Продукція > TK6

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TK60011CMCTOKO
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60011CMC-G
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60011DS8G0L
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60012BM5G0TOKO
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60012BM5GOL
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60015CS8G
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60015CS8G0L
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60015CS8GOLTOKOSOT23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60022AM4GOLTOKOSSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60022AM4GOLTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6011BP21-5V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60A08J1
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60A08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK60A08K3
на замовлення 39012 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK60D08J1(Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220W
товар відсутній
TK60D08J1(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
TK60E08K3,S1X(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 75V 150W 3600pF 0.0085
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK60E08K3,S1X(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 60A TO220-3
товар відсутній
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.04 грн
10+ 123.52 грн
100+ 98.28 грн
500+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK60F10N1L,LXGQToshibaMOSFET PD=205W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.98 грн
10+ 133.49 грн
100+ 92.46 грн
250+ 85.03 грн
500+ 76.94 грн
1000+ 66.54 грн
2000+ 62.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK60F10N1L,LXGQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SM(W)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK60F10N1L,LXGQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) TO-220SM(W) T/R
товар відсутній
TK60J25D,S1Q(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK60J25D,S1Q(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.0285 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 410W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.28 грн
5+ 418.66 грн
10+ 337.65 грн
50+ 285.41 грн
100+ 231.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK60P03M1,RQ(SToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
товар відсутній
TK60P03M1,RQ(SToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
товар відсутній
TK60R10N1L,LQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+60 грн
250+ 57.59 грн
500+ 55.51 грн
1000+ 51.78 грн
Мінімальне замовлення: 196
TK60S06K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 60A 60V 88W 2900pF 0.008
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK60S06K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+60 грн
250+ 57.59 грн
500+ 55.51 грн
1000+ 51.78 грн
Мінімальне замовлення: 196
TK60S06K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 120A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; Idm: 180A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK60S10N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 9993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.74 грн
10+ 80.63 грн
100+ 64.15 грн
500+ 50.94 грн
1000+ 43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK60S10N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.44 грн
6000+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK60S10N1L,LXHQToshibaMOSFET PD=180W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 7978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.23 грн
10+ 90.8 грн
100+ 62.76 грн
250+ 58.17 грн
500+ 52.77 грн
1000+ 45.28 грн
2000+ 42.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK60S10N1LLQ(OToshibaToshiba
товар відсутній
TK61027STL
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6110ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
товар відсутній
TK61130U
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK61220
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTLTOKO
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTL-GTOKO07+
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTL-GTOKO09+
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62012FTL-GTOKO07+NOP
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62256-1595 DIP
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62256-15
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62512-15
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+619.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK62J60W,S1VQToshibaMOSFET N-Ch 61.8A 400W FET 600V 3500pF 180nC
товар відсутній
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK62J60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1195.05 грн
10+ 1057.79 грн
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK62J60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
TK62J60W,S1VQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK62J60W,S1VQ(OTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK62J60W5,S1VQ(OToshibaTK62J60W5,S1VQ(O
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+974.71 грн
17+ 723.07 грн
25+ 676.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
TK62N60WToshibaToshiba
товар відсутній
TK62N60W
Код товару: 183830		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62N60W,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1046.13 грн
30+ 815.42 грн
TK62N60W,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 40mOhm 61.8A 400W 6500pF
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1154.25 грн
10+ 1002.72 грн
30+ 847.64 грн
60+ 801.07 грн
120+ 753.83 грн
270+ 730.21 грн
510+ 682.97 грн
TK62N60W,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1133.33 грн
5+ 1042.48 грн
10+ 950.87 грн
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
TK62N60W,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK62N60W,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62N60W5,S1VFToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товар відсутній
TK62N60W5,S1VFToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+830.77 грн
10+ 735.26 грн
TK62N60W5,S1VFToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 45mOhm 61.8A 400W 6500pF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.52 грн
10+ 743.5 грн
30+ 548.67 грн
120+ 527.75 грн
270+ 514.93 грн
510+ 494 грн
1020+ 469.71 грн
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60W5,S1VF(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.63 грн
5+ 739.65 грн
10+ 660.92 грн
TK62N60W5,S1VF(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60W5,S1VF(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Magazine
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK62N60XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62N60X,S1FToshibaMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
на замовлення 60 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+792.86 грн
10+ 670.55 грн
30+ 485.23 грн
270+ 427.87 грн
510+ 385.35 грн
2520+ 367.8 грн
TK62N60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.35 грн
30+ 552.13 грн
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.15 грн
10+ 659.17 грн
30+ 545.15 грн
270+ 453.53 грн
510+ 379.77 грн
TK62N60X,S1F
Код товару: 198877		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK62N60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+797.09 грн
17+ 709.87 грн
30+ 587.09 грн
270+ 488.42 грн
510+ 408.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+481.39 грн
26+ 451.55 грн
30+ 444.59 грн
Мінімальне замовлення: 25
TK62N60X,S1F(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62N60X,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.3 грн
5+ 676.82 грн
10+ 544.33 грн
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK62N60X,S1F(SToshibaSilicon N-Channel MOSFET
товар відсутній
TK62N60X,S1F(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 61.8A; Idm: 247A; 400W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 61.8A
Pulsed drain current: 247A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK62N60XS1F(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK62Z60X,S1FToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L(T)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 300 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1274.63 грн
10+ 1128.3 грн
TK62Z60X,S1FToshibaMOSFET TO-247-4L PD=400W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1292.04 грн
10+ 1171.13 грн
100+ 830.76 грн
500+ 749.78 грн
1000+ 719.41 грн
2500+ 703.21 грн
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62Z60X,S1FToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62Z60X,S1F(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
TK62Z60X,S1F(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK62Z60X,S1F(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61.8 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1196.92 грн
5+ 1105.32 грн
10+ 1012.95 грн
TK62Z60X,S1F(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6302
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6310ifm efector, inc.Description: ELECTRONIC TEMPERATURE SENSOR; 1
Packaging: Box
Package / Case: Cylinder, Threaded
Mounting Type: Panel Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 80°C
Voltage - Supply: 9.6V ~ 32V
Sensor Type: Digital, Local
Sensing Temperature - Local: -20°C ~ 140°C
товар відсутній
TK63101HCL-GTOKOSOT26/SOT363
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63118SCL-G
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63125SCL-GTOKO
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63126BCB-G
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128BCB-G
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128HCL-G
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128SCL
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63128SCL-GTOKO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63129HC-GG
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63130BCB-G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63133BCB-G
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63202FC-GJ
на замовлення 2832 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63203FCL-GTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63203FCL-GTOKO07NOPB
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63715S-G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63718HCL-G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63723AB1GOBTOKO06NOPB
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63723AB1GOBTOKO09+
на замовлення 7018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63725HCL-GTOKO06+NOP
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63725HCL-GTOKO09+
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB1G0BTOKO07+NOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB1G0BTOKO07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB1G0BTOKO09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB6GHB-C
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB6GHB-C-G
на замовлення 8490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728AB6GHB-G
на замовлення 8496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63728S-G
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63733AB1GOBTOKO07NOPB
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKOFC-4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKO06NOPB
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKO09+
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK63735AB1G0BTOKO07+PB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK64901AME-GH
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65000FTL-GTOKO08NOPB
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65015MTOKOSOT-163
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65015MTLTOKO1995
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65025M
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65025MTLToko America Inc.Description: IC REG BOOST 3V 4MA SOT23L-6
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65025MTL
на замовлення 11420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK650A60F,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK650A60F,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK650A60F,S4XToshibaMOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A
товар відсутній
TK650A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.25 грн
3+ 144.55 грн
10+ 105.45 грн
26+ 99.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK650A60F,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK650A60F,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.54Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.54 грн
4+ 115.99 грн
10+ 87.87 грн
26+ 82.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK650A60F,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK650A60F,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.54 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.72 грн
10+ 79.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK65911MTL
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65919MTLTKO
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65929MTL-G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65931MTLTOKO
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65933
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65933MTL
на замовлення 16900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK65A10N1,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK65A10N1,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65A10N1,S4XToshibaMOSFET MOSFET NCh 4ohm VGS10V10uAVDS100V
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 850 шт
товар відсутній
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+288.43 грн
84+ 140.23 грн
92+ 127.31 грн
114+ 99.74 грн
Мінімальне замовлення: 41
TK65A10N1,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK65A10N1S4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK65A10N1S4X(S-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65E10N1,S1XToshibaMOSFET 100V N-Ch PWR FET 148A 192W 5400pF
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.79 грн
10+ 119.52 грн
100+ 98.53 грн
1000+ 78.96 грн
5000+ 76.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
товар відсутній
TK65E10N1,S1XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.12 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK65E10N1,S1XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 100V 148A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 148A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.19 грн
10+ 155.43 грн
100+ 123.7 грн
500+ 98.23 грн
1000+ 83.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65E10N1,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK65E10N1,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 148 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+279.48 грн
86+ 136.26 грн
95+ 124.33 грн
Мінімальне замовлення: 42
TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
TK65E10N1,S1X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 148A; Idm: 296A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 148A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65E10N1,S1X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 148A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 149
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65G10N1,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK65G10N1,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TK65G10N1,RQToshibaMOSFET UMOSVIII 100V 4.5m max(VGS=10V) D2PAK
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.29 грн
10+ 182.38 грн
100+ 127.55 грн
500+ 104.6 грн
1000+ 87.06 грн
2000+ 80.98 грн
5000+ 78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK65G10N1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK65G10N1,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 283A; 156W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 283A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TK65G10N1,RQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 136A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
TK65G10NE,RQ(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK65L60V,VQ(OToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaMOSFET N-Ch MOS 65A 40V 88W 2800pF 0.0045
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 88W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
TK65S04K3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK65S04N1L,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 7976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.48 грн
10+ 102.5 грн
100+ 81.57 грн
500+ 64.77 грн
1000+ 54.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK65S04N1L,LQToshibaMOSFET UMOSVIII 40V 4.3m max(VGS=10V) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+ 115.64 грн
100+ 79.63 грн
500+ 67.49 грн
1000+ 57.16 грн
2000+ 54.26 грн
4000+ 52.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK65S04N1L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.77 грн
6000+ 53.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
TK65S04N1L,LQ(OToshibaTrans MOSFET N-CH Si 40V 65A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TK65S04N1L,LQ(OTOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 65A; 107W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 65A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.84 грн
10+ 62.28 грн
100+ 48.42 грн
500+ 38.52 грн
1000+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK65S04N1L,LXHQToshibaMOSFET 107W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 11935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.61 грн
10+ 69.85 грн
100+ 47.24 грн
500+ 40.09 грн
1000+ 32.66 грн
2000+ 30.71 грн
4000+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK65S04N1L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TK65S04N1L,LXHQ(OToshibaSilicon N-Channel MOS
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+70.41 грн
174+ 67.26 грн
250+ 64.56 грн
500+ 60 грн
1000+ 53.75 грн
2500+ 50.07 грн
Мінімальне замовлення: 167
TK67673M (TC)Description: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION
Packaging: Cardboard Box
Quantity: Hooks (2), Rolls (4), Strips (46)
Tape Type: Safety
Tape Included: 17002, 220, 3431, 3903, 471, 6900, 766, 983-326, SJ3550, SJ3560
товар відсутній
TK68112AS-G
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68112AS2GOL-C
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68112SG
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68126AMFGOL-C
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68129AMFGOL-C
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68418AB1G0B
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68522AS2-GH@C
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68528AS2-GH
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68530AS2-GH
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68530AS2-GH@C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68533AS2-GH
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68HC11D0CFNE3Tekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11D0CFNE3TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11D0CFNE3/REELSTekmos Inc.MCU 8-bit CISC ROMLess 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11K1CFNE4TekmosMCU 8-bit CISC ROMLess 5V 84-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC11K1CFUE4TekmosHigh-Performance Microcontroller Units
товар відсутній
TK68HC24FN
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK68HC705C9ACFNTekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC705C9ACFNETekmosMCU 8-bit HC05 CISC 16KB Flash 44-Pin PLCC
товар відсутній
TK68HC711D3CFNE2TekmosTK68HC711D3CFNE2^TEKMOS
товар відсутній
TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310Tekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REEL/TK7800A/P0310
товар відсутній
TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707ATekmos Inc.TK68HC711D3CFNE3/REELS/TK7707A
товар відсутній
TK68HC711E9MFNE2Tekmos Inc.TK68HC711E9MFNE2
товар відсутній
TK68HC711KS2CFNE4-(PROG)TekmosTK68HC711KS2CFNE4-(PROG)^TEKMOS
товар відсутній
TK6900_1/2NA
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A45DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
товар відсутній
TK6A45DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 450V 35W 490pF 1.35
товар відсутній
TK6A50D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A; 35W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220FP
On-state resistance: 1.2Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 35W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 500V 35W 540pF 1.4 Ohm
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 500V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A50D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
товар відсутній
TK6A53D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 35W 600pF 1.3 Ohm
товар відсутній
TK6A53D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
товар відсутній
TK6A55DA
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A55DA(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
товар відсутній
TK6A55DA(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
товар відсутній
TK6A60
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A60DToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D
на замовлення 58000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A60D(PHIL,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(Q)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A60D(Q)
на замовлення 358 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6A60D(Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(QM)ToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A60D(S4SH6,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(S4SY,A,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(S4SY,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(STA4,A,Q)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)
Код товару: 107094		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
товар відсутній
TK6A60D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 600V 3.0s IDSS 10 uA 1.0 Ohm
товар відсутній
TK6A60D(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D(STA4,X,S)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D,S5HITAPQ(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60D,S5Q(JToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR(Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR(STA4,Q,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR(STA4,X,M)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60DR,S4X(SToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK6A60W,S4VXToshibaMOSFET N-Ch 6.2A 30W FET 600V 390pF 12nC
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137 грн
10+ 115.64 грн
100+ 99.88 грн
250+ 80.98 грн
500+ 70.86 грн
1000+ 59.52 грн
2500+ 59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A60W,S4VXToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VXToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6A60W,S4VX(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+158.98 грн
10+ 122.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6A60W,S4VX(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1200 шт
товар відсутній
TK6A60WS4VX(MToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A60WS4VX(M-XToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6A65DToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)TOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A; 45W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 45W
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 24A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A65D(STA4,Q,M)ToshibaMOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137 грн
10+ 108.65 грн
100+ 86.38 грн
250+ 71.54 грн
500+ 64.05 грн
1000+ 52.84 грн
5000+ 51.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A65D(STA4,X,M)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A65D(STA4,X,M) - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.95 ohm, SC-67, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: SC-67
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.96 грн
10+ 83.28 грн
100+ 64.35 грн
500+ 52.58 грн
1000+ 41.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK6A65D(STA4,X,M)ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6A65D(STA4XM)ToshibaToshiba
товар відсутній
TK6A65DSTA4QM
Код товару: 143200		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TK6A65W,S5XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товар відсутній
TK6A65W,S5XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній
TK6A65W,S5XToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK6A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.85Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6A65W,S5X(MToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6A65W,S5X(MTOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.85Ω
товар відсутній
TK6A80E,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 800V 6A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.29 грн
10+ 100.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A80E,S4XToshibaMOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.06 грн
10+ 109.43 грн
100+ 75.59 грн
250+ 69.51 грн
500+ 61.89 грн
1000+ 51.49 грн
2500+ 50.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6A80E,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS Tube
товар відсутній
TK6A80E,S4X(SToshibaSilicon N-Channel MOS
товар відсутній
TK6A80E,S4X(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 800V 6A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.31 грн
10+ 85.06 грн
12+ 73.81 грн
31+ 70.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6A80E,S4X(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 18A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+138.09 грн
3+ 120.02 грн
10+ 102.07 грн
12+ 88.58 грн
31+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
TK6A80E,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6A80E,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 1.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.36 грн
10+ 109.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
TK6A80ES4X(SToshibaMOSFET
товар відсутній
TK6P-5.08TraktronixDescription: 6 PIN 5.08MM QUICK SPEAKER CONN
Packaging: Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.02 грн
TK6P53D
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
товар відсутній
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaMOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
товар відсутній
TK6P53D(T6RSS-Q)ToshibaTrans MOSFET N-CH Si 525V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6P53D(T6RSS-Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.25 грн
10+ 72.06 грн
100+ 56.01 грн
500+ 44.55 грн
1000+ 36.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P60V,RVQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.83 грн
10+ 67.45 грн
100+ 62.3 грн
500+ 55.95 грн
1000+ 48.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.48 грн
10+ 102.57 грн
100+ 81.63 грн
500+ 64.82 грн
1000+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6P60W,RVQToshibaMOSFET N-Ch 9.7A 100W FET 600V 700pF 20nC
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.12 грн
10+ 79.16 грн
100+ 59.66 грн
250+ 59.05 грн
500+ 54.26 грн
1000+ 52.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+78.43 грн
162+ 72.64 грн
175+ 67.09 грн
500+ 60.25 грн
1000+ 52.1 грн
Мінімальне замовлення: 150
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.68ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.65 грн
500+ 58.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+84.34 грн
153+ 76.78 грн
188+ 62.46 грн
201+ 56.39 грн
1000+ 46.18 грн
Мінімальне замовлення: 139
TK6P60W,RVQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6P60W,RVQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.02 грн
10+ 90.09 грн
100+ 74.65 грн
500+ 58.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK6P60W,RVQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
TK6P60W,RVQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK6P65W,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товар відсутній
TK6P65W,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.79 грн
10+ 70.37 грн
100+ 54.72 грн
500+ 43.53 грн
1000+ 35.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P65W,RQToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 7670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.06 грн
10+ 77.22 грн
100+ 52.17 грн
500+ 44.27 грн
1000+ 36.04 грн
2000+ 33.88 грн
4000+ 33 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6P65W,RQ(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
TK6P65W,RQ(STOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQToshibaMOSFET DTMOSIV 600V 820mOhm 6.2A 60W 390pF 12nC
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 310µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.02 грн
75+ 98.45 грн
150+ 81 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6Q60W,S1VQ(SToshibaTrans MOSFET N-CH Si 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6Q60W,S1VQ(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 24.8A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 60W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6Q65W,S1QToshibaMOSFET Power MOSFET N-Channel
товар відсутній
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6Q65W,S1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TK6Q65W,S1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 650V 5.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Magazine
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 19
TK6Q65W,S1Q(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TK6Q65W,S1Q(STOSHIBACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.8A; Idm: 23.2A; 60W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 23.2A
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 0.89Ω
товар відсутній
TK6R4E10PL,S1X(SToshibaPower MOSFET (N-ch single 60V
товар відсутній
TK6R4E10PL,S1X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R4E10PL,S1X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 112 A, 0.0055 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 152W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.62 грн
10+ 91.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
TK6R7A10PL,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3455 pF @ 50 V
товар відсутній
TK6R7A10PL,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK6R7A10PL,S4XToshibaMOSFET TO-220SIS PD=42W 1MHz PWR MOSFET TRNS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.29 грн
10+ 86.15 грн
100+ 58.58 грн
500+ 49.6 грн
1000+ 40.42 грн
2500+ 38.06 грн
5000+ 36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK6R7A10PL,S4X(SToshibaSilicon N-channel MOS
товар відсутній
TK6R7P06PLToshibaToshiba
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 25753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.32 грн
10+ 48.08 грн
100+ 37.38 грн
500+ 29.74 грн
1000+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 300µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.23 грн
5000+ 23.14 грн
12500+ 22.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK6R7P06PL,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 74A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQToshibaMOSFET N-Ch 60V 1990pF 26nC 74A 66W
на замовлення 29509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.8 грн
10+ 66.12 грн
100+ 44.88 грн
500+ 37.05 грн
1000+ 29.29 грн
2500+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaTK6R7P06PL,RQ(S2
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 138
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.52 грн
11+ 70.48 грн
100+ 57.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; Idm: 190A; 66W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TK6R7P06PL,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R7P06PL,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 66W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK6R7P06PL,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4XToshibaMOSFET UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8mohm
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.91 грн
10+ 82.27 грн
100+ 56.55 грн
500+ 45.89 грн
1000+ 33.74 грн
5000+ 32.06 грн
10000+ 30.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4XToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R8A08QM,S4XToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4X(SToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6R8A08QM,S4X(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R8A08QM,S4X(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 58 A, 0.0053 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-220SIS
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.66 грн
11+ 74.27 грн
100+ 55.19 грн
500+ 47.1 грн
1000+ 41.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.38 грн
5000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A T/R
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQToshibaMOSFET UMOS10 DPAK 80V 6.9mohm
на замовлення 31625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.31 грн
10+ 64.96 грн
100+ 43.93 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.37 грн
2500+ 28.55 грн
5000+ 27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R9P08QM,RQToshiba Semiconductor and StorageDescription: UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.73 грн
10+ 57.86 грн
100+ 45.01 грн
500+ 35.81 грн
1000+ 29.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK6R9P08QM,RQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 62A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.28 грн
500+ 38.8 грн
1000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
TK6R9P08QM,RQ(S2ToshibaPWR-MOSFET N-CHANNEL
товар відсутній
TK6R9P08QM,RQ(S2TOSHIBADescription: TOSHIBA - TK6R9P08QM,RQ(S2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 83 A, 0.0055 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.82 грн
12+ 68.21 грн
100+ 49.28 грн
500+ 38.8 грн
1000+ 32.38 грн
Мінімальне замовлення: 9