Продукція > A5G

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
A5G07H800W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11411.12 грн
10+ 10535.2 грн
25+ 8865.84 грн
A5G07H800W19NR3NXP SemiconductorsRF Power GaN Transistor
товар відсутній
A5G07H800W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Power - Output: 112W
Gain: 18.3dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товар відсутній
A5G08H800W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 865MHz ~ 960MHz
Power - Output: 112W
Gain: 18.2dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 350 mA
товар відсутній
A5G08H800W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11411.94 грн
10+ 10535.2 грн
25+ 8865.84 грн
A5G18H610W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10144.22 грн
10+ 9256.49 грн
25+ 7755.33 грн
50+ 7562.74 грн
A5G18H610W19NR3NXP USA Inc.Description: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-780-4S4S
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 85W
Gain: 16.6dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: OM-780-4S4S
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 300 mA
товар відсутній
A5G21H605W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10687.88 грн
10+ 9752.78 грн
25+ 8172.12 грн
50+ 7968.29 грн
A5G23H065NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 8.8W
Gain: 15.5dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 30 mA
товар відсутній
A5G23H065NT4NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 2300-2400 MHz, 8.8 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G23H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Amplifier, 2300-2400 MHz, 13.8 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G23H110NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.3GHz ~ 2.4GHz
Power - Output: 13.8W
Gain: 17.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 60 mA
товар відсутній
A5G26H110N-2496NXP USA Inc.Description: RF MOSFET 48V 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17.7dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
A5G26H110N-2496NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G26H110N 2496-2690 MHz Reference Circuit
товар відсутній
A5G26H110N-2496NXP SemiconductorsAir Fast RF Power GaN Transistor
товар відсутній
A5G26H110NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 15W
Gain: 17.7dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (7x6.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
A5G26H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26H605W19NR3NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11219.24 грн
10+ 10237.75 грн
25+ 8578.37 грн
50+ 8365.41 грн
A5G26S004NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 24 dBm Avg., 48 V
товар відсутній
A5G26S004NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
A5G26S008NT6NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.496GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 27dBm
Gain: 18.4dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 17 mA
товар відсутній
A5G26S008NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2300-2690 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
товар відсутній
A5G35H055NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G35H055NT4NXP USA Inc.Description: RF MOSFET LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
A5G35H110N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35H110N 3400-3600 MHz Reference Circuit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 144-153 дні (днів)
1+35326.42 грн
A5G35H110NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
товар відсутній
A5G35H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G35H120NT2NXP USA Inc.Description: RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 3.7GHz
Power - Output: 18W
Gain: 14.1dB
Technology: GaN
Supplier Device Package: 10-DFN (7x10)
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 70 mA
товар відсутній
A5G35H120NT2NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3520.26 грн
10+ 3091.69 грн
25+ 2528.18 грн
50+ 2443.83 грн
100+ 2359.49 грн
250+ 2275.15 грн
500+ 2169.02 грн
A5G35S004N-3400NXP USA Inc.Description: A5G35S004N 3400-4300 MHZ REFEREN
товар відсутній
A5G35S004N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35S004N 3400-4300 MHz Reference Circuit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 204-213 дні (днів)
1+9713.72 грн
A5G35S004NT6NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.3GHz ~ 4.3GHz
Power - Output: 24.5dBm
Gain: 16.9dB
Supplier Device Package: 6-PDFN (4x4.5)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 12 mA
товар відсутній
A5G35S004NT6NXP SemiconductorsGaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-4300 MHz, 24.5 dBm Avg., 48 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1248.86 грн
10+ 1084.72 грн
25+ 917.93 грн
50+ 866.62 грн
100+ 816.02 грн
250+ 790.01 грн
500+ 739.41 грн
A5G35S008N-3400NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G35S008N 3400-3600 MHz Reference Circuit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 152-161 дні (днів)
1+8364.82 грн
A5G35S008NT6NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3300-3800 MHz, 27 dBm Avg., 48 V
товар відсутній
A5G37H110NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Amplifier, 3600-3800 MHz, 13.5 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G37H110NT4NXP USA Inc.Description: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
товар відсутній
A5G38H045N-3700NXP SemiconductorsRF Development Tools A5G38H045N 3700-3980 MHz Reference Circuit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+26983.74 грн
A5G38H045NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-4000 MHz, 5.4 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5G38H045NT4NXP SemiconductorsAir Fast RF Power GAN Transistor
товар відсутній
A5G38H055NT4NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3700-3980 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
товар відсутній
A5GASOT153
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A5GF4Y01
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A5GS-2401PIAllied Components InternationalDescription: 5G POE+
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 160µH
Size / Dimension: 0.728" L x 0.492" W (18.50mm x 12.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 5G Base-T, Power over Ethernet (PoE)
Turns Ratio - Primary:Secondary: 1CT:1CT
Height - Seated (Max): 0.270" (6.85mm)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.23 грн
5+ 530.8 грн
10+ 494.2 грн
15+ 446.61 грн