Продукція > DI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI200N04D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N04D2-DIO SMD N channel transistors
товар відсутній
DI200N04PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 200A, 150C, N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.06 грн
10+ 241.68 грн
100+ 125.81 грн
500+ 125.11 грн
1000+ 120.89 грн
2500+ 106.83 грн
5000+ 100.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI200N10D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI200N10D2-DIO SMD N channel transistors
товар відсутній
DI200S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI200S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI200S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI2010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DI2010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI2010S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI201S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI201S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI201S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI202S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI202S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI202S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI204S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI204S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI204S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI206S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI206S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI206S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI208S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI208S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI208S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI208S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-20SH/DI20S-QI02/PJ///
товар відсутній
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
товар відсутній
DI2220V301R-00Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.142" (3.60mm)
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
товар відсутній
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 15615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.27 грн
10+ 138.52 грн
25+ 105.28 грн
50+ 93.62 грн
100+ 83.21 грн
250+ 78.01 грн
500+ 71.62 грн
1000+ 65.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI2220V301R-10Laird Performance MaterialsPower Inductors - SMD 300nH @ 8000 mA Monolithic 2220
на замовлення 5626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.12 грн
10+ 108.31 грн
100+ 78.72 грн
500+ 73.1 грн
1000+ 67.33 грн
2000+ 67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI2220V301R-10Laird-Signal Integrity ProductsDescription: FIXED IND 300NH 8A 10 MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2220 (5650 Metric)
Size / Dimension: 0.220" L x 0.200" W (5.59mm x 5.08mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Drum Core, Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 10mOhm Max
Material - Core: Ferrite
Inductance Frequency - Test: 25 MHz
Height - Seated (Max): 0.152" (3.86mm)
Part Status: Active
Inductance: 300 nH
Current Rating (Amps): 8 A
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+73.95 грн
4000+ 69.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DI2220V301R-10LAIRDInductor Power Shielded Wirewound 0.3uH 10% 2MHz 8A 0.01Ohm DCR 2220 Automotive T/R
товар відсутній
DI2220V301R-10Steward09+ SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI225MN/A
на замовлення 394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
851+14.18 грн
940+ 12.83 грн
Мінімальне замовлення: 851
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
товар відсутній
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 15...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.46 грн
40+ 10.4 грн
100+ 9.08 грн
105+ 8.34 грн
280+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 35
DI2579NDiotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 400V 1A 1250mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DI2579NDiotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 400V 1A SOT223
Packaging: Strip
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 350mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.14 грн
2000+ 26.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DI2579NDiotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-223, 700V, 1000mA, NPN
на замовлення 3516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.36 грн
13+ 26.67 грн
100+ 13.92 грн
500+ 13.78 грн
1000+ 13.35 грн
2000+ 11.74 грн
4000+ 8.5 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI2579NDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 1A; 1.25W; SOT223
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 15...30
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1.25W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.95 грн
25+ 12.96 грн
100+ 10.89 грн
105+ 10.01 грн
280+ 9.46 грн
4000+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFET, TOLL, 100V, 280A, 150C, N
товар відсутній
DI280N10TLDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, TOLL, 100V, 280A, 175C, N
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.44 грн
10+ 500.33 грн
100+ 260.76 грн
500+ 257.95 грн
1000+ 250.22 грн
2000+ 172.9 грн
4000+ 165.87 грн
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.44 грн
10+ 234.94 грн
100+ 190.04 грн
500+ 158.53 грн
1000+ 135.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI280N10TLDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 194A; Idm: 1.2kA; 425W; HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 194A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 425W
Case: HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI280N10TLDiotec SemiconductorDescription: MOSFET TOLL N 100V 0.002OHM 175C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 425mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 50 V
товар відсутній
DI2A2N100D1K-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товар відсутній
DI2A7N70D1KDiotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, DPAK, N, 700V, 2.7A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 350 V
товар відсутній
DI2A7N70D1KDIOTEC SEMICONDUCTORDI2A7N70D1K-DIO SMD N channel transistors
товар відсутній
DI2A7N70D1KDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 700V, 2.7A, 150C, N
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.94 грн
10+ 74.36 грн
100+ 38.73 грн
500+ 38.38 грн
1000+ 37.11 грн
2500+ 32.82 грн
5000+ 30.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI2A8N03PWK2DIOTEC SEMICONDUCTORDI2A8N03PWK2-DIO Multi channel transistors
товар відсутній