Продукція > EIC SEMICONDUCTOR INC. > Всі товари виробника EIC SEMICONDUCTOR INC. (431) > Сторінка 5 з 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
BR1502M | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR1504 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR1506 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR1508 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR1510 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2500 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2501 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2502 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2504 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2504W | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2506 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR2510 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-50 Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-50 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BR3500 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR3501 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR3504 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR3504W | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR3506 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR3508 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR5000 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR5001 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR5002 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR5006 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR5006W | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR5008 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-50 Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-50 Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BR600 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR602 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR606 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BR801 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BR802 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BR804 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BR806 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BY133T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BY299BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
![]() |
BY550-1000G | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1000 V |
на замовлення 5050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
BYD13DBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BYD13GBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BYD13JBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
BYD13KBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BYD33GBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.3A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BYD33MBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.3A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BYV26E | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BYV96E T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BZW04-85 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85.5V Supplier Device Package: DO-41 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 95V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
BZW04P28B | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V Supplier Device Package: DO-41 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 31.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V Power - Peak Pulse: 400W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 7998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
![]() |
BZX55C18T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Tolerance: ±2% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
D32BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: Axial Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ) Voltage - Breakover: 27 ~ 37V Current - Breakover: 100 µA Supplier Device Package: M1A Part Status: Active Current - Peak Output: 2 A |
на замовлення 5211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
D32PBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ) Voltage - Breakover: 27 ~ 37V Current - Breakover: 100 µA Supplier Device Package: DO-41 Part Status: Active Current - Peak Output: 2 A |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FBR3506 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-50 Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-50 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FBR5006 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-50 Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-50 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 50 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FBR804 | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-Square, BR-10 Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: BR-10 Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FEPF16DT | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
FKBL406MBULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: 4-SIP, KBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBL Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 4 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FR101BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
FR101T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
FR102BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
FR102T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
FR103BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FR103T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
FR104T/R | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||
FR105BULK | EIC SEMICONDUCTOR INC. |
![]() Packaging: Bag Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
BR1502M |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR1504 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR1506 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR1508 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR1510 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 15A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2500 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2501 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2502 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2504 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2504W |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50W
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50W
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2506 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR2510 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: STD 25A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 205.48 грн |
BR3500 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR3501 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR3504 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR3504W |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50W
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR3506 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR3508 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 35A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR5000 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR5001 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR5002 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR5006 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR5006W |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50W
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50W
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR5008 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Description: STD 50A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 218.64 грн |
BR600 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 6A, CASE TYPE: BR6
Description: STD 6A, CASE TYPE: BR6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR602 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 6A, CASE TYPE: BR6
Description: STD 6A, CASE TYPE: BR6
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR606 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 6A, CASE TYPE: BR6
Description: STD 6A, CASE TYPE: BR6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BR801 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 98.72 грн |
BR802 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 66.54 грн |
BR804 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 67.28 грн |
BR806 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: STD 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 66.54 грн |
BY133T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 2.92 грн |
BY299BULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15
Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BY550-1000G |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO201AD
Packaging: Bag
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 5A DO201AD
Packaging: Bag
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1000 V
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 66.54 грн |
BYD13DBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.4A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Description: DIODE AVALANCHE 200V 1.4A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
BYD13GBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.4A DO41
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.4A DO41
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BYD13JBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A DO41
Description: DIODE AVALANCHE 600V 1.4A DO41
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BYD13KBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.4A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
Description: DIODE AVALANCHE 800V 1.4A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
BYD33GBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.3A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Description: DIODE AVALANCHE 400V 1.3A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
BYD33MBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.3A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.3A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.3A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
BYV26E |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
BYV96E T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-15
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-15
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.85 грн |
BZW04-85 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85.5V
Supplier Device Package: DO-41
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 95V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 85.5VWM 137VC DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85.5V
Supplier Device Package: DO-41
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 95V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 5.85 грн |
BZW04P28B |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-41
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28.2V
Supplier Device Package: DO-41
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.7V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 5.85 грн |
BZX55C18T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: ZENER 500MW, CASE TYPE: DO-35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13 V
Description: ZENER 500MW, CASE TYPE: DO-35
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 13 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.19 грн |
D32BULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIAC 1.6A, CASE TYPE: M1A
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Voltage - Breakover: 27 ~ 37V
Current - Breakover: 100 µA
Supplier Device Package: M1A
Part Status: Active
Current - Peak Output: 2 A
Description: DIAC 1.6A, CASE TYPE: M1A
Packaging: Bag
Package / Case: Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Voltage - Breakover: 27 ~ 37V
Current - Breakover: 100 µA
Supplier Device Package: M1A
Part Status: Active
Current - Peak Output: 2 A
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 18.28 грн |
D32PBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIAC 1.6A, CASE TYPE: DO-41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Voltage - Breakover: 27 ~ 37V
Current - Breakover: 100 µA
Supplier Device Package: DO-41
Part Status: Active
Current - Peak Output: 2 A
Description: DIAC 1.6A, CASE TYPE: DO-41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TJ)
Voltage - Breakover: 27 ~ 37V
Current - Breakover: 100 µA
Supplier Device Package: DO-41
Part Status: Active
Current - Peak Output: 2 A
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
FBR3506 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: FR 35A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: FR 35A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 17.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 258.13 грн |
FBR5006 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: FR 50A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: FR 50A, CASE TYPE: BR50
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-50
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-50
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 321.75 грн |
FBR804 |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: FR 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: FR 8A, CASE TYPE: BR10
Packaging: Bag
Package / Case: 4-Square, BR-10
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: BR-10
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 100.91 грн |
FEPF16DT |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 200V 16A ITO220AB
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FKBL406MBULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: FR 2A, CASE TYPE: KBL
Packaging: Bag
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Description: FR 2A, CASE TYPE: KBL
Packaging: Bag
Package / Case: 4-SIP, KBL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBL
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 4 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 135.28 грн |
FR101BULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FR101T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FR102BULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FR102T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FR103BULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |
FR103T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 2.92 грн |
FR104T/R |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FR105BULK |
![]() |
Виробник: EIC SEMICONDUCTOR INC.
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-41
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 15.36 грн |