Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5727) > Сторінка 67 з 96
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N3883 | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers 400V 6A Fast Recovery |
товар відсутній |
||||||||||||||||
1N3882R | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers 300V 6A REV Leads Fast Recovery |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GBPC15005W | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 50 V - 15 A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH240150R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 150V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH240150 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 150V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBL208 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 800V 2A GBL Silicon Bridge Rectifer |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KBJ408G | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 800V 4A Bridge Rectifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBP206 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 600V 2A GBP Silicon Bridge Rectifer |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R30MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 667 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R40MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R75MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R160MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GBL204 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 400V 2A GBL Silicon Bridge Rectifer |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KBL604G | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier |
на замовлення 1887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
1N5827 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 15A Schottky Rectifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
GBJ6M | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 1000V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH240200R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24030 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 30V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24040 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 40V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24080 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 80V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24035R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 35V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24060R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 60V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24040R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 40V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24020R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 20V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24030R | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 30V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24035 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 35V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH24020 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 20V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRH240200 | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 200V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRF40080R | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier - 80 V - 400 A - TO-244AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRF40080 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier - 80 V - 400 A - TO-244AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MSRTA40080(A) | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BR605 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BR66 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
1N5829 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 25A Schottky Rectifier |
товар відсутній |
||||||||||||||||
1N3291AR | GeneSiC Semiconductor | Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 400PV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MBRF120150 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3F40MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3F75MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3F20MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GD30MPS12H | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3F18MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3F34MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3F25MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3F65MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GBPC2508W | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 800 V - 25 A |
на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GE2X12MPS06D | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BR1005 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G2R1000MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 8A Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 53W Kind of package: tube Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 4A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 54W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 926 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G2R1000MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7 Mounting: SMD Case: TO263-7 Power dissipation: 74W Kind of package: tube Drain-source voltage: 3.3kV Drain current: 4A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 21nC Technology: G2R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G2R120MT33J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7 Technology: G2R™; SiC Mounting: SMD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Case: TO263-7 Kind of package: tube Drain-source voltage: 3.3kV On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 250 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 123W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 28nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 40A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A On-state resistance: 0.16Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 932 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R160MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 128W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR | G3R160MT17D THT N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R160MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W Mounting: SMD Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 51nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 48A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 15A Drain-source voltage: 1.7kV Case: TO263-7 Power dissipation: 187W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 542W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 219nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 240A Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 593 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R20MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 88A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 809W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 20mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R20MT17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
GD2X10MPS12D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 722.57 грн |
10+ | 641.11 грн |
30+ | 533.03 грн |
120+ | 499.22 грн |
270+ | 479.08 грн |
600+ | 463.97 грн |
MBRH240150R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 150V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH240150 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 150V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 150V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
GBL208 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 2A GBL Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 800V 2A GBL Silicon Bridge Rectifer
товар відсутній
GBP206 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 2A GBP Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 600V 2A GBP Silicon Bridge Rectifer
товар відсутній
G3R30MT12J-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 667 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1780.83 грн |
10+ | 1595.73 грн |
25+ | 1335.8 грн |
100+ | 1260.99 грн |
250+ | 1214.95 грн |
G3R40MT12J-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товар відсутній
G3R75MT12J-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товар відсутній
G3R160MT12J-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 565.64 грн |
10+ | 501.3 грн |
25+ | 417.93 грн |
100+ | 392.04 грн |
250+ | 376.21 грн |
500+ | 363.98 грн |
800+ | 352.47 грн |
GBL204 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 2A GBL Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 400V 2A GBL Silicon Bridge Rectifer
товар відсутній
KBL604G |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.79 грн |
10+ | 95.13 грн |
25+ | 71.93 грн |
100+ | 58.27 грн |
250+ | 50.64 грн |
500+ | 45.61 грн |
1000+ | 41 грн |
1N5827 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 15A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 30V - 15A Schottky Rectifier
товар відсутній
GBJ6M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 1000V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товар відсутній
MBRH240200R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH24030 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 30V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 30V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
MBRH24040 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 40V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
MBRH24080 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 80V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 80V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
MBRH24035R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 35V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 35V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH24060R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 60V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 60V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH24040R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 40V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 40V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH24020R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 20V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 20V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH24030R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 30V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 30V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Reverse Configuration)
товар відсутній
MBRH24035 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 35V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 35V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
MBRH24020 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 20V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 20V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
MBRH240200 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Discrete Semiconductor Modules 200V 240A D-67 (HALF PAK) Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
товар відсутній
MBRF40080R |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier - 80 V - 400 A - TO-244AB
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier - 80 V - 400 A - TO-244AB
товар відсутній
MBRF40080 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier - 80 V - 400 A - TO-244AB
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Rectifier - 80 V - 400 A - TO-244AB
товар відсутній
MSRTA40080(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
товар відсутній
BR605 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 6A 50P/35R
товар відсутній
BR66 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 6A 600P/420R
товар відсутній
1N5829 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 25A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 20V - 25A Schottky Rectifier
товар відсутній
1N3291AR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 400PV
товар відсутній
G3F40MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 846.78 грн |
10+ | 720.52 грн |
30+ | 588.41 грн |
120+ | 563.96 грн |
270+ | 547.41 грн |
510+ | 539.5 грн |
G3F75MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 581.58 грн |
10+ | 515.37 грн |
30+ | 429.44 грн |
120+ | 402.83 грн |
270+ | 386.28 грн |
510+ | 374.05 грн |
1020+ | 361.82 грн |
G3F20MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1593.68 грн |
10+ | 1427.8 грн |
30+ | 1195.53 грн |
120+ | 1128.63 грн |
270+ | 1087.63 грн |
GD30MPS12H |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 771.25 грн |
10+ | 683.29 грн |
30+ | 568.99 грн |
120+ | 533.75 грн |
270+ | 511.45 грн |
510+ | 495.62 грн |
1020+ | 486.99 грн |
G3F18MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1925.18 грн |
10+ | 1724.78 грн |
30+ | 1444.42 грн |
120+ | 1363.14 грн |
270+ | 1312.78 грн |
G3F34MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1129.59 грн |
10+ | 962.07 грн |
30+ | 785.51 грн |
120+ | 752.42 грн |
270+ | 730.84 грн |
510+ | 719.33 грн |
G3F25MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1298.28 грн |
10+ | 1104.36 грн |
30+ | 902.76 грн |
120+ | 864.64 грн |
270+ | 838.74 грн |
510+ | 826.51 грн |
G3F65MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 639.49 грн |
10+ | 566.65 грн |
30+ | 472.6 грн |
120+ | 443.11 грн |
270+ | 425.13 грн |
510+ | 411.46 грн |
1020+ | 397.79 грн |
GBPC2508W |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800 V - 25 A
Bridge Rectifiers 800 V - 25 A
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 327.3 грн |
10+ | 257.27 грн |
25+ | 204.29 грн |
100+ | 176.96 грн |
250+ | 161.85 грн |
500+ | 151.06 грн |
1000+ | 146.74 грн |
GE2X12MPS06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 459.89 грн |
10+ | 404.52 грн |
30+ | 336.65 грн |
120+ | 314.35 грн |
270+ | 301.4 грн |
510+ | 291.33 грн |
1020+ | 281.26 грн |
BR1005 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
товар відсутній
G2R1000MT17D |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 53W
Kind of package: tube
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
G2R1000MT17J |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 520.96 грн |
3+ | 446.33 грн |
7+ | 413.62 грн |
10+ | 401.03 грн |
50+ | 398.33 грн |
G2R1000MT33J |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 3.3kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21nC
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 3.3kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21nC
Technology: G2R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
G2R120MT33J |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Technology: G2R™; SiC
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 250 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Technology: G2R™; SiC
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 3.3kV
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 250 шт
товар відсутній
G3R160MT12D |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 123W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 28nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 40A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 932 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 713.66 грн |
3+ | 476.21 грн |
7+ | 433.4 грн |
600+ | 415.42 грн |
G3R160MT12J |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
G3R160MT17J |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 51nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 51nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 1.7kV
Case: TO263-7
Power dissipation: 187W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
G3R20MT12K |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 542W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 542W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 219nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 240A
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2821.72 грн |
30+ | 2648.12 грн |
120+ | 2520.36 грн |
G3R20MT12N |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4311.02 грн |
3+ | 4104.76 грн |
G3R20MT17K |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 809W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 88A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 809W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
G3R20MT17N |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10667.16 грн |
10+ | 9867.87 грн |