Продукція > B1D
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B1D03120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D03120E SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D05120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D05120E SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D06065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065F SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D06065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D06065KS THT Schottky diodes | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Power dissipation: 48W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D08065F | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 8A; TO263-2; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO263-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Power dissipation: 48W Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Power dissipation: 56W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D08065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.75V Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Power dissipation: 56W Kind of package: tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Power dissipation: 32W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D08065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ISO; Ir: 10uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: TO220ISO Max. forward voltage: 1.73V Max. forward impulse current: 64A Leakage current: 10µA Power dissipation: 32W Kind of package: tube | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D10065E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065E SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D10065F | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065F SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Power dissipation: 68W Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.75V Case: TO247-2 Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20µA Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. forward impulse current: 75A Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D10065H | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO247-2; Ir: 20uA Type of diode: Schottky rectifying Power dissipation: 68W Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.75V Case: TO247-2 Semiconductor structure: single diode Leakage current: 20µA Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Max. forward impulse current: 75A Technology: SiC | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D10065KS | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10065KS THT Schottky diodes | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D10120E | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D10120E SMD Schottky diodes | товару немає в наявності | |||||||||||||
B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Power dissipation: 84W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 10µA | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D15065K | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 10uA Mounting: THT Power dissipation: 84W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Case: TO220-2 Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 1.75V Load current: 15A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 112A Leakage current: 10µA кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA Mounting: THT Case: TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 16A Max. forward voltage: 1.75V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Power dissipation: 73W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D16065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; Ir: 10uA Mounting: THT Case: TO247-3 Max. off-state voltage: 650V Max. load current: 16A Max. forward voltage: 1.75V Load current: 8A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward impulse current: 60A Leakage current: 10µA Power dissipation: 73W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Application: automotive industry Max. load current: 20A Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Technology: SiC | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D20065HC | BASiC SEMICONDUCTOR | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Case: TO247-3 Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Application: automotive industry Max. load current: 20A Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Kind of package: tube Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D30065TF | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D30065TF THT Schottky diodes | на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1D40065H | BASiC SEMICONDUCTOR | B1D40065H THT Schottky diodes | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||
B1DF | DC COMPONENTS | B1DF-DC SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. | на замовлення 2369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|