Продукція > AID
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AID7890AB | N/A | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
AIDA 853 Код товару: 154503 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товар відсутній | ||||||||||||||||
AIDB0 | VENTION | Category: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt. Description: Converter; HDMI 1.4; black Type of transition: converter Version: HDMI 1.4 Cable/adapter structure: D-Sub 15pin HD socket; HDMI plug; Jack 3.5mm socket Contact plating: gold-plated; nickel plated Colour: black | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDB0 | VENTION | Category: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt. Description: Converter; HDMI 1.4; black Type of transition: converter Version: HDMI 1.4 Cable/adapter structure: D-Sub 15pin HD socket; HDMI plug; Jack 3.5mm socket Contact plating: gold-plated; nickel plated Colour: black кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDB2150ZD000 | YAGEO | AIDB2150ZD000-YAG Unclassified | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDB2330ZB000 | KEMET | Description: CX+2X2 2X0.V Packaging: Bulk | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDB2330ZB000 | YAGEO | Category: Suppression filters - Unclassified Description: Filter: anti-interference | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDB2330ZB000 | YAGEO | Category: Suppression filters - Unclassified Description: Filter: anti-interference кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDC24V5V10AP | Analog Technologies, Inc. | Description: ISOLATED 50W DC-DC CONVERTER Packaging: Box Package / Case: 6-DIP Module Size / Dimension: 2.00" L x 1.00" W x 0.37" H (50.8mm x 25.4mm x 9.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (With Derating) Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 90% Current - Output (Max): 10A Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 5V Part Status: Active Power (Watts): 50 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDC24V5V10APH | Analog Technologies | Description: ISOLATED 50W DC-DC Converter Packaging: Tape & Box (TB) Part Status: Active Package / Case: 6-DIP Module Size / Dimension: 2.00" L x 1.00" W x 0.37" H (50.8mm x 25.4mm x 9.5mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 36V Efficiency: 90% Current - Output (Max): 10A Voltage - Input (Min): 18V Voltage - Output 1: 5V Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDC5V5V200MATH | Analog Technologies, Inc. | Description: ISOLATED 1W DC-DC CONVERTER Packaging: Box Package / Case: 4-SIP Module Size / Dimension: 0.45" L x 0.24" W x 0.39" H (11.5mm x 6.0mm x 10.0mm) Mounting Type: Through Hole Type: Isolated Module Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Applications: ITE (Commercial) Voltage - Input (Max): 5.5V Efficiency: 80% Current - Output (Max): 200mA Voltage - Input (Min): 4.5V Voltage - Output 1: 5V Part Status: Active Power (Watts): 1 W Number of Outputs: 1 Voltage - Isolation: 1.5 kV | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK08S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE DIODES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK08S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK08S65C5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIDK08S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 13nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: CoolSiC Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK08S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK08S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE DIODES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 248pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE DIODES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; PG-TO263-2; 53W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 53W Case: PG-TO263-2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.1V Load current: 10A Leakage current: 12µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 33A кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 2022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 10A; PG-TO263-2; 53W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 53W Case: PG-TO263-2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Max. forward voltage: 2.1V Load current: 10A Leakage current: 12µA Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 33A | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE DIODES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIDK10S65C5ATMA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC Gen V, Einfach, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-263 tariffCode: 85411000 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK12S65C5 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers DISCRETE DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE DIODES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 12A; PG-TO263-2; 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.1V Case: PG-TO263-2 Kind of package: reel; tape Leakage current: 14µA Max. forward impulse current: 40A Power dissipation: 62W кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE DIODES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 363pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: PG-TO263-2 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 70 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 12A; PG-TO263-2; 62W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 2.1V Case: PG-TO263-2 Kind of package: reel; tape Leakage current: 14µA Max. forward impulse current: 40A Power dissipation: 62W | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK16S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK16S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001725240 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDK16S65C5ATMA1 | Infineon Technologies | Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW10S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: TO247-3 Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Application: automotive industry Load current: 10A Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 58A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW10S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 303pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q100/101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW10S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; 65W; TO247-3 Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Power dissipation: 65W Case: TO247-3 Mounting: THT Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 650V Application: automotive industry Load current: 10A Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 58A | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW10S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 76W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 76W Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 71A Semiconductor structure: single diode Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Technology: CoolSiC™ 5G; SiC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO247 | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; 76W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 76W Application: automotive industry Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 71A Semiconductor structure: single diode Load current: 12A Max. off-state voltage: 650V Technology: CoolSiC™ 5G; SiC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW16S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW16S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Application: automotive industry Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 95A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW16S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; 94W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 94W Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Application: automotive industry Max. off-state voltage: 650V Load current: 16A Semiconductor structure: single diode Type of diode: Schottky rectifying Max. forward impulse current: 95A | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW16S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 16A TO247 | на замовлення 364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
AIDW16S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW20S65C5 | Infineon Technologies | Infineon DISCRETE DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 112W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Application: automotive industry Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 103A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 112W Type of diode: Schottky rectifying кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; 112W; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Application: automotive industry Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 103A Max. off-state voltage: 650V Power dissipation: 112W Type of diode: Schottky rectifying | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 584pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 650 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 20A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW30E60 | Infineon Technologies | Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3 Packaging: Tube Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW30S65C5 | Infineon Technologies | Infineon DISCRETE DIODES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIDW30S65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 650V, Einfach, 650 V, 30 A, 43 nC, TO-247 tariffCode: 85411000 productTraceability: No Kapazitive Gesamtladung: 43nC rohsCompliant: YES Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW40S65C5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIDW40S65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 5G 650V, Einfach, 650 V, 40 A, 56 nC, TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 56 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40 Anzahl der Pins: 3 Pins Bauform - Diode: TO-247 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: CoolSiC 5G 650V SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW40S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: DIODE SCHOTTKY 650V 40A TO247 | на замовлення 573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIDW40S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW40S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Rectifier Diode Schottky SiC 650V 40A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIDW40S65C5XKSA1 | Infineon Technologies | Schottky Diodes & Rectifiers SIC_DISCRETE | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|