Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (139418) > Сторінка 367 з 2324

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 464 696 928 1160 1392 1624 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IPB032N10N5ATMA1 IPB032N10N5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB032N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5c47b25335ca Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.9 грн
10+ 227.11 грн
100+ 183.68 грн
500+ 153.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFHM9331TR2PBF IRFHM9331TR2PBF Infineon Technologies irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59 Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
товар відсутній
BC859-C BC859-C Infineon Technologies INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13172+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 13172
F423MR12W1M1PB11BPSA1 F423MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-F4-23MR12W1M1P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d436f59f37dd3 Description: MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.68nF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
Part Status: Obsolete
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11590.17 грн
F423MR12W1M1B11BOMA1 F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon Technologies Infineon-F4-23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690e9d9fb63802 Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11079.72 грн
62-0258PBF Infineon Technologies Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
товар відсутній
ESD207B102ELSE6327XTSA1 ESD207B102ELSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD207-B1-02.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.1VC TSSLP-2-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
на замовлення 2200769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 6662
FS25R12KT3BOSA1 FS25R12KT3BOSA1 Infineon Technologies Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef Description: IGBT MOD 1200V 40A 145W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5534.8 грн
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 Infineon Technologies INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній
BCR601XUMA1 BCR601XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023 Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 10mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: Analog
Voltage - Supply (Max): 60V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BCR601XUMA1 BCR601XUMA1 Infineon Technologies Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023 Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 10mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: Analog
Voltage - Supply (Max): 60V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.25 грн
10+ 58.6 грн
25+ 55.03 грн
100+ 42.14 грн
250+ 39.15 грн
500+ 33.32 грн
1000+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPU80R1K4CEBKMA1 IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
831+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 831
BGSF1717MN26E6327XTSA1 BGSF1717MN26E6327XTSA1 Infineon Technologies BGSF1717MN26.pdf Description: IC RF SWITCH SP7T 2.7GHZ TSNP26
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP7T
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 1.2V ~ 1.8V
Frequency Range: 100MHz ~ 2.7GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-26-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 385
TLS810A1LDV33XUMA1 TLS810A1LDV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLS810A1LD+V33-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015921017a7b3679 Description: IC REG LIN 3.3V 100MA TSON-10-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10-2
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 15 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.72 грн
10+ 100.48 грн
25+ 95.34 грн
100+ 73.49 грн
250+ 68.7 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 47.14 грн
2500+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0 Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 379
IPA60R520CP IPA60R520CP Infineon Technologies INFNS17418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 55486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 270
IPA60R280E6 IPA60R280E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583476-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R299CP IPA60R299CP Infineon Technologies INFN-S-A0004583224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R299CPXKSA1 IPA60R299CPXKSA1 Infineon Technologies IPA60R299CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e706449c7 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31
товар відсутній
IPA60R190E6 IPA60R190E6 Infineon Technologies INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R165CP IPA60R165CP Infineon Technologies INFNS16943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R600E6 IPA60R600E6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 379
IPA60R520C6 IPA60R520C6 Infineon Technologies INFN-S-A0001300323-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6XKSA1 Infineon Technologies IPA60R520C6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 111009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
424+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 424
BAT1504RE6152HTSA1 BAT1504RE6152HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83 Description: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.02 грн
11+ 28.77 грн
100+ 20.04 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRGP30B120KD-EP-INF Infineon Technologies Description: MOTOR CONTROL CO-PACK IGBT W/ULT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BAR161E6327HTSA1 BAR161E6327HTSA1 Infineon Technologies Bar14_15_16.pdf Description: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 50V, 1MHz
Resistance @ If, F: 12Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Current - Max: 140 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1731+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 1731
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NS-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC028N06NSSCATMA1 BSC028N06NSSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC028N06NS-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.32 грн
10+ 140.12 грн
100+ 97.96 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 68.69 грн
2000+ 66.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+199 грн
Мінімальне замовлення: 2500
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.07 грн
10+ 342.88 грн
25+ 324.18 грн
100+ 263.67 грн
250+ 250.15 грн
500+ 224.46 грн
1000+ 186.2 грн
SIDC42D120E6X1SA4 Infineon Technologies SIDC42D120E6_L4192P.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435e2a46402&fileId=db3a304412b407950112b435e3206403 Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC42D120F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC42D120F6_L4195M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435635962d8&fileId=db3a304412b407950112b43563d462d9 Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
111-4181PBF Infineon Technologies Description: IC GATE DRIVER SMD
товар відсутній
TLE9183QKXUMA1 TLE9183QKXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9183QK-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189018597be106e Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BCR 521 E6327 Infineon Technologies INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
BCW60DE6327 BCW60DE6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7397+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 7397
BCW 60FF E6327 BCW 60FF E6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6340+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 6340
BCW 60D E6327 BCW 60D E6327 Infineon Technologies INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8013+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 8013
BCW60FN BCW60FN Infineon Technologies INFNS19454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
BCW60FE6327 BCW60FE6327 Infineon Technologies Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012fb516e6041665 Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
EVAL1ED44175N01BTOBO1 EVAL1ED44175N01BTOBO1 Infineon Technologies Infineon-Technical_description_1ED44175N01B_Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4626e41e490016e49fdf0691d81 Description: EVAL-1ED44175N01B
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1ED44175N01B
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2050.36 грн
BSM35GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies EUPCS02670-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOPACK 2K
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товар відсутній
PEF33008HLV2.1 Infineon Technologies Description: VINETIC VOICE ACCESS SOLUTION
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+465.5 грн
Мінімальне замовлення: 47
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6FKSA1 Infineon Technologies IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+103.44 грн
Мінімальне замовлення: 204
IPW60R280C6 IPW60R280C6 Infineon Technologies INFN-S-A0004583477-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+109 грн
Мінімальне замовлення: 210
IPW60R024P7XKSA1 IPW60R024P7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48730044ab3 Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+911.96 грн
30+ 531.88 грн
120+ 455.65 грн
TT270N16KOFHPSA1 Infineon Technologies Infineon--DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304343fd3ea2014401a5b00c4d2b Description: SCR MODULE 1.6KV 450A MODULE
товар відсутній
TLE42694GXUMA2 TLE42694GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TLE42694-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967f7863e53 Description: IC REG LINEAR 5V 100MA DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 70dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 8 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.05 грн
10+ 102.36 грн
25+ 97.14 грн
100+ 74.9 грн
250+ 70.01 грн
500+ 61.87 грн
1000+ 48.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
ICL8001G ICL8001G Infineon Technologies INFNS16795-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: FLYBACK AND PFC LED CONTROLLER
на замовлення 237659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 419
ICL8002G ICL8002G Infineon Technologies INFNS19108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC LED DRIVER OFFL PWM 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9.8V
Voltage - Supply (Max): 26V
товар відсутній
BCW68HE6327 BCW68HE6327 Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
ICE3AR10080JZTXKLA1 ICE3AR10080JZTXKLA1 Infineon Technologies INFNS26909-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 1.1A, 113KHZ SWITCHING FREQ-MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-4
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Voltage - Start Up: 17 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Active
Power (Watts): 22 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 353
ICE3A2065I ICE3A2065I Infineon Technologies CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-46
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power (Watts): 102 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 270
ICE3A0565 ICE3A0565 Infineon Technologies INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: 100KHZ SWITCHING FREQ-MAX
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
SMBTA14E6327HTSA1872 SMBTA14E6327HTSA1872 Infineon Technologies SIEMD096-1805.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
SMBTA14E6327 SMBTA14E6327 Infineon Technologies INFNS10710-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANSISTOR DARLINGTON NPN 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 210081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2874+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 2874
SMBTA14E6327XT SMBTA14E6327XT Infineon Technologies SIEMD096-1805.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2874+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 2874
2ED21814S06JXUMA1 2ED21814S06JXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.52 грн
10+ 114.79 грн
25+ 103.34 грн
100+ 85.18 грн
250+ 79.55 грн
500+ 76.16 грн
1000+ 72.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
2ED2182S06FXUMA1 2ED2182S06FXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IPB032N10N5ATMA1 Infineon-IPB032N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b5c47b25335ca
IPB032N10N5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.9 грн
10+ 227.11 грн
100+ 183.68 грн
500+ 153.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFHM9331TR2PBF irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59
IRFHM9331TR2PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A 3X3 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1543 pF @ 25 V
товар відсутній
BC859-C INFNS16508-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC859-C
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13172+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 13172
F423MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon-F4-23MR12W1M1P_B11-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d436f59f37dd3
F423MR12W1M1PB11BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.68nF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 50A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 20mA
Supplier Device Package: AG-EASY1B-2
Part Status: Obsolete
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11590.17 грн
F423MR12W1M1B11BOMA1 Infineon-F4-23MR12W1M1_B11-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690e9d9fb63802
F423MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.68 nF @ 800 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+11079.72 грн
62-0258PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
товар відсутній
ESD207B102ELSE6327XTSA1 ESD207-B1-02.pdf
ESD207B102ELSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 8.1VC TSSLP-2-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 14pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-3
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 3.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 8.1V
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
на замовлення 2200769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 6662
FS25R12KT3BOSA1 Infineon-FS25R12KT3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b431414d53ef
FS25R12KT3BOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 40A 145W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5534.8 грн
IPG20N04S409ATMA1 INFNS15593-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL_30/40V
товар відсутній
BCR601XUMA1 Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023
BCR601XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 10mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: Analog
Voltage - Supply (Max): 60V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BCR601XUMA1 Infineon-BCR601-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46268554f4a016855b5d62d0023
BCR601XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRVR LIN ANALOG 10MA 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: Linear
Applications: LED Lighting
Current - Output / Channel: 10mA
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: Analog
Voltage - Supply (Max): 60V
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.25 грн
10+ 58.6 грн
25+ 55.03 грн
100+ 42.14 грн
250+ 39.15 грн
500+ 33.32 грн
1000+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPU80R1K4CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K4CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402f3b471926eb
IPU80R1K4CEBKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
831+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 831
BGSF1717MN26E6327XTSA1 BGSF1717MN26.pdf
BGSF1717MN26E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SP7T 2.7GHZ TSNP26
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-WFQFN Exposed Pad
Impedance: 50Ohm
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: SP7T
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 1.2V ~ 1.8V
Frequency Range: 100MHz ~ 2.7GHz
Supplier Device Package: PG-TSNP-26-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 385
TLS810A1LDV33XUMA1 Infineon-TLS810A1LD+V33-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015921017a7b3679
TLS810A1LDV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LIN 3.3V 100MA TSON-10-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-TFDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 10 µA
Voltage - Input (Max): 42V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-TSON-10-2
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 60dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.65V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
Current - Supply (Max): 15 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 11660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.72 грн
10+ 100.48 грн
25+ 95.34 грн
100+ 73.49 грн
250+ 68.7 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 47.14 грн
2500+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a304327b8975001281b23402b1aa0
IPA60R600E6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
379+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 379
IPA60R520CP INFNS17418-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R520CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
на замовлення 55486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+78.75 грн
Мінімальне замовлення: 270
IPA60R280E6 INFN-S-A0004583476-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R280E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V 0.28OHM N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R299CP INFN-S-A0004583224-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R299CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V COOLMOS POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R299CPXKSA1 IPA60R299CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e706449c7
IPA60R299CPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3-31
товар відсутній
IPA60R190E6 INFN-S-A0003614948-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R190E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V 0.19OHM N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 630µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R165CP INFNS16943-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R165CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R600E6 INFN-S-A0004583464-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R600E6
Виробник: Infineon Technologies
Description: 600V, 0.6OHM, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
379+56.04 грн
Мінімальне замовлення: 379
IPA60R520C6 INFN-S-A0001300323-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPA60R520C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
товар відсутній
IPA60R520C6XKSA1 IPA60R520C6.pdf
IPA60R520C6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V
на замовлення 111009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
424+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 424
BAT1504RE6152HTSA1 Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83
BAT1504RE6152HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 4V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Max: 110 mA
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.02 грн
11+ 28.77 грн
100+ 20.04 грн
500+ 14.68 грн
1000+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRGP30B120KD-EP-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOTOR CONTROL CO-PACK IGBT W/ULT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
BAR161E6327HTSA1 Bar14_15_16.pdf
BAR161E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Diode Type: PIN - 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 0.5pF @ 50V, 1MHz
Resistance @ If, F: 12Ohm @ 10mA, 100MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 100V
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Current - Max: 140 mA
Power Dissipation (Max): 250 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1731+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 1731
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon-BSC028N06NS-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+73.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSC028N06NSSCATMA1 Infineon-BSC028N06NS-DataSheet-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465d221bd62f9
BSC028N06NSSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.32 грн
10+ 140.12 грн
100+ 97.96 грн
500+ 80.06 грн
1000+ 68.69 грн
2000+ 66.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1404Q048X0200AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+199 грн
Мінімальне замовлення: 2500
XMC1404Q048X0200AAXUMA1 Infineon-XMC1400-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1404Q048X0200AAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 200KB FLASH 48VQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 200KB (200K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, LED, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-73
Part Status: Active
Number of I/O: 34
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.07 грн
10+ 342.88 грн
25+ 324.18 грн
100+ 263.67 грн
250+ 250.15 грн
500+ 224.46 грн
1000+ 186.2 грн
SIDC42D120E6X1SA4 SIDC42D120E6_L4192P.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435e2a46402&fileId=db3a304412b407950112b435e3206403
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
SIDC42D120F6X1SA3 SIDC42D120F6_L4195M.pdf?folderId=db3a304412b407950112b435635962d8&fileId=db3a304412b407950112b43563d462d9
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE GP 1.2KV 50A WAFER
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: Sawn on foil
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 27 µA @ 1200 V
товар відсутній
111-4181PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRIVER SMD
товар відсутній
TLE9183QKXUMA1 Infineon-TLE9183QK-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189018597be106e
TLE9183QKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 3
Gate Type: N-Channel MOSFET
Grade: Automotive
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BCR 521 E6327 INFNS16393-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
товар відсутній
BCW60DE6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW60DE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 13852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7397+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 7397
BCW 60FF E6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 60FF E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6340+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 6340
BCW 60D E6327 INFNS11039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW 60D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8013+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 8013
BCW60FN INFNS19454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW60FN
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
BCW60FE6327 Infineon-BCW60_BCX70-DS-v01_01-en[1].pdf?fileId=db3a30432f91014f012fb516e6041665
BCW60FE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
EVAL1ED44175N01BTOBO1 Infineon-Technical_description_1ED44175N01B_Low-side_driver-ApplicationNotes-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4626e41e490016e49fdf0691d81
EVAL1ED44175N01BTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL-1ED44175N01B
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1ED44175N01B
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2050.36 грн
BSM35GD120DN2BOSA1 EUPCS02670-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOPACK 2K
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2 nF @ 25 V
товар відсутній
PEF33008HLV2.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: VINETIC VOICE ACCESS SOLUTION
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+465.5 грн
Мінімальне замовлення: 47
IPW60R280C6FKSA1 IPW60R280C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e0123a4478e7f275a
IPW60R280C6FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 14160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+103.44 грн
Мінімальне замовлення: 204
IPW60R280C6 INFN-S-A0004583477-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPW60R280C6
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
210+109 грн
Мінімальне замовлення: 210
IPW60R024P7XKSA1 Infineon-IPW60R024P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462696dbf120169b48730044ab3
IPW60R024P7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+911.96 грн
30+ 531.88 грн
120+ 455.65 грн
TT270N16KOFHPSA1 Infineon--DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a304343fd3ea2014401a5b00c4d2b
Виробник: Infineon Technologies
Description: SCR MODULE 1.6KV 450A MODULE
товар відсутній
TLE42694GXUMA2 Infineon-TLE42694-2EL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf0159f967f7863e53
TLE42694GXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 100MA DSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 100mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 280 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
Part Status: Active
PSRR: 70dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 100mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity
Current - Supply (Max): 8 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.05 грн
10+ 102.36 грн
25+ 97.14 грн
100+ 74.9 грн
250+ 70.01 грн
500+ 61.87 грн
1000+ 48.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
ICL8001G INFNS16795-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICL8001G
Виробник: Infineon Technologies
Description: FLYBACK AND PFC LED CONTROLLER
на замовлення 237659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
419+51.21 грн
Мінімальне замовлення: 419
ICL8002G INFNS19108-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICL8002G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER OFFL PWM 8DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Type: AC DC Offline Switcher
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications: LED Lighting
Internal Switch(s): No
Topology: Flyback, Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 9.8V
Voltage - Supply (Max): 26V
товар відсутній
BCW68HE6327 INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW68HE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товар відсутній
ICE3AR10080JZTXKLA1 INFNS26909-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3AR10080JZTXKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1.1A, 113KHZ SWITCHING FREQ-MAX
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Duty Cycle: 75%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10.5V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-4
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage, UVLO
Voltage - Start Up: 17 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Active
Power (Watts): 22 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+59.41 грн
Мінімальне замовлення: 353
ICE3A2065I CoolSET-F3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4182a3d24f8&fileId=db3a304412b407950112b428f6ba3f30
ICE3A2065I
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-6 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -25°C ~ 130°C (TJ)
Duty Cycle: 72%
Frequency - Switching: 100kHz
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 650V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 8.5V ~ 21V
Supplier Device Package: PG-TO220-6-46
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 15 V
Control Features: Soft Start
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power (Watts): 102 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+77.58 грн
Мінімальне замовлення: 270
ICE3A0565 description INFNS22601-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE3A0565
Виробник: Infineon Technologies
Description: 100KHZ SWITCHING FREQ-MAX
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
SMBTA14E6327HTSA1872 SIEMD096-1805.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SMBTA14E6327HTSA1872
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
товар відсутній
SMBTA14E6327 INFNS10710-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SMBTA14E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANSISTOR DARLINGTON NPN 30V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 210081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2874+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 2874
SMBTA14E6327XT SIEMD096-1805.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SMBTA14E6327XT
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2874+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 2874
2ED21814S06JXUMA1 Infineon-2ED2181-4-S06F-J-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d75bd229f3
2ED21814S06JXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 675 V
Supplier Device Package: PG-DSO-14
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side and Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.52 грн
10+ 114.79 грн
25+ 103.34 грн
100+ 85.18 грн
250+ 79.55 грн
500+ 76.16 грн
1000+ 72.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
2ED2182S06FXUMA1 Infineon-2ED2182-4-S06F-J-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016cb8d7368a29e3
2ED2182S06FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8-69
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 15ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.5A, 2.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+66.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 232 362 363 364 365 366 367 368 369 370 371 372 464 696 928 1160 1392 1624 1856 2088 2320 2324  [ Наступна Сторінка >> ]