Результат пошуку "tph520" : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5200FNH_datasheet_en_20191018.pdf?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH5200FNH_datasheet_en_20191018.pdf?did=14486&prodName=TPH5200FNH Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 14394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.11 грн
10+ 152.62 грн
100+ 121.43 грн
500+ 96.42 грн
1000+ 81.81 грн
2000+ 77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba TPH5200FNH_datasheet_en_20191018-1916296.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 37230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.51 грн
10+ 167.46 грн
100+ 115.94 грн
250+ 115.25 грн
500+ 98 грн
1000+ 79.36 грн
5000+ 78.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+232.26 грн
10+ 178.84 грн
100+ 136.26 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 80.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+126.64 грн
105+ 114.67 грн
128+ 93.84 грн
200+ 84.62 грн
500+ 78.08 грн
1000+ 66.67 грн
2000+ 62.22 грн
Мінімальне замовлення: 95
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M TOSHIBA 3934808.pdf Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+136.26 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 80.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH,L1Q Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH5200FNH,L1Q(M TPH5200FNH,L1Q(M Toshiba tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH5200FNHL1Q(M TPH5200FNHL1Q(M Toshiba MOSFET
товар відсутній
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH_datasheet_en_20191018.pdf?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+82.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH_datasheet_en_20191018.pdf?did=14486&prodName=TPH5200FNH
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 14394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.11 грн
10+ 152.62 грн
100+ 121.43 грн
500+ 96.42 грн
1000+ 81.81 грн
2000+ 77.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH5200FNH,L1Q TPH5200FNH_datasheet_en_20191018-1916296.pdf
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba
MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 37230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.51 грн
10+ 167.46 грн
100+ 115.94 грн
250+ 115.25 грн
500+ 98 грн
1000+ 79.36 грн
5000+ 78.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+232.26 грн
10+ 178.84 грн
100+ 136.26 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 80.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
TPH5200FNH,L1Q(M tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
95+126.64 грн
105+ 114.67 грн
128+ 93.84 грн
200+ 84.62 грн
500+ 78.08 грн
1000+ 66.67 грн
2000+ 62.22 грн
Мінімальне замовлення: 95
TPH5200FNH,L1Q(M 3934808.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - TPH5200FNH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.044 ohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+136.26 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 80.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
TPH5200FNH,L1Q tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH5200FNH,L1Q(M tph5200fnh_datasheet_en_20191018.pdf
TPH5200FNH,L1Q(M
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 250V 27A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH5200FNHL1Q(M
TPH5200FNHL1Q(M
Виробник: Toshiba
MOSFET
товар відсутній