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 7819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XE3TL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543ZE3TL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 6388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543ZETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD543ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543ZMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | на замовлення 6993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD543ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 150mW Case: SOT723 Current gain: 140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD543ZMT2L | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 12V; 0.5A; 150mW; SOT723; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 0.5A Power dissipation: 150mW Case: SOT723 Current gain: 140 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD713ZETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD713ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD713ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | на замовлення 7527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD713ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRNSISTR DIGI NPN 200MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD713ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD713ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | на замовлення 7527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD723YETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD723YETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD723YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD723YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD723YMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD723YMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743EETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTD743EETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743EMT2L | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743EMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743XETL | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3EMT | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743XETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 2860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTD743XMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743XMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGI 200MA/30V 3VMT | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743ZETL | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743ZETL | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743ZMT2L | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTD743ZMT2L | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDG14GP Код товару: 106265 | Транзистори > Біполярні NPN | товар відсутній | ||||||||||||||||||
DTDG14GP | ROHM | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDG14GP | ROHM | SOT89 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDG14GP | ROHM | 09+ | на замовлення 997 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDG14GP/EO1P | ROHM | на замовлення 941 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||
DTDG14GPFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1 usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Bauform - Transistor: SOT-89 productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG14GPFRAT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: 1 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60 Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 euEccn: NLR Verlustleistung: 500 Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN Bauform - Transistor: SOT-89 Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Widerstandsverhältnis R1/R2: - Betriebstemperatur, max.: 150 Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG14GPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG14GPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDG14GPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 500mW; SC62,SOT89; 10kΩ Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDG14GPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms | на замовлення 11202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG14GPT100 | ROHM | SOT-89 09+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDG14GPT100 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGITAL NPN 60V 1A | на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG14P | ROHM | N A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDG23YP | ROHM | 09+ | на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 1.5W; SC62,SOT89; R1: 2.2kΩ Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 60V; 1A; 1.5W; SC62,SOT89; R1: 2.2kΩ Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 300 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1.5W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Case: SC62; SOT89 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 60V 1A | на замовлення 5409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | ROHM | Description: ROHM - DTDG23YPT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 2.2 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDG23YPT100 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.5 W Frequency - Transition: 80 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
DTDS14GP | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDS14GP HRAT100 | ROHM | SOT89 | на замовлення 795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDS14GPHRAT100 | ROHM | 98+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
DTDS14GPT100 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDUO3/16GB | Kingston Technology | Flash Card 16G-byte USB Flash Drive | товар відсутній | |||||||||||||||||
DTDV23YPHRAT101 | ROHM | 98+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |