Продукція > DI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI100N04D1Diotec SemiconductorDiotec Semiconductor MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
товар відсутній
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.56 грн
10+ 92.83 грн
100+ 72.17 грн
500+ 57.41 грн
1000+ 46.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 450A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W
товар відсутній
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0021OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4766 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.81 грн
10+ 60.6 грн
100+ 47.14 грн
500+ 37.5 грн
1000+ 30.55 грн
2000+ 28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.78 грн
10+ 105.82 грн
100+ 55.35 грн
500+ 54.77 грн
1000+ 53.04 грн
2500+ 46.88 грн
5000+ 44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.18 грн
10+ 100.68 грн
100+ 80.16 грн
500+ 63.66 грн
1000+ 54.01 грн
2000+ 51.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+141.42 грн
10+ 114.74 грн
16+ 68.83 грн
43+ 65.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W
товар відсутній
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.51 грн
10+ 191.64 грн
100+ 99.99 грн
500+ 98.54 грн
1000+ 95.64 грн
2500+ 84.05 грн
5000+ 54.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 480A; 60W; QFN5x6
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 6.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
Case: QFN5x6
на замовлення 4575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.85 грн
10+ 92.08 грн
16+ 57.36 грн
43+ 54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification
товар відсутній
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.15 грн
10+ 235.8 грн
100+ 122.45 грн
500+ 121 грн
1000+ 117.37 грн
2500+ 103.61 грн
5000+ 97.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.18 грн
10+ 123.77 грн
100+ 98.52 грн
500+ 78.23 грн
1000+ 66.38 грн
2000+ 63.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI100N10PQ-QDiotec SemiconductorDC/DC ConvertersPower SuppliesDC DrivesPower ToolsSynchronous RectifiersCommercial / industrial grade 1)Suffix -Q: AEC-Q101 complian
товар відсутній
DI100SPANJIT09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI100SPANJIT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI1010S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI1010ST/PPanjitДиодный мост SDIP-4 U=1000V I=1A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+146.3 грн
10+ 27.17 грн
100+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI1010S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1010S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товар відсутній
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SDIP 4L
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.2 грн
23+ 16.53 грн
50+ 13.28 грн
100+ 11.85 грн
121+ 7.32 грн
332+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Features of semiconductor devices: glass passivated
Case: SDIP 4L
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.24 грн
14+ 20.6 грн
50+ 15.94 грн
100+ 14.22 грн
121+ 8.78 грн
332+ 8.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
50+ 13.65 грн
100+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102/TP//HF/0.05K/DIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10H/DI10-QI27/PJ///
товар відсутній
DI104-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588		BoplaКорпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний
у наявності 20 шт:
18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+7 грн
10+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI104S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers RECTIFIER 400V 1A BRIDGE
товар відсутній
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI104_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.4 грн
10+ 52.91 грн
100+ 41.17 грн
500+ 32.75 грн
1000+ 26.68 грн
2000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.5 грн
10+ 73.16 грн
100+ 42.39 грн
500+ 33.18 грн
1000+ 27.75 грн
5000+ 24.27 грн
10000+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI105N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 520A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI105N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 520A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI106PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+312 грн
10+ 62.4 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI106S R2 00001PanjitBridge Rectifiers PAN-JIT AMERICAS
товар відсутній
DI106S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.19 грн
14+ 24.83 грн
100+ 14.71 грн
500+ 11.01 грн
1000+ 8.19 грн
2500+ 7.54 грн
5000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.57 грн
25+ 15.55 грн
50+ 12.45 грн
100+ 11.09 грн
129+ 6.79 грн
353+ 6.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.28 грн
15+ 19.37 грн
50+ 14.94 грн
100+ 13.31 грн
129+ 8.15 грн
353+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
62+10.14 грн
69+ 9.13 грн
100+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 62
DI108-T0-00001PanjitPanjit
товар відсутній
DI108S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товар відсутній
DI108S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товар відсутній
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.48 грн
12+ 26.04 грн
100+ 15.61 грн
500+ 13.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
на замовлення 5219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.7 грн
12+ 28.58 грн
100+ 14.93 грн
500+ 13.84 грн
1000+ 9.42 грн
1500+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.06 грн
10+ 28.59 грн
25+ 19.56 грн
100+ 16.39 грн
127+ 8.42 грн
348+ 7.97 грн
24000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.89 грн
17+ 22.94 грн
25+ 16.3 грн
100+ 13.66 грн
127+ 7.02 грн
348+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
товар відсутній
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+13.46 грн
30+ 11 грн
100+ 9.33 грн
125+ 8.78 грн
335+ 8.33 грн
1000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.22 грн
45+ 8.83 грн
100+ 7.77 грн
125+ 7.32 грн
335+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 40
DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.3 грн
50+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.7 грн
12+ 25.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 74A; Idm: 92A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.07 грн
10+ 121.65 грн
100+ 63.61 грн
500+ 63.03 грн
1000+ 61.01 грн
2500+ 53.91 грн
5000+ 34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 74A; Idm: 92A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 420A
Power dissipation: 35W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 163nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
DI110N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
товар відсутній
DI110N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.72 грн
10+ 94.15 грн
100+ 48.91 грн
500+ 48.47 грн
1000+ 46.88 грн
2500+ 41.52 грн
5000+ 38.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+ 53.59 грн
100+ 41.68 грн
500+ 33.16 грн
1000+ 27.01 грн
2000+ 25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI110N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N06D1Diotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, DPAK, N, 65V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
товар відсутній
DI110N06D1-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товар відсутній
DI110N06D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.22 грн
10+ 239.13 грн
100+ 124.62 грн
500+ 123.17 грн
800+ 119.55 грн
2400+ 105.78 грн
4800+ 99.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI110N06D2Diotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товар відсутній
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A, 0.0032
товар відсутній
DI110N06D2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 480A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+472.31 грн
2500+ 356.84 грн
5000+ 243.14 грн
10000+ 227.18 грн
Мінімальне замовлення: 1250
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W
товар відсутній
DI110N15PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N15PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N15PQ-QDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N15PQ-QDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товар відсутній
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
на замовлення 7848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.81 грн
14+ 23.83 грн
100+ 14.42 грн
500+ 12.68 грн
1000+ 11.81 грн
3000+ 5.43 грн
9000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 700V
Collector current: 0.25A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Current gain: 10...40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorDescription: TRANS NPN 450V 0.25A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
DI135N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 560A; 92.6W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI135N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 85A; Idm: 560A; 92.6W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI145N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
товар відсутній
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товар відсутній
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFETs MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.88 грн
10+ 202.47 грн
100+ 105.06 грн
500+ 104.33 грн
1000+ 101.43 грн
2500+ 89.12 грн
5000+ 84.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.4 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI150N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 400A; 125W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.75 грн
10+ 102.11 грн
100+ 81.27 грн
500+ 64.53 грн
1000+ 54.76 грн
2000+ 52.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товар відсутній
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI1510S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI1510S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 1kV
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SDIP 4L
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI1510S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 1kV
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SDIP 4L
товар відсутній
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.18 грн
12+ 30.08 грн
100+ 18.19 грн
500+ 14.2 грн
1000+ 11.52 грн
1500+ 10.22 грн
9000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
50+ 25.63 грн
100+ 19.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.42 грн
12+ 28.16 грн
100+ 18.11 грн
500+ 14.13 грн
1000+ 10.22 грн
2500+ 9.78 грн
10000+ 9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товар відсутній
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товар відсутній
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI152_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
товар відсутній
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI152_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 200V
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI154SPANJIT09+ sop
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI154S-LPANJIT0829+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI154S-LPANJIT08+ SOP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI154S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SDIP 4L
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.05 грн
13+ 27.41 грн
100+ 16.59 грн
500+ 12.97 грн
1000+ 10.51 грн
1500+ 9.35 грн
9000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
DI154S_R2_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1.5A; Ifsm: 50A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. forward impulse current: 50A
Load current: 1.5A
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 0.4kV
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SDIP 4L
товар відсутній
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI15530-9HARRISDIP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI156PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI158S_R2_00001PanJit SemiconductorDI158S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товар відсутній
DI1A5N60D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.97A; Idm: 6A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.97A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній