Продукція > NVB

MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FAST, 600 V, 45 A, 55 mohm, D2PAK Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, FRFET, 600V, xxA, 55mohm, D2PAK

на замовлення 386 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.2 грн
10+	418.62 грн
25+	330.14 грн
100+	303.57 грн
250+	285.63 грн
500+	267.7 грн
800+	240.46 грн

NVB055N60S5F

Power MOSFET, N-Channel Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	571.15 грн
10+	482.02 грн
25+	380.62 грн
100+	349.4 грн
250+	329.47 грн
500+	308.22 грн
800+	277.66 грн

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	452.11 грн
29+	413.93 грн
30+	393.9 грн
100+	361.42 грн
250+	322.73 грн
500+	281.55 грн

Мінімальне замовлення: 26

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	533.16 грн
10+	440.49 грн
100+	367.07 грн

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	419.82 грн
10+	384.36 грн
25+	365.77 грн
100+	335.61 грн
250+	299.68 грн
500+	261.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB072N65S3

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	474.67 грн
10+	421.33 грн
25+	392.58 грн
100+	353.88 грн
250+	315.25 грн
500+	275.89 грн
800+	251.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB072N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB072N65S3

Trans MOSFET N-CH 650V 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1528 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	511.18 грн
26+	453.74 грн
28+	422.77 грн
100+	381.11 грн
250+	339.5 грн
500+	297.11 грн
800+	270.44 грн

Мінімальне замовлення: 23

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	362.45 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB082N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	575.56 грн
10+	474.67 грн
100+	395.57 грн

NVB082N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	615.32 грн
10+	520.21 грн
25+	410.51 грн
100+	376.63 грн
250+	354.71 грн
500+	332.13 грн
800+	298.92 грн

NVB082N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	262.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB095N65S3F

MOSFET SUPERFET III MOSFET, 36A, 95mohm, 650V in D2PAK

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	471.96 грн
10+	391.12 грн
100+	275.67 грн
500+	270.35 грн
800+	208.58 грн
2400+	196.62 грн

NVB095N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 36A Automotive T/R

товар відсутній

NVB095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.72 грн
10+	351.57 грн
100+	284.39 грн

NVB099N65S3

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 30 A, 99 mohm, D2PAK

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	340.99 грн
10+	281.88 грн
100+	198.61 грн
500+	186.66 грн
800+	146.8 грн
2400+	142.15 грн

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A

товар відсутній

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	189.29 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB099N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 30 A Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB099N65S3

Description: SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 740µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 400 V

на замовлення 1408 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	314.01 грн
10+	253.46 грн
100+	205.07 грн

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	421.79 грн
10+	340.99 грн
100+	275.82 грн

NVB110N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	254.6 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB110N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG

на замовлення 505 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.03 грн
10+	373.55 грн
25+	314.86 грн
100+	262.38 грн
250+	255.08 грн
500+	247.1 грн
800+	199.94 грн

NVB110N65S3F

Power MOSFET Single N-Channel

товар відсутній

NVB125N65S3

MOSFET MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, Automotive, Easy-drive, 650 V, 24 A, 125 mohm D2-PAK

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.31 грн
10+	232.22 грн
25+	196.62 грн
100+	163.41 грн
250+	158.76 грн
500+	154.11 грн
800+	124.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive AEC-Q101, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товар відсутній

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	262.27 грн
10+	212.08 грн
100+	171.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB125N65S3

MOSFET Power, N Channel, Automotive, Easy drive, 650 V, 24 A, 125 m

товар відсутній

NVB125N65S3

Description: SF3 650V EASY 125MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	158.42 грн
1600+	130.62 грн
2400+	122.99 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1493 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.23 грн
10+	226.12 грн
100+	182.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB150N65S3F

на замовлення 700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB150N65S3F

MOSFET 650V FRFET,150M

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.14 грн
10+	248.27 грн
25+	203.26 грн
100+	174.04 грн
250+	164.07 грн
500+	148.79 грн
800+	126.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB150N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB150N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1999 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	168.87 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVB190N65S3

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

на замовлення 590 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 627 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.37 грн
10+	205.44 грн
100+	166.16 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB190N65S3F

MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,190M

на замовлення 4474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	275.89 грн
10+	228.41 грн
100+	161.41 грн
800+	124.88 грн
2400+	118.24 грн
4800+	114.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	165.43 грн
500+	135.62 грн
800+	107.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel

товар відсутній

NVB190N65S3F

Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB190N65S3F

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm

на замовлення 1468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.73 грн
10+	204.92 грн
100+	165.43 грн
500+	135.62 грн
800+	107.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

товар відсутній

NVB25P06T4G

Description: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

товар відсутній

NVB25P06T4G

MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET

на замовлення 572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V

товар відсутній

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVB260N65S3

Single N Channel Power MOSFET, Easy Drive, 650 V, 12 A, 260 m

товар відсутній

NVB260N65S3

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, Easy Drive, 650 V , 12 A, 260 mohm, D2PAK

на замовлення 496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.34 грн
10+	174.17 грн
100+	120.23 грн
500+	96.98 грн
800+	83.7 грн
2400+	79.05 грн
4800+	77.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB260N65S3

Description: SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V

товар відсутній

NVB260N65S3

на замовлення 770 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVB5404NT4G

Description: ONSEMI - NVB5404NT4G - NVB5404NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 492 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

492+	125.19 грн

Мінімальне замовлення: 492

NVB5404NT4G

MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB5404NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.29 грн
10+	154.37 грн
100+	122.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVB5404NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5405NT4G

Trans MOSFET N-CH 40V 16.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5405NT4G

Description: NVB5405 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 32 V

на замовлення 5600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	92.89 грн

Мінімальне замовлення: 214

NVB5426NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NLT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5860NLT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товар відсутній

NVB5860NLT4G

MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

на замовлення 731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB5860NT4G

Trans MOSFET N-CH 60V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB5860NT4G

Description: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

товар відсутній

NVB60N06T4G

Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB60N06T4G

MOSFET NFET 60V .016R TR

товар відсутній

NVB60N06T4G

Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 150W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

210+	96.88 грн

Мінімальне замовлення: 210

NVB6410ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

товар відсутній

NVB6410ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 76A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6410ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	112.96 грн

Мінімальне замовлення: 175

NVB6411ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 77A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6411ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 75A 16MO

на замовлення 110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6411ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 72A, 10V
Power Dissipation (Max): 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6412ANT4G

MOSFET NFET D2PAK 100V 59A 20MO

на замовлення 1016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVB6412ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.2mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V

товар відсутній

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.39 грн
10+	91.17 грн
25+	86.05 грн
50+	81.05 грн
100+	72.69 грн
500+	67.79 грн

Мінімальне замовлення: 7

NVB6412ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 58A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 548 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

115+	101.65 грн
119+	98.18 грн
126+	92.67 грн
129+	87.28 грн
133+	78.28 грн
500+	73.01 грн

Мінімальне замовлення: 115

NVB6413ANT4G

Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVB6413ANT4G

Description: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

товар відсутній

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

NVBF170LT1G

MOSFET Automotive Power MOSFET, 60V, 500mA, 5 Ohm, Single N-Channel, SOT-23, Logic Level. Automotive version of the MMBF170L.

товар відсутній

NVBF170LT1G

Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4298.36 грн
10+	3763.02 грн
100+	3386.69 грн

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R

товар відсутній

NVBG015N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4554.49 грн
10+	4081.5 грн
25+	3496.65 грн
50+	3459.46 грн
100+	3193.75 грн
250+	3141.28 грн
500+	3030.35 грн

NVBG015N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBG015N065SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4154.65 грн
10+	3637.02 грн
100+	3273.27 грн

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 477W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	3459.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG020N090SC1

Description: SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 477W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3116.21 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N090SC1

на замовлення 629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3459.78 грн

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	4691.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N090SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 900V 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N090SC1

MOSFET 20MOHM 900V

на замовлення 716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4470.01 грн
10+	4017.33 грн
25+	3452.81 грн
50+	3416.94 грн
100+	3163.86 грн
250+	3075.51 грн
500+	2957.94 грн

NVBG020N120SC1

на замовлення 671 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	6379.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	4448.61 грн
100+	4151.29 грн
500+	3762.75 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1

на замовлення 779 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	5819.23 грн
10+	5327.42 грн
25+	4459.16 грн
50+	4406.02 грн
100+	4148.29 грн
250+	4072.57 грн
500+	3865.32 грн

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG020N120SC1

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBG020N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm

на замовлення 742 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4950.11 грн
10+	4448.61 грн
100+	4151.29 грн
500+	3762.75 грн

NVBG020N120SC1

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG022N120M3S

SiC MOSFET 1200 V 22 mohm

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1208.17 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	3856.24 грн
10+	3386.35 грн
25+	2769.96 грн
50+	2677.62 грн
100+	2584.63 грн
250+	2492.96 грн
500+	2335.53 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3125.76 грн
10+	2923.96 грн
25+	2864.14 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	3366.21 грн
10+	3148.88 грн
25+	3084.46 грн

Мінімальне замовлення: 4

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3599.21 грн
10+	3088.45 грн
100+	2710.89 грн

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2617.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Silicon Carbide MOSFET,22mohm,1200V Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2645.7 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG022N120M3S

Description: SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 148 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1186.16 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2454.05 грн

NVBG025N065SC1

NVBG025N065SC1

товар відсутній

NVBG025N065SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2991.38 грн
10+	2662.94 грн
25+	2239.21 грн
100+	2074.48 грн
250+	2013.37 грн
500+	1910.41 грн
800+	1881.18 грн

NVBG025N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2642.82 грн

Мінімальне замовлення: 5

NVBG025N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1788.47 грн
10+	1530.42 грн
100+	1338.55 грн

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1103.55 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG030N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2606.22 грн
10+	2288.63 грн
25+	1871.88 грн
50+	1809.44 грн
100+	1747 грн
250+	1684.56 грн
500+	1578.94 грн

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG030N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	2609.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG030N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2433 грн
10+	2087.36 грн
100+	1832.15 грн

NVBG040N120M3S

Description: ONSEMI - NVBG040N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 49 A, 1.2 kV, 0.0405 ohm, D2PAK-7L
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.22V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 297W
Bauform - Transistor: D2PAK-7L
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0405ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2055.9 грн
10+	1889.73 грн
100+	1738.46 грн
500+	1551.32 грн
800+	1373.23 грн
1600+	1314.46 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1858.02 грн
10+	1707.39 грн
25+	1620.18 грн

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2022 грн
10+	1730.05 грн
100+	1513.16 грн

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2079.45 грн
10+	1943.99 грн
20+	1751.65 грн
50+	1641.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG040N120M3S

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1340.89 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120M3S

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1889.73 грн
100+	1738.46 грн
500+	1551.32 грн
800+	1373.23 грн
1600+	1314.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	2000.94 грн
10+	1838.72 грн
25+	1744.81 грн
50+	1633.84 грн
100+	1465 грн

Мінімальне замовлення: 6

NVBG040N120M3S

SiC MOS D2PAK-7L 40mohm 1200V M3

товар відсутній

NVBG040N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 57A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG040N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L SiC MOSFET 1200 V 40 mohm M3S Series in D2PAK-7LD package

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2166.03 грн
10+	1897.52 грн
25+	1539.09 грн
50+	1491.26 грн
100+	1442.77 грн
250+	1346.45 грн
500+	1230.87 грн

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2615.52 грн
10+	2238.27 грн
100+	1957.67 грн

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	3153.86 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1137.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L Silicon Carbide MOSFET, N?Channel, 1200 V, 40 m?, D2PAK?7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2584.52 грн
10+	2383.36 грн
25+	2055.21 грн
50+	2053.89 грн
100+	1866.57 грн
800+	1592.89 грн

NVBG040N120SC1
Код товару: 179416

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2598.2 грн
10+	2532.61 грн
25+	2356.75 грн

NVBG040N120SC1

на замовлення 135 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG040N120SC1

Description: TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1734.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG040N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBG040N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 66 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	2798.06 грн
10+	2727.43 грн
25+	2538.04 грн

Мінімальне замовлення: 5

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1848.59 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1

товар відсутній

NVBG045N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1231 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2269.11 грн
10+	2062.52 грн
100+	1531.11 грн
500+	1242.16 грн
800+	1230.87 грн

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG045N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V

товар відсутній

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1039.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG060N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,44mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG060N065SC1

NVBG060N065SC1

товар відсутній

NVBG060N065SC1

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 44 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

на замовлення 800 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	964.83 грн
10+	837.99 грн
25+	709.43 грн
50+	669.57 грн
100+	630.38 грн
250+	610.45 грн
500+	571.26 грн

NVBG060N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1567.15 грн
10+	1340.83 грн
100+	1172.73 грн

NVBG060N090SC1

N-Channel MOSFET

товар відсутній

NVBG060N090SC1

MOSFET 60MOHM

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	2083.11 грн
10+	1824.19 грн
25+	1479.97 грн
50+	1434.13 грн
100+	1388.3 грн
250+	1295.3 грн
500+	1187.03 грн

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1304.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG060N090SC1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG060N090SC1

Silicon Carbide MOSFET,60mohm,900V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG060N090SC1

Description: MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 450 V

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1965.95 грн
10+	1682.72 грн
100+	1471.75 грн

NVBG060N090SC1-ENG

SiC MOS D2PAK 7L 60mohm 900V

товар відсутній

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1773.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1755.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1008.23 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG070N120M3S

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG070N120M3S

MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 70 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET- EliteSiC, 70 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1557.69 грн
10+	1364.32 грн
25+	1106.65 грн
50+	1072.11 грн
100+	1037.57 грн
250+	967.82 грн
500+	885.46 грн

NVBG075N065SC1

SiliconCarbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1302.01 грн
10+	1104.68 грн
100+	955.4 грн

NVBG075N065SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

на замовлення 1594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1421.29 грн
10+	1244.39 грн
25+	1010.34 грн
50+	978.45 грн
100+	947.23 грн
250+	883.46 грн
500+	807.74 грн

NVBG075N065SC1

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1191 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	899.13 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG075N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,6mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG080N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V

на замовлення 1453 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1065.58 грн
10+	925.84 грн
25+	783.16 грн
50+	739.32 грн
100+	696.14 грн
250+	674.89 грн
500+	631.05 грн

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1278.3 грн
10+	1131.31 грн
100+	955.48 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 1758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1897.18 грн
10+	1523.11 грн
100+	1376.31 грн
500+	1174.91 грн
800+	1081.97 грн
1600+	1081.34 грн

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1252.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG080N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V

товар відсутній

NVBG080N120SC1

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG080N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	1217.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG089N65S3F

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 37 A, 89 mohm, D2PAK 7 lead SuperFET III 650V 89mohm D2PAK 7 Lead

товар відсутній

NVBG089N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 970µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3598 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	389.72 грн
1600+	337.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG095N065SC1

Silicon Carbide MOSFET,70mohm,650V Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	411.73 грн
10+	340.16 грн
100+	283.43 грн

NVBG095N65S3F

MOSFET Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 36 A, 95 mohm, D2PAK 7 lead SuperFET III 650V 95mohm D2PAK 7 Lead

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.96 грн
10+	372.02 грн
25+	294.27 грн
100+	269.69 грн
250+	253.75 грн
500+	238.47 грн
800+	214.56 грн

NVBG095N65S3F

Description: SF3 FRFET AUTO, 95MOHM, D2PAK 7L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	259.71 грн
1600+	225.08 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG1000N170M1

SIC 1700V MOS 1O IN TO263

товар відсутній

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1327.88 грн
10+	1074.52 грн

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1271.83 грн
10+	1079.21 грн
100+	933.39 грн

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	855.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	822.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

на замовлення 630 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	864.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm

на замовлення 73 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1074.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBG160N120SC1

Description: SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 13600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	878.42 грн

Мінімальне замовлення: 800

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	851.67 грн
10+	843.17 грн
25+	835.46 грн

NVBG160N120SC1

MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V

на замовлення 1270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1308.15 грн
10+	1148.9 грн
25+	989.74 грн
100+	902.73 грн
250+	886.78 грн
500+	817.7 грн
800+	749.95 грн

NVBG160N120SC1

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 19.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	908.03 грн
25+	899.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

NVBG160N120SC1

Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 19.5
hazardous: false
usEccn: Unknown
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
MOSFET-Modul-Konfiguration: Single
euEccn: Unknown
Verlustleistung: 136
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 20
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

MOSFET Power MOSFET, 80 V, 1.2 mohm, 353 A, Single N-Channel D2PAK-7L (Pb-Free)

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

Description: T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 290A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.34mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 259W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 40 V

товар відсутній

NVBGS1D2N08H

Power MOSFET Single N-Channel

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

MOSFET MOSFET - Single N-Channel 150 V, 4.1 mohm, 185 A D2PAK7 (Pb-Free)

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1043.11 грн
10+	943.41 грн
25+	803.09 грн
50+	776.52 грн
100+	738.65 грн
800+	658.28 грн

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1138.9 грн
10+	1008.22 грн
25+	966.38 грн
100+	759.85 грн
250+	710.83 грн

NVBGS4D1N15MC

на замовлення 740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1181.55 грн
11+	1065.43 грн
25+	1051.23 грн
50+	946.7 грн
100+	808.04 грн
250+	759.62 грн
500+	707.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBGS4D1N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 20A/185A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 574µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7285 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

NVBGS4D1N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 20A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1097.15 грн
10+	989.33 грн
25+	976.14 грн
50+	879.08 грн
100+	750.32 грн
250+	705.36 грн
500+	657.3 грн

NVBGS6D5N15MC

MOSFET Power, Single N Channel, D2PAK7 150 V, 7 m, 121 A

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

MOSFET PTNG 150V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUTOMOTIVE

товар відсутній

NVBGS6D5N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 15/121A D2PAK-7

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBGS6D5N15MC

NVBGS6D5N15MC

товар відсутній

NVBL099N65S3

Description: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	834.38 грн
10+	710.05 грн
25+	450.67 грн

NVBLS001N06C

MOSFET NFET TOLL 60V 1.0MO

на замовлення 4531 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	790.47 грн
10+	675.28 грн
25+	490.89 грн
100+	445.72 грн
250+	444.39 грн
500+	418.48 грн
1000+	397.89 грн

NVBLS001N06C

Description: ONSEMI - NVBLS001N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 422 A, 750 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 422A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 284W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	378.54 грн
100+	327.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4655 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	769.57 грн
10+	635.4 грн
100+	529.52 грн
500+	438.47 грн
1000+	394.62 грн

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

на замовлення 99 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	898.56 грн
16+	764.67 грн
25+	485.33 грн

Мінімальне замовлення: 13

NVBLS001N06C

на замовлення 1940 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS001N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 51A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS001N06C

на замовлення 481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	513.42 грн
10+	378.54 грн
100+	327.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVBLS001N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 51A/422A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 422A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 284W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 562µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11575 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	409.18 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS0D5N04CTXG

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

Trans MOSFET N-CH 40V 65A T/R

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS0D5N04CTXG

MOSFET T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

на замовлення 3996 шт:

термін постачання 466-475 дні (днів)

1+	613.77 грн
10+	518.69 грн
25+	409.18 грн
100+	375.31 грн
250+	354.05 грн
500+	331.46 грн
1000+	298.25 грн

NVBLS0D5N04CTXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198.4
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	706.41 грн
10+	573.03 грн
100+	497.77 грн
500+	388.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

NVBLS0D5N04CTXG

Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	574.12 грн
10+	473.49 грн
100+	394.6 грн
500+	326.75 грн
1000+	294.08 грн

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 0.65

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04M8TXG - MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175DEG C, 429W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2839 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	283.91 грн

Мінімальне замовлення: 130

NVBLS0D5N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF

на замовлення 2089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

NVBLS0D5N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

128+	156.14 грн

Мінімальне замовлення: 128

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

Trans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS0D7N04M8TXG

Description: NMOS TOLL 40V 1.2 MOHM

товар відсутній

NVBLS0D7N04M8TXG

MOSFET NMOS TOLL 40V 1.2

на замовлення 1875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: ONSEMI - NVBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 470
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 314
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 314
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 560
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

MOSFET NFET TOLL 60V 0.75MO

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	921.44 грн
10+	818.9 грн
100+	603.81 грн
500+	552.66 грн
1000+	514.8 грн
2000+	475.61 грн

NVBLS0D7N06C

Description: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF

товар відсутній

NVBLS0D7N06C

Trans MOSFET N-CH 60V 54A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

MOSFET T8-80V IN TOLL

на замовлення 3208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	533.18 грн
10+	451.46 грн
100+	326.81 грн
500+	287.62 грн
1000+	259.72 грн
2000+	247.1 грн

NVBLS1D1N08H

на замовлення 438 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	497.95 грн
10+	410.94 грн
100+	342.43 грн
500+	283.55 грн
1000+	255.2 грн

NVBLS1D1N08H

Single N-Channel Power MOSFET

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: ONSEMI - NVBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, MO-299A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: MO-299A
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

NVBLS1D1N08H

Description: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	217.65 грн

Мінімальне замовлення: 2000

NVBLS1D5N10MCTXG

N-Channel Power Trench MOSFET

товар відсутній

NVBLS1D5N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.57 грн
10+	337.94 грн
100+	281.67 грн
500+	233.24 грн
1000+	209.91 грн

NVBLS1D5N10MCTXG

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	448.71 грн
10+	379.66 грн
25+	298.92 грн
100+	275 грн
250+	259.06 грн
500+	242.45 грн
1000+	217.88 грн

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D7N08H

MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, TOLL 80 V, 1.7 mohm, 241 A

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.76 грн
10+	283.41 грн
100+	199.28 грн
500+	177.36 грн
1000+	152.12 грн
2000+	151.45 грн

NVBLS1D7N08H

Description: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 241.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.4W (Ta), 237.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	319.04 грн
10+	257.88 грн
100+	208.67 грн
500+	174.07 грн
1000+	149.05 грн

NVBLS1D7N08H

Trans MOSFET N-CH 80V 33A Automotive 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R

товар відсутній

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	424.66 грн
10+	343.41 грн
100+	277.85 грн
500+	231.77 грн
1000+	198.46 грн

NVBLS1D7N10MCTXG

Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 265A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 303W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS1D7N10MCTXG

MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm

на замовлення 1790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	454.91 грн
10+	376.6 грн
25+	308.88 грн
100+	264.37 грн
250+	249.76 грн
500+	235.15 грн
1000+	201.27 грн

NVBLS4D0N15MC

на замовлення 1950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Description: ONSEMI - NVBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 0.0031 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 316W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm

на замовлення 850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	785.4 грн
10+	574.52 грн
100+	497.02 грн
500+	389.56 грн

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

MOSFET Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A Single N-Channel, 150 V, 4.4 mohm, 187 A

на замовлення 1141 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	768.77 грн
10+	649.31 грн
25+	556.65 грн
100+	470.96 грн
250+	466.31 грн
500+	415.16 грн
1000+	370.66 грн

NVBLS4D0N15MC

Trans MOSFET N-CH 150V 22A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R

товар відсутній

NVBLS4D0N15MC

Description: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1599 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	717.83 грн
10+	592.5 грн
100+	493.79 грн
500+	408.89 грн
1000+	368 грн

NVBLS4D0N15MC