Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (577) > Сторінка 1 з 10

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
B32672Z4105K289 EPC DIP
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B41821-A3108-M008    EPC SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B66281-G-X187 EPC 07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B66281-P-X187 EPC 07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B66283-P-X187 EPC 07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B82422-T1104-K-100 EPC SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Код товару: 58203 		EPC b82462g4-54763.pdf Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм
Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм
Робочий струм, А: 1.8A
у наявності: 54 шт
3+24.5 грн
10+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BOOK GAN FET BOOK GAN FET EPC Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2745.6 грн
CN1206K20G2 EPC SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001 EPC1001 EPC EPC1001_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005 EPC1005 EPC EPC1005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007 EPC1007 EPC EPC1007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009 EPC1009 EPC EPC1009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010 EPC1010 EPC EPC1010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011 EPC1011 EPC EPC1011_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012 EPC1012 EPC EPC1012_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013 EPC1013 EPC EPC1013_datasheet.pdf Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014 EPC1014 EPC EPC1014_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015 EPC1015 EPC EPC1015_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2001 EPC2001 EPC EPC2001_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001 EPC2001 EPC EPC2001_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001C EPC2001C EPC EPC2001C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+170.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2001C EPC2001C EPC EPC2001C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 92873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.8 грн
10+ 282.98 грн
100+ 228.91 грн
500+ 190.95 грн
1000+ 163.5 грн
EPC2007 EPC2007 EPC EPC2007_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007 EPC2007 EPC EPC2007_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007C EPC2007C EPC EPC2007C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.77 грн
5000+ 66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2007C EPC2007C EPC EPC2007C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.07 грн
10+ 127.33 грн
100+ 101.33 грн
500+ 80.46 грн
1000+ 68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2010 EPC2010 EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010 EPC2010 EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010C EPC2010C EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+245.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2010C EPC2010C EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.37 грн
10+ 380.76 грн
100+ 317.31 грн
500+ 262.75 грн
1000+ 236.48 грн
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC EPC2010C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010ENGR EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.05 грн
10+ 164.14 грн
100+ 130.66 грн
500+ 103.75 грн
1000+ 88.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.54 грн
5000+ 85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
B32672Z4105K289
Виробник: EPC
DIP
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B41821-A3108-M008   
Виробник: EPC
SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B66281-G-X187
Виробник: EPC
07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B66281-P-X187
Виробник: EPC
07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B66283-P-X187
Виробник: EPC
07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B82422-T1104-K-100
Виробник: EPC
SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Код товару: 58203		 b82462g4-54763.pdf
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A)
Виробник: EPC
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм
Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм
Робочий струм, А: 1.8A
у наявності: 54 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+24.5 грн
10+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
BOOK GAN FET
BOOK GAN FET
Виробник: EPC
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2745.6 грн
CN1206K20G2
Виробник: EPC
SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001 EPC1001_datasheet.pdf
EPC1001
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005 EPC1005_datasheet.pdf
EPC1005
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005 EPC1005_datasheet.pdf
EPC1005
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005 EPC1005_datasheet.pdf
EPC1005
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007 EPC1007_datasheet.pdf
EPC1007
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007 EPC1007_datasheet.pdf
EPC1007
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007 EPC1007_datasheet.pdf
EPC1007
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009 EPC1009_datasheet.pdf
EPC1009
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010 EPC1010_datasheet.pdf
EPC1010
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011 EPC1011_datasheet.pdf
EPC1011
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012 EPC1012_datasheet.pdf
EPC1012
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013 EPC1013_datasheet.pdf
EPC1013
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014 EPC1014_datasheet.pdf
EPC1014
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014 EPC1014_datasheet.pdf
EPC1014
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014 EPC1014_datasheet.pdf
EPC1014
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015 EPC1015_datasheet.pdf
EPC1015
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015 EPC1015_datasheet.pdf
EPC1015
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015 EPC1015_datasheet.pdf
EPC1015
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2001 EPC2001_datasheet.pdf
EPC2001
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001 EPC2001_datasheet.pdf
EPC2001
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001C EPC2001C_datasheet.pdf
EPC2001C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+170.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2001C EPC2001C_datasheet.pdf
EPC2001C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 92873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.8 грн
10+ 282.98 грн
100+ 228.91 грн
500+ 190.95 грн
1000+ 163.5 грн
EPC2007 EPC2007_datasheet.pdf
EPC2007
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007 EPC2007_datasheet.pdf
EPC2007
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007C EPC2007C_datasheet.pdf
EPC2007C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+71.77 грн
5000+ 66.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2007C EPC2007C_datasheet.pdf
EPC2007C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.07 грн
10+ 127.33 грн
100+ 101.33 грн
500+ 80.46 грн
1000+ 68.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2010 EPC2010_datasheet.pdf
EPC2010
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010 EPC2010_datasheet.pdf
EPC2010
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010C EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+245.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2010C EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.37 грн
10+ 380.76 грн
100+ 317.31 грн
500+ 262.75 грн
1000+ 236.48 грн
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGR EPC2010C_datasheet.pdf
EPC2010CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010ENGR EPC2010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.05 грн
10+ 164.14 грн
100+ 130.66 грн
500+ 103.75 грн
1000+ 88.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+92.54 грн
5000+ 85.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]