Продукція > DMJ
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMJ2088-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band X Bridge Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2092-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands S and C Series Pair | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2092-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: SCHOTTKY BEAMLEAD SERIES PAIR Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Current - Max: 100 mA Power Dissipation (Max): 75 mW | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2093-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band X Series Pair | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2093-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: SCHOTTKY BEAMLEAD SERIES PAIR Packaging: Tray Package / Case: 3-SMD, Flat Lead Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Current - Max: 100 mA Power Dissipation (Max): 75 mW | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2208-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Bands S and C Common Cathode | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2209-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band X Common Cathode | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2210-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band Ku Common Cathode | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2246-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band Ku Anti Parallel | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2303-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands S and C Anti Parallel | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2304-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band X Anti Parallel | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2312-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands S and C Bridge Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2455-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Ring Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2502-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands S and C Ring Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2502-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: SCHOTTKY BEAMLEAD RING QUAD Packaging: Tray Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Diode Type: Schottky - 1 Bridge Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Part Status: Active Current - Max: 100 mA Power Dissipation (Max): 75 mW | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2667-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band Ku Ring Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2768-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band Ku Bridge Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2777-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band X Single | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2823-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: SCHOTTKY BEAMLEAD SINGLE Packaging: Tray Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Diode Type: PIN - Single Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Current - Max: 100 mA Power Dissipation (Max): 75 mW | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2823-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands S and C Single | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2824-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band Ku Single | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2825-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Single | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2832-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band Ku Series Pair | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2833-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: RF DIODE SCHOTTKY 75MW 504-012 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ2833-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Series Pair | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2836-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands K and Ka Common Cathode | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2839-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Bands K and Ka Anti Parallel | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2852-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Bands K and Ka Bridge Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ2990-000 | Skyworks Solutions, Inc. | PIN Diodes Band X Ring Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3928-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band S Ring Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3931-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band S Bridge Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3934-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band S Series Pair | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3937-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band S Ring Series Pair | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3940-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Bands S-X Octoquad | на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJ3944-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: SILICON SCHOTTKY BEAMLESS Packaging: Tray Package / Case: Die Diode Type: Schottky - Ring Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Supplier Device Package: Die Current - Max: 100 mA Power Dissipation (Max): 75 mW | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3944-000 | Skyworks Solutions | Diode RF Mixer Schottky 75mW 4-Pin | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3944-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band X Ring Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ3947-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers Band S Bk to Bk Crssvr Quad | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ4103-000 | Skyworks Solutions Inc. | Description: X-BAND,RINGQUAD,N-TYPE,HIGH DR Packaging: Tray Package / Case: Die Diode Type: Schottky - Ring Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TA) Supplier Device Package: Die Current - Max: 100 mA Power Dissipation (Max): 75 mW | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ4103-000 | Skyworks Solutions, Inc. | Schottky Diodes & Rectifiers X-BAND,BRIDGEQUAD Vr 1.5/3V -65C +150C | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ65H190SCTI | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220AB TUBE 50PCS | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ65H650SCTI | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ65H650SCTI | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB (Type TH) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D0SV3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SH3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET 700V N-Ch Enh FET 1.3Ohm 10Vgs 4.6A | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SH3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SI3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SI3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET 700V N-Ch Enh FET 1.3Ohm 10Vgs 4.6A | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH TO251 | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJ70H1D3SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 651V-800V TO252 T&R 2.5K | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SK3-13 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 651V800V TO252 T&R 2.5K | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SK3-13 | DIODES INCORPORATED | DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T& Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 264 pF @ 100 V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D4SJ3 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 651V~800V TO251 TUBE 75PCS | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D4SV3 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D4SV3 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H1D5SV3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H600HCTI | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 651V~800V ITO-220A Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB (Type TH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H600SH3 | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7A; Idm: 11A; 45W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 45W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H600SH3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H600SH3 | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7A; Idm: 11A; 45W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 45W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H601SK3 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H601SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H601SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H601SV3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ70H900HJ3 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 700V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ70H900HJ3 | Diodes Inc. / Pericom | MOSFET MOSFET BVDSS 651V-800V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ7N70SK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 700V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET Transistor PNP 30Vceo | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
DMJ7N70SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 700V 3.9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 50 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJAGU01 | BASSER | D.MDF.JAGUAR01 MDF Mounting Accessories | на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJBRN0850CP | Samsung | на замовлення 3992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
DMJEEP01 | BASSER | D.MDF.JEEP01 MDF Mounting Accessories | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJT9435-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT LOW VSAT PNP SMT | на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJT9435-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
DMJT9435-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1.2W Case: SOT223 Pulsed collector current: 6A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 160MHz | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJT9435-13 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Power dissipation: 1.2W Case: SOT223 Pulsed collector current: 6A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 160MHz кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
DMJT9435-13 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 300mA, 3A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 800mA, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 1.2 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|